Bipolar TransistörlerÜretimde

2N2222A

Üretici: Central Semiconductor

Değerlerin alındığı veri sayfası: Central Semiconductor, revizyon R5, 5 Aralık 2013

Central Semiconductor 2N2222A NPN anahtarlama transistörü, TO-18; mutlak sınırlar: VCEO 40 V ve TA = 25°C koşulunda sürekli IC 800 mA.

KılıflarTO-18

Resmi Datasheet (PDF)

Teknik İnceleme

Bu sayfa yalnızca 2N2221A.PDF, R5 (5 Aralık 2013) veri sayfasına göre TO-18 kılıflı Central Semiconductor 2N2222A modelini kapsar. Elektriksel özellikler aksi belirtilmedikçe TA = 25°C ve yalnızca tam verilen test koşulları için geçerlidir. Mutlak maksimumlar zorlanma sınırlarıdır, önerilen çalışma koşulları değildir. Üretici çiziminde E1 solda, B2 merkezin üstünde, C3 sağda ve tırnak sol alttadır; bu, ayrıca doğrulanmış bir üst veya alt görünüm iddiası olmadan çizimin yönünü tanımlar. Tam ürün satırı Active durumundadır; ekli PDN01195 diğer listelenen tipleri kapsar. Bu özellikleri başka üreticilere veya plastik varyantlara aktarmayın.

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

TO-18-3 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.

Paket çizimi, ölçülendirilmiş mekanik çizim değildir.

3 / 3 pin

Pin adı	Tür	5V toleranslı	Alternatif işlevler / ayrıntılar
E	passive	—	Yayıcı, 1. bacak: üretici çiziminde solda, sol alt tırnağa en yakın uçtur. Kaynak çizimin yönünü koruyun.
B	passive	—	Taban, 2. bacak: üretici çiziminde merkezin üstünde, 1. ve 3. bacakların her birine 90° açıdadır.
C	passive	—	Toplayıcı, 3. bacak: üretici çiziminde sağdadır. Atıf yapılan çizim metal gövdeye dahili elektriksel bağlantıyı doğrulamaz.

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

Parametre	Min.	Tipik	Maks.	Birim	Test koşulu
Toplayıcı-Taban Kırılma Gerilimi(BVCBO)	75	—	—	V	IC = 10 µA, TA = 25°C
Toplayıcı-Yayıcı Kırılma Gerilimi(BVCEO)	40	—	—	V	IC = 10 mA, TA = 25°C
Yayıcı-Taban Kırılma Gerilimi(BVEBO)	6	—	—	V	IE = 10 µA, TA = 25°C
Toplayıcı Kesim Akımı(ICBO)	—	—	10	nA	VCB = 60 V, TA = 25°C
Yayıcı Kesim Akımı(IEBO)	—	—	10	nA	VEB = 3.0 V, TA = 25°C
150 mA Altında Toplayıcı-Yayıcı Doyum Gerilimi(VCE_sat_150)	—	—	0.3	V	IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
500 mA Altında Toplayıcı-Yayıcı Doyum Gerilimi(VCE_sat_500)	—	—	1	V	IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
150 mA Altında Taban-Yayıcı Doyum Gerilimi(VBE_sat_150)	0.6	—	1.2	V	IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
500 mA Altında Taban-Yayıcı Doyum Gerilimi(VBE_sat_500)	—	—	2	V	IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
150 mA Altında DC Akım Kazancı(hFE_150)	100	—	300	ratio	VCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C
500 mA Altında DC Akım Kazancı(hFE_500)	40	—	—	ratio	VCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C
Akım Kazancı Bant Genişliği Çarpımı(fT)	300	—	—	MHz	VCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C
Çıkış Sığası(Cob)	—	—	8	pF	VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Giriş Sığası(Cib)	—	—	25	pF	VEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Gecikme Süresi(td)	—	—	10	ns	VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Yükselme Süresi(tr)	—	—	25	ns	VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Depolama Süresi(ts)	—	—	225	ns	VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Düşme Süresi(tf)	—	—	60	ns	VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Toplayıcı-taban gerilimi mutlak sınırı(VCBO_abs)	—	—	75	V	TA = 25°C
Toplayıcı-yayıcı gerilimi mutlak sınırı(VCEO_abs)	—	—	40	V	TA = 25°C
Yayıcı-taban ters gerilimi mutlak sınırı(VEBO_abs)	—	—	6	V	TA = 25°C
Sürekli toplayıcı akımı mutlak sınırı(IC_abs)	—	—	800	mA	TA = 25°C
Ortam sıcaklığında güç kaybı mutlak sınırı(PD_TA_abs)	—	—	500	mW	TA = 25°C
Gövde sıcaklığında güç kaybı mutlak sınırı(PD_TC_abs)	—	—	1.8	W	TC = 25°C
Çalışma jonksiyon sıcaklığı mutlak sınırları(TJ_abs)	-65	—	200	°C	Jonksiyon sıcaklığı zorlanma sınırları; ortam çalışma sıcaklığı aralığı değildir

Mutlak Maksimum Değerler

Depolama sıcaklığı	-65 – 200 °C
Termal direnç θJA (TO-18)	350 °C/W
Termal direnç θJC (TO-18)	97 °C/W

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Üretimden önce bilinmesi gereken gerçek donanım uyarıları, PCB yerleşim kısıtları ve silikon hataları.

Kritik

Mutlak Maksimum Toplayıcı Akımı (800 mA) ile TO-18 Serbest Hava Güç Kaybı Kısıtı

IC = 800 mA mutlak sınırdır, termal olarak güvenli çalışma akımı değildir. IC = 500 mA ve IB = 50 mA altında iki maksimum gerilim, iletim kaybı için temkinli bir sınır verir: P = IC·V_CE + IB·V_BE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W; anahtarlama kayıplarından önce bile TA = 25°C altında 500 mW aşılır. Bu ölçülmüş güç kaybı değildir ve iki maksimumun aynı anda gerçekleştiğini iddia etmez.

Önlem

Ortalama güç kaybını hesaplayıp gerçek termal yolu pay bırakarak kontrol edin: serbest havada TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA veya kontrollü gövde sıcaklığında dış termal yol da hesaba katılarak TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC. 1,8 W sınırı yalnızca soğutucu takılmasını değil, TC = 25°C koşulunu gerektirir. Soğutucu eklemek için evrensel bir akım eşiği yoktur.

Kritik

Astabil ve Endüktif Devrelerde Düşük Yayıcı-Taban Ters Kırılma Gerilimi (6,0 V)

Mutlak V_EBO = 6,0 V sınırı ile IE = 10 µA altında ayrı minimum kırılma özelliği BVEBO ≥ 6,0 V farklı özelliklerdir. Kırılma testi tekrarlayan çığ çalışmasına izin vermez; veri sayfası böyle bir dayanım belirtmez. Kapasitif taban geçici rejimleri ters gerilim sınırı içinde kalmalıdır.

Önlem

Başlangıç ve anahtarlamada gerçek yayıcı-taban dalga şeklini kontrol edin. NPN ters gerilim sınırlama diyodunun anodu E, katodu B ucundadır; darbe akımını, ileri gerilim düşümünü, toleransları ve zamanlama değişimini kontrol edin. Besleme etiketi korumayı kanıtlamaz; seri taban diyodu eşdeğer bir sınırlayıcı değildir.

Uyarı

Derin Doyum için Taban Sürüş Gereksinimleri ve Depolama Süresi Gecikmeleri

V_CE(SAT), IC = 150 mA, IB = 15 mA ve IC = 500 mA, IB = 50 mA altında karakterize edilir. Bu IC/IB = 10 noktaları evrensel bir sürüş kuralı değildir. Yetersiz taban akımı yüke bağlı olarak V_CE ve kayıpları artırabilir. ts ≤ 225 ns sınırı yalnızca VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA ve TA = 25°C altında geçerlidir, keyfi PWM koşullarında değil.

Önlem

Taban sürüşünü hedef akım, gerilim ve sıcaklık için uygun karakterizasyon koşullarıyla seçin. Sürücünün akım sağlama ve çekme kapasitesini ve garantili çıkış gerilimlerini kontrol edin; 50 mA taban akımı test noktası GPIO sınırını aşabilir. Kapanma ve her türlü yük kontrol devresi ayrıca devre düzeyinde doğrulama gerektirir.

Örnek Uygulama Devreleri

1N4007 Sönümleme Diyotlu 2N2222 / 2N2222A NPN BJT Röle Sürücüsü

Topoloji: Beyz akım sınırlama direnci, 10 kΩ pull-down direnci, ters paralel 1N4007 flyback sönümleme diyotu ve DC bara dekuplajına sahip ortak emiterli alçak taraf NPN doyumlu röle anahtar devresi.

Şemayı incele Web CAD Düzenleyicide Aç

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

Yarı iletken üreticisi veri sayfaları, hata bültenleri (errata) ve uygulama notları.

DATASHEETCentral Semiconductor

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

DATASHEETCentral Semiconductor

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

Veri sayfasıyla uyuşmayan bir pin, kılıf veya parametre mi buldunuz? Bildirin.

Sorun bildir

GitHub'da bu sayfanın önceden doldurulduğu herkese açık bir form açar; ücretsiz bir GitHub hesabı gerekir. Bildirimler ve onaylar nasıl işler

Teknik İnceleme

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

Mutlak Maksimum Değerler

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Örnek Uygulama Devreleri

1N4007 Sönümleme Diyotlu 2N2222 / 2N2222A NPN BJT Röle Sürücüsü

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

İlgili bileşenler

2N3904

2N3906

1N4007

1N4148