Diyotlar ve DoğrultucularÜretimde

1N4007

Üretici: Vishay

Değerlerin alındığı veri sayfası: Vishay General Semiconductor 88503, revizyon 29-Apr-2020, 29 Nisan 2020

Vishay 1N4007 DO-41 doğrultucu: maksimum VRRM 1000 V; TA = 75°C, 9.5 mm bacak boyu ve 60 Hz dirençli veya endüktif yük koşullarında IF(AV) 1 A.

KılıflarDO-41
Resmi Datasheet (PDF)

Teknik İnceleme

01

Teknik İnceleme

1N4007, Vishay General Semiconductor tarafından üretilen (Belge 88503, Rev. 29-Apr-2020) standart 1N4001–1N4007 serisi 1.0 A eksenel bacaklı silikon doğrultucuların 1000 V tepe ters gerilime sahip üyesidir. Kalıplanmış DO-204AL (DO-41) plastik kılıfta 1000 V maksimum tekrarlamalı tepe ters gerilim (VRRM), TA = 75°C'de 1.0 A anma ortalama ileri doğrultulmuş akım IF(AV) (9.5 mm bacak boyu, 60 Hz dirençli veya endüktif yük altında) ve anma yükü üzerine bindirilmiş 8.3 ms tek yarım sinüs dalgası için 30 A tepe ileri darbe akımı kapasitesi (IFSM) sunar. Ters toparlanma süresi üretici veri sayfasında belirtilmemiştir; aygıt şebeke frekansında (50 Hz ve 60 Hz) AC güç doğrultma, genel amaçlı DC güç kaynağı katları, ters polarite engelleme ve düşük hızlı endüktif kenetleme devrelerinde koruma amaçlı tasarlanmıştır.

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

DO-41-2 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.

İnteraktif pin dizilim şemasıÜst

1N4007: DO-41 paket gösterimiDO-41 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.1: K2: A

Paket çizimi, ölçülendirilmiş mekanik çizim değildir.

2 / 2 pin
#Pin adıTür5V toleranslıAlternatif işlevler / ayrıntılar
Kpassive—
Gövde üzerindeki renkli bantla fiziksel olarak tanımlanan katot ucu (CircuitBase kuralına göre bacak 1).
Apassive—
Anot ucu (CircuitBase kuralına göre bacak 2).

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

ParametreMin.TipikMaks.BirimTest koşulu
Maksimum Tekrarlamalı Tepe Ters Gerilim(VRRM)——1000VAnma tekrarlamalı tepe ters gerilim sınırı (s. 1)
Maksimum RMS Gerilim(VRMS)——700VEtkin (RMS) ters gerilim çalışma sınırı (s. 1)
Maksimum DC Blokaj Gerilimi(VDC)——1000VAnma DC ters blokaj gerilimi (s. 1)
Maksimum Ortalama İleri Doğrultulmuş Akım(IF_AV)——1ATA = 75°C, bacak boyu l = 9.5 mm, 60 Hz dirençli veya endüktif yük (s. 1, Şekil 1)
Tepe İleri Darbe Akımı (8.3 ms Yarım Sinüs)(IFSM_sine)——30AAnma yükü üzerine bindirilmiş tek 8.3 ms yarım sinüs dalgası, TA = 25°C (s. 1)
Tekrarlanmayan Tepe İleri Darbe Akımı (1 ms Kare Darbe)(IFSM_square)——45ATekrarlanmayan kare darbe tp = 1.0 ms, TA = 25°C (s. 1)
Maksimum Anlık İleri Gerilim Düşümü(VF)——1.1VIF = 1.0 A anlık, TA = 25°C (s. 2)
Anma VDC Altında Maksimum DC Ters Kaçak Akım(IR_25C)——5µAAnma DC ters gerilimi VR = 1000 V, TA = 25°C (s. 2)
125°C'de Maksimum DC Ters Kaçak Akım(IR_125C)——50µAAnma DC ters gerilimi VR = 1000 V, TA = 125°C (s. 2)
Tipik Eklem Kapasitansı(CJ)—15—pFVR = 4.0 V, f = 1.0 MHz, tipik eklem sığası (s. 2)
Erime Katsayısı (I²t)(I2t)——3.7A²sKöprü doğrultucu uygulamalarında sigorta seçimi için değer, t < 8.3 ms (s. 1, not 1)
Çalışma Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı(T_J)-50—150°CMutlak çalışma jonksiyon sıcaklığı aralığı; ortam çalışma sıcaklığı sınırı değildir (s. 1)

Mutlak Maksimum Değerler

Depolama sıcaklığı-50 – 150 °C
Termal direnç θJA (DO-41)50 °C/W

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Üretimden önce bilinmesi gereken gerçek donanım uyarıları, PCB yerleşim kısıtları ve silikon hataları.

Kritik

Yüksek Frekanslı Anahtarlama Uygulamalarında Belirtilmemiş Ters Toparlanma Süresi

1N4007 veri sayfasında (Vishay 88503) ters toparlanma süresi (trr) belirtilmemiş ve nitelendirilmemiştir. Sert anahtarlamalı dönüştürücülerde, yüksek frekanslı eviricilerde veya hızlı PWM katlarında standart toparlanmalı bir doğrultucu kullanılması, kapanma sırasında yüksek geçici ters akımların akmasına neden olarak anahtarlama kayıplarına, elektriksel gürültüye ve sürücü transistörlerde aşırı ısınmaya yol açabilir.

Önlem

Hızlı toparlanma gerektiren yüksek frekanslı anahtarlamalı dönüştürücüler veya PWM topolojileri için, devrenin çalışma gerilimine, akımına ve di/dt anahtarlama hızına uygun olarak açıkça tanımlanmış toparlanma özelliklerine sahip diyotlar seçilmelidir.

Uyarı

İleri İletim Kayıpları ve Bacak Boyuna Bağlı Termal Montaj Koşulları

TA = 25°C’de 1.0 A anlık ileri akım için maksimum gerilim düşümü 1.1 V’dir (s. 2); bu, hesaplanmış 1.1 W anlık tepe iletim kaybına karşılık gelir. Tipik termal direnç RthJA = 50°C/W, 9.5 mm (0.375 inç) bacak boyuyla PCB montajı için verilmiştir. Şekil 1’deki akım azaltma eğrisi ayrıca 5 × 5 mm bakır lehim adalarını ve 60 Hz dirençli veya endüktif yükü esas alır: TA = 75°C üzerinde izin verilen ortalama akım doğrusal olarak azalır ve 150°C’de sıfıra ulaşır. Gerçek montajın ısıl davranışı bakır geometrisine, hava akışına ve görev döngüsüne bağlıdır; bu montaj koşulları evrensel bir soğutma modeli değildir. 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığı, bu ortam sıcaklığında çalışma kapasitesinin garantisi değildir.

Önlem

Bacaklardan ısı iletimini kolaylaştırmak için baskı devre üzerinde her iki diyot bacağına yeterli bakır alanı sağlayın. İleri iletim kaybının kritik olduğu düşük gerilimli uygulamalarda, gereken ters gerilim ve termal dağılım için değerlendirilmiş düşük ileri düşümlü diyotları veya aktif senkron doğrultucuları değerlendirin.

Bilgi

Darbe Akımı Sınırları ve İlk Çalıştırma Darbe Koşulları

1N4007 tepe ileri darbe akımı sınırı (IFSM = 30 A, s. 1), TA = 25°C'de anma yükü üzerine bindirilmiş 8.3 ms tek yarım sinüs dalgası için kesin olarak sınırlandırılmıştır. tp = 1.0 ms kare darbe için ayrıca 45 A tekrarlanmayan sınır tanımlanmıştır. Köprü doğrultucu uygulamalarında t < 8.3 ms için I²t değeri 3.7 A²s olarak verilmiştir (s. 1, not 1). Doğrultucu devreleri boş filtre kondansatörlerine ilk kez enerji verdiğinde, başlangıç akım darbeleri bu dalga biçimleri, süreler, tekrarlama sıklığı ve sıcaklık koşulları açısından doğrulanmalıdır; zira 30 A altındaki darbeler tekrarlanıyorsa veya daha uzun sürüyorsa kendiliğinden güvenli kabul edilemez.

Önlem

En kötü kaynak empedansı ve şebeke gerilim faz açısı altında tepe kalkış akımını, darbe süresini ve kümülatif I²t değerini veri sayfası sınırlarına göre hesaplayıp doğrulayın; tasarım gerektiriyorsa seri empedans veya kalkış akımı sınırlayıcıları ekleyin.

Örnek Uygulama Devreleri

Standart Dekuplajlı LM7805 5V Lineer Gerilim Regülatörü

Topoloji: Çıkış kondansatörünün deşarj akımını çıkıştan girişe yönlendiren baypas

Şemayı inceleWeb CAD Düzenleyicide Aç

LM317 Ayarlanabilir Lineer Gerilim Regülatörü

Topoloji: Çıkış kondansatörünün deşarj akımını çıkıştan girişe yönlendiren baypas

Şemayı inceleWeb CAD Düzenleyicide Aç

±15 V İzlemeli Simetrik Besleme (LM7815 / LM7915)

Topoloji: D1 ve D2: çıkış kenetleme diyotları (şemada 1N4001; 1N4007 eşdeğer)

Şemayı inceleWeb CAD Düzenleyicide Aç

1N4007 Sönümleme Diyotlu 2N2222 / 2N2222A NPN BJT Röle Sürücüsü

Topoloji: Kapanma anındaki bobin ters EMF akımını devridaim ettirerek kollektör gerilimini VCC + VF seviyesine sabitleyen ters paralel endüktif flyback sönümleme diyotu.

Şemayı inceleWeb CAD Düzenleyicide Aç

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

Yarı iletken üreticisi veri sayfaları, hata bültenleri (errata) ve uygulama notları.

DATASHEETVishay General Semiconductor

1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007 General Purpose Plastic Rectifier

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

Veri sayfasıyla uyuşmayan bir pin, kılıf veya parametre mi buldunuz? Bildirin.

Sorun bildir

GitHub'da bu sayfanın önceden doldurulduğu herkese açık bir form açar; ücretsiz bir GitHub hesabı gerekir. Bildirimler ve onaylar nasıl işler

İlgili bileşenler

Vishay

1N4148

DO-35 kılıflı eksenel Vishay 1N4148 anahtarlama diyotu. Siyah katot bandı, 75 V sürekli ters gerilim sınırı ve belirtilen test koşullarında maksimum 4 ns ters toparlanma süresi.

Central Semiconductor

2N2222A

Central Semiconductor 2N2222A NPN anahtarlama transistörü, TO-18; mutlak sınırlar: VCEO 40 V ve TA = 25°C koşulunda sürekli IC 800 mA.

onsemi

2N3904

TO-92 kılıfında E-B-C bacak dizilimine ve 40V VCEO ile 200mA IC mutlak maksimum sınırlarına sahip genel amaçlı küçük sinyal NPN silikon bipolar jonksiyon transistörü.

onsemi

2N3906

E-B-C bacak dizilimine sahip TO-92 kılıfında, 40V VCEO ve 200mA IC mutlak maksimum değerlerine sahip genel amaçlı küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörü.