Diodos y RectificadoresEn producción

1N4148

Fabricante: Vishay

Datos tomados de la hoja de datos: Vishay Semiconductors 81857, revisión 1.6, 7 de noviembre de 2024

Diodo de conmutación axial Vishay 1N4148 en DO-35. Banda negra del cátodo, límite de tensión inversa continua de 75 V y recuperación inversa máxima de 4 ns bajo las condiciones de ensayo especificadas.

EncapsuladosDO-35
Hoja de datos oficial (PDF)

Descripción técnica

01

Descripción técnica

Esta referencia cubre Vishay 1N4148, códigos de pedido 1N4148-TAP y 1N4148TR, según la hoja de datos 81857 Rev. 1.6 (07-Nov-2024). Es un diodo de conmutación epitaxial plano de silicio en encapsulado axial DO-35 (DO-204AH). La banda negra identifica el cátodo; CircuitBase numera el cátodo K como terminal 1 y el ánodo A como terminal 2 para este catálogo. Son terminales pasivos, no entradas GPIO con una especificación de tolerancia lógica a 5 V.

Distinga el límite absoluto de tensión inversa continua de 75 V del límite absoluto de tensión inversa de pico repetitiva de 100 V. La tensión de ruptura se especifica por separado con un mínimo de 100 V a IR = 100 µA, tp/T = 0.01 y tp = 0.3 ms. Los límites absolutos no son puntos de funcionamiento recomendados.

A TA = 25°C, la caída directa máxima es 1 V con IF = 10 mA. La capacidad máxima es 4 pF con VR = 0 V, f = 1 MHz y VHF = 50 mV. La recuperación inversa es como máximo 4 ns con IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 × IR y RL = 100 Ω; el ensayo separado de 8 ns utiliza IF = IR = 10 mA e iR = 1 mA. Ninguno de estos tiempos es una garantía incondicional de conmutación.

La disipación se especifica en 500 mW con l = 4 mm y TL <= 25°C, o 440 mW con l = 4 mm y TL = 45°C. RthJA = 350 °C/W exige l = 4 mm y TL constante. El límite de temperatura de unión es 175°C; el almacenamiento va de -65 a +150°C. Evalúe las condiciones eléctricas y térmicas reales sin tratar un límite del encapsulado como corriente garantizada del circuito.

Distribución de pines y funciones alternativas

Distribución interactiva de pines y funciones del encapsulado DO-35-2.

Diagrama de pinout interactivoSuperior

1N4148: ilustración del encapsulado DO-35Distribución interactiva de pines y funciones del encapsulado DO-35.1: K2: A

Ilustración del encapsulado, no un plano mecánico acotado.

2 / 2 pines
#Nombre del pinTipoTolerante a 5VFunciones alternativas / detalles
Kpassive—
Cátodo K, identificado por la banda negra del cuerpo. El terminal 1 sigue la convención de numeración del catálogo CircuitBase; es un terminal pasivo del diodo.
Apassive—
Ánodo A, opuesto a la banda negra del cátodo. El terminal 2 sigue la convención de numeración del catálogo CircuitBase; la corriente convencional directa fluye de A a K.

Especificaciones clave

Atributos paramétricos

ParámetroMín.TípicoMáx.UnidadCondición de prueba
Tensión inversa de pico repetitiva(V_RRM)——100VTA = 25°C
Tensión inversa continua(V_R)——75VTA = 25°C
Tensión de ruptura(V_BR)100——VIR = 100 µA, tp/T = 0.01, tp = 0.3 ms, TA = 25°C
Corriente directa continua(I_F)——300mATA = 25°C
Corriente directa media(I_F_AV)——150mAVR = 0, TA = 25°C
Corriente directa de pico repetitiva(I_FRM)——500mATA = 25°C
Corriente directa de pico no repetitiva (1 µs)(I_FSM_1us)——2Atp = 1 µs, TA = 25°C
Disipación de potencia máxima(P_tot)——500mWl = 4 mm, TL <= 25°C
Caída de tensión directa(V_F)——1VIF = 10 mA, TA = 25°C
Corriente inversa de fuga(I_R)——0.025µAVR = 20 V, TA = 25°C
Tiempo de recuperación inversa (prueba de 4 ns)(t_rr_4ns)——4nsIF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Ω, TA = 25°C
Tiempo de recuperación inversa (prueba de 8 ns)(t_rr_8ns)——8nsIF = IR = 10 mA, iR = 1 mA, TA = 25°C
Capacidad del diodo(C_D)——4pFVR = 0 V, f = 1 MHz, VHF = 50 mV, TA = 25°C

Valores máximos absolutos

Temperatura de unión≤ 175 °C
Temperatura de almacenamiento-65 – 150 °C
Resistencia térmica θJA (DO-35)350 °C/W

Puntos críticos de ingeniería

Advertencias reales de hardware, restricciones de diseño de PCB y erratas del silicio que conviene conocer antes de fabricar.

Crítico

Los límites de corriente y potencia exigen sus condiciones especificadas

A TA = 25°C, los límites absolutos son IF = 300 mA continuos, IF(AV) = 150 mA con VR = 0 e IFRM = 500 mA de pico repetitivo. Describen condiciones diferentes. Ptot = 500 mW exige l = 4 mm y TL <= 25°C; Ptot = 440 mW se especifica a TL = 45°C con la misma longitud de terminales. RthJA = 350 °C/W supone l = 4 mm y TL constante.

Mitigación

Compruebe la forma de onda real, la disipación, la temperatura de los terminales y el diseño térmico frente a los límites aplicables. Mantenga la temperatura de unión dentro del límite absoluto de 175°C; no deduzca una corriente garantizada del circuito a partir de un único límite de corriente o potencia.

Advertencia

La tensión inversa continua no es el límite de pico repetitivo

La hoja de datos especifica VR = 75 V y VRRM = 100 V como límites absolutos distintos. La tensión mínima de ruptura de 100 V, ensayada por separado, no convierte 100 V en una recomendación de tensión continua de funcionamiento. La banda negra del cuerpo marca K; los números de terminal del catálogo son una convención de presentación.

Mitigación

Identifique la banda del cátodo y compruebe la forma de onda inversa real frente a los límites continuo y de pico repetitivo correspondientes. Estos terminales pasivos no tienen una especificación de tolerancia a 5 V de tipo GPIO.

Advertencia

El límite de corriente de impulso de 2 A corresponde a un pulso de 1 µs

Vishay 81857 Rev. 1.6 especifica IFSM = 2 A con tp = 1 µs y TA = 25°C. No especifica un límite de corriente de impulso de 1 A durante 1 s. Este límite absoluto de pulso corto no permite corriente continua ni repetitiva.

Mitigación

Evalúe el pulso previsto y las condiciones térmicas con los datos aplicables del fabricante. No extrapole el límite de 1 µs a un pulso más largo permitido, una frecuencia de repetición o una capacidad de absorción de energía en limitación.

Equivalencias y referencias cruzadas

Número de pieza (MPN)FabricanteCompatibilidadDiferencias eléctricas / consideraciones de BOM
1N914Vishaypin to pin drop inVishay 81857 nombra explícitamente 1N914 como diodo eléctricamente equivalente. Compruebe la pieza y encapsulado del fabricante seleccionados para la aplicación prevista; la afirmación no establece geometría de silicio idéntica ni todas las condiciones de ensayo.

Documentación oficial y hojas de datos citadas

Hojas de datos, erratas y notas de aplicación de los fabricantes de semiconductores.

DATASHEETVishay Semiconductors

1N4148 Small Signal Fast Switching Diodes Datasheet

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