Transistores BipolaresEn producción

2N2222A

Fabricante: Central Semiconductor

Datos tomados de la hoja de datos: Central Semiconductor, revisión R5, 5 de diciembre de 2013

Transistor NPN de conmutación Central Semiconductor 2N2222A en TO-18; límites absolutos: VCEO de 40 V e IC continua de 800 mA a TA = 25°C.

EncapsuladosTO-18
Hoja de datos oficial (PDF)

Descripción técnica

01

Descripción técnica

Esta página cubre solo Central Semiconductor 2N2222A en TO-18 según la hoja de datos 2N2221A.PDF, R5 (5 de diciembre de 2013). Las características eléctricas se aplican a TA = 25°C salvo indicación contraria y solo bajo las condiciones completas de ensayo. Los máximos absolutos son límites de esfuerzo, no condiciones recomendadas. En el plano del fabricante E1 está a la izquierda, B2 sobre el centro, C3 a la derecha y la lengüeta abajo a la izquierda; se describe la orientación del plano sin afirmar una vista superior o inferior confirmada por separado. La fila exacta del catálogo figura como Active; el aviso adjunto PDN01195 afecta a otros tipos enumerados. No traslade estas especificaciones a otros fabricantes o variantes plásticas.

Distribución de pines y funciones alternativas

Distribución interactiva de pines y funciones del encapsulado TO-18-3.

Diagrama de pinout interactivoDiagrama de terminales del fabricante

2N2222A: ilustración del encapsulado TO-18Diagrama de terminales del fabricante1: E2: B3: C

Ilustración del encapsulado, no un plano mecánico acotado.

3 / 3 pines
#Nombre del pinTipoTolerante a 5VFunciones alternativas / detalles
Epassive—
Emisor, terminal 1: a la izquierda en el plano del fabricante, el más próximo a la lengüeta inferior izquierda. Conserve la orientación del plano.
Bpassive—
Base, terminal 2: sobre el centro en el plano del fabricante, a 90° respecto a cada terminal 1 y 3.
Cpassive—
Colector, terminal 3: a la derecha en el plano del fabricante. El plano citado no confirma una conexión eléctrica interna con la carcasa metálica.

Especificaciones clave

Atributos paramétricos

ParámetroMín.TípicoMáx.UnidadCondición de prueba
Tensión de ruptura colector-base(BVCBO)75——VIC = 10 µA, TA = 25°C
Tensión de ruptura colector-emisor(BVCEO)40——VIC = 10 mA, TA = 25°C
Tensión de ruptura emisor-base(BVEBO)6——VIE = 10 µA, TA = 25°C
Corriente de corte de colector(ICBO)——10nAVCB = 60 V, TA = 25°C
Corriente de corte de emisor(IEBO)——10nAVEB = 3.0 V, TA = 25°C
Tensión de saturación colector-emisor a 150 mA(VCE_sat_150)——0.3VIC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Tensión de saturación colector-emisor a 500 mA(VCE_sat_500)——1VIC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Tensión de saturación base-emisor a 150 mA(VBE_sat_150)0.6—1.2VIC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Tensión de saturación base-emisor a 500 mA(VBE_sat_500)——2VIC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Ganancia de corriente continua a 150 mA(hFE_150)100—300ratioVCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C
Ganancia de corriente continua a 500 mA(hFE_500)40——ratioVCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C
Producto ganancia-ancho de banda(fT)300——MHzVCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C
Capacitancia de salida(Cob)——8pFVCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Capacitancia de entrada(Cib)——25pFVEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Tiempo de retardo(td)——10nsVCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Tiempo de subida(tr)——25nsVCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Tiempo de almacenamiento(ts)——225nsVCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Tiempo de bajada(tf)——60nsVCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Límite absoluto de tensión colector-base(VCBO_abs)——75VTA = 25°C
Límite absoluto de tensión colector-emisor(VCEO_abs)——40VTA = 25°C
Límite absoluto de tensión inversa emisor-base(VEBO_abs)——6VTA = 25°C
Límite absoluto de corriente continua de colector(IC_abs)——800mATA = 25°C
Límite absoluto de disipación a temperatura ambiente(PD_TA_abs)——500mWTA = 25°C
Límite absoluto de disipación a temperatura de carcasa(PD_TC_abs)——1.8WTC = 25°C
Límites absolutos de temperatura de unión en funcionamiento(TJ_abs)-65—200°CLímites de esfuerzo de temperatura de unión, no un rango de temperatura ambiente de operación

Valores máximos absolutos

Temperatura de almacenamiento-65 – 200 °C
Resistencia térmica θJA (TO-18)350 °C/W
Resistencia térmica θJC (TO-18)97 °C/W

Puntos críticos de ingeniería

Advertencias reales de hardware, restricciones de diseño de PCB y erratas del silicio que conviene conocer antes de fabricar.

Crítico

Corriente de colector máxima absoluta (800 mA) frente a disipación térmica al aire libre en TO-18

IC = 800 mA es un límite absoluto, no una corriente de trabajo térmicamente segura. Con IC = 500 mA e IB = 50 mA, ambos máximos de tensión dan una cota conservadora de pérdidas de conducción P = IC·VCE + IB·VBE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, superior a 500 mW a TA = 25°C antes de pérdidas de conmutación. No es una disipación medida ni afirma la coincidencia de ambos máximos.

Mitigación

Estime la disipación media y compruebe la trayectoria térmica real con margen: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA al aire libre, o TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC con temperatura de carcasa controlada e incluyendo la trayectoria térmica externa. El valor de 1,8 W requiere TC = 25°C, no simplemente un disipador instalado. No existe un umbral universal de corriente para añadirlo.

Crítico

Tensión de ruptura inversa emisor-base reducida (6,0 V) en circuitos astables e inductivos

El límite absoluto VEBO = 6,0 V y la característica separada de ruptura mínima BVEBO ≥ 6,0 V con IE = 10 µA son especificaciones distintas. Un ensayo de ruptura no autoriza la avalancha repetitiva; la hoja de datos no especifica esa capacidad. Los transitorios capacitivos de base deben permanecer dentro del límite de tensión inversa.

Mitigación

Compruebe la forma de onda real emisor-base durante el arranque y la conmutación. El diodo limitador inverso de un NPN lleva ánodo en E y cátodo en B; compruebe corriente de pulso, caída directa, tolerancias y cambios de temporización. El valor de alimentación no demuestra protección; un diodo en serie con la base no es un limitador equivalente.

Advertencia

Exigencias de corriente de base para saturación profunda y retardos de almacenamiento

VCE(SAT) se caracteriza con IC = 150 mA, IB = 15 mA y con IC = 500 mA, IB = 50 mA. Estos puntos IC/IB = 10 no son una regla universal de excitación. Una corriente de base insuficiente puede aumentar VCE y las pérdidas según la carga. El límite ts ≤ 225 ns solo se aplica con VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA y TA = 25°C, no con condiciones PWM arbitrarias.

Mitigación

Seleccione la excitación de base para la corriente, tensión y temperatura previstas usando las condiciones de caracterización aplicables. Compruebe la capacidad del controlador de suministrar y absorber corriente y sus tensiones de salida garantizadas; el punto de ensayo de 50 mA de base puede superar el límite de un GPIO. El apagado y cualquier circuito de control de carga requieren verificación propia del circuito.

Circuitos de referencia

Controlador de relé con BJT NPN 2N2222 / 2N2222A y diodo flyback 1N4007

Topología: Conmutador saturado de lado bajo en emisor común con transistor NPN, resistencia limitadora de base, resistencia de purga pull-down de 10 kΩ, diodo flyback antiparalelo 1N4007 y desacoplo de bus de CC.

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Documentación oficial y hojas de datos citadas

Hojas de datos, erratas y notas de aplicación de los fabricantes de semiconductores.

DATASHEETCentral Semiconductor

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

DATASHEETCentral Semiconductor

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

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