Bipolar TransistörlerÜretimden kaldırıldı

2N3906

Üretici: onsemi

Değerlerin alındığı veri sayfası: onsemi 2N3906/D, revizyon Rev. 4, Şubat 2010

E-B-C bacak dizilimine sahip TO-92 kılıfında, 40V VCEO ve 200mA IC mutlak maksimum değerlerine sahip genel amaçlı küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörü.

KılıflarTO-92

Teknik İnceleme

01

Teknik İnceleme

2N3906, onsemi tarafından üretilen klasik küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT) (Yayın Sipariş Numarası 2N3906/D, Rev. 4, Şubat 2010). E-B-C bacak dizilimine sahip Through-Hole TO-92 kılıfında (Case 29-11, Issue AM, Style 1) üretilmiş olup, NPN 2N3904'ün doğrudan tamamlayıcı eşidir.

02

Çalışma Fiziği ve Kutuplama Kuralları

Standart ileri aktif PNP çalışmasında beyz ve kollektör gerilimleri emetöre göre negatiftir (VBE < 0, VCE < 0). Veri sayfası tablolarında pozitif genlikler (|VCE|, |VBE|, |V(BR)|) listelenir.

03

Mutlak Maksimum Değerler (TA = 25°C)

  • Kollektör-Emetör Gerilimi (VCEO): 40 V
  • Kollektör-Beyz Gerilimi (VCBO): 40 V
  • Emetör-Beyz Gerilimi (VEBO): 5,0 V
  • Sürekli Kollektör Akımı (IC): 200 mA
  • Toplam Güç Harcaması (PD): TA = 25°C'de 625 mW (25°C üzerinde 5,0 mW/°C düşüm); TA = 60°C'de 250 mW; TC = 25°C'de 1,5 W (12 mW/°C düşüm)
  • Çalışma Jonksiyon Sıcaklığı (TJ): -55°C ile +150°C arası
  • Termal Direnç: θJA = 200°C/W jonksiyon–ortam ve θJC = 83,3°C/W jonksiyon–kılıf (veri sayfasındaki maksimumlar)
04

Temel Elektriksel ve Dinamik Özellikler (TA = 25°C)

  • Kırılma Gerilimleri: V(BR)CEO ≥ 40 V (IC = 1,0 mA), V(BR)CBO ≥ 40 V (IC = 10 µA), V(BR)EBO ≥ 5,0 V (IE = 10 µA)
  • DC Akım Kazancı (hFE): IC = 10 mA ve |VCE| = 1,0 V'ta 100 ile 300 arası
  • Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi (|VCE(sat)|): IC = 10 mA ve IB = 1,0 mA'da ≤ 0,25 V
  • Geçiş Frekansı (fT): IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz'te ≥ 250 MHz

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

TO-92-3 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.

İnteraktif pin dizilim şemasıÖn

2N3906: TO-92 paket gösterimiTO-92 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.1: E2: B3: C

Paket çizimi, ölçülendirilmiş mekanik çizim değildir.

3 / 3 pin
#Pin adıTür5V toleranslıAlternatif işlevler / ayrıntılar
Epassive—
Emetör terminali (1. bacak, düz yüzey öne ve bacaklar aşağı bakarken sol bacak)
Binput onlyHayır
Beyz kontrol terminali (2. bacak, orta bacak; harici beyz akımı sınırlama direnci gerektirir)
Cpassive—
Kollektör terminali (3. bacak, düz yüzey öne ve bacaklar aşağı bakarken sağ bacak)

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

ParametreMin.TipikMaks.BirimTest koşulu
Kollektör-Emetör Kırılma Gerilimi V(BR)CEO(V(BR)CEO)40——VIC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Kollektör-Beyz Kırılma Gerilimi V(BR)CBO(V(BR)CBO)40——VIC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C
Emetör-Beyz Kırılma Gerilimi V(BR)EBO(V(BR)EBO)5——VIE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C
Sürekli Kollektör Akımı(IC_max)——200mASürekli sınır değer (eşzamanlı PD ve TJ sınırları geçerlidir)
DC Akım Kazancı hFE (10mA)(hFE_10mA)100—300ratioIC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
DC Akım Kazancı hFE (1mA)(hFE_1mA)80——ratioIC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
DC Akım Kazancı hFE (50mA)(hFE_50mA)60——ratioIC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi |VCE(sat)| (10mA)(VCE_sat_10mA)——0.25VIC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi |VCE(sat)| (50mA)(VCE_sat_50mA)——0.4VIC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Beyz-Emetör Doyum Gerilimi |VBE(sat)| (10mA)(VBE_sat_10mA)0.65—0.85VIC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Beyz-Emetör Doyum Gerilimi |VBE(sat)| (50mA)(VBE_sat_50mA)——0.95VIC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Akım Kazancı Bant Genişliği Çarpımı(fT)250——MHzIC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C
Kollektör Çıkış Kapasitansı(Cobo)——4.5pFVCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C
Emetör Giriş Kapasitansı(Cibo)——10pFVEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C
Gürültü Faktörü(NF)——4dBIC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C
Mutlak Maksimum Kollektör–Emitör Gerilimi (Büyüklük)(VCEO)——40VMaksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen ölçüm koşullarındaki V(BR)CEO minimumundan farklı bir zorlanma büyüklüğüdür.
Mutlak Maksimum Ters Emitör–Beyz Gerilimi (Büyüklük)(VEBO)——5VMaksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen ölçüm koşullarındaki V(BR)EBO minimumundan farklı ters emitör–beyz zorlanma büyüklüğüdür.
Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı(TJ)-55—150°CÇalışma jonksiyon sıcaklığı, Maksimum Sınırlar, s. 1; ortam çalışma sıcaklığı aralığı değildir.

Mutlak Maksimum Değerler

Depolama sıcaklığı-55 – 150 °C
Termal direnç θJA (TO-92)200 °C/W
Termal direnç θJC (TO-92)83.3 °C/W

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Üretimden önce bilinmesi gereken gerçek donanım uyarıları, PCB yerleşim kısıtları ve silikon hataları.

Kritik

Ters Emitör–Beyz Zorlanması (Mutlak VEBO Sınırı = 5.0V)

Beyz–emitör jonksiyonunun mutlak maksimum ters gerilim sınırı VEBO = 5.0V’dir. Ayrı olarak ölçülen V(BR)EBO kırılma gerilimi IE = 10 µA, IC = 0 ve TA = 25°C koşulunda en az 5.0V’dir; bu kırılma testi önerilen çalışma koşulu değildir. Çapraz bağlı kararsız multivibratörlerde veya kapasitif anahtarlama devrelerinde geçişler jonksiyonu ters polarabilir (beyzi emitöre göre pozitif yaparak, VBE = VB - VE > 0). Ters zorlanma sınırının aşılması aygıta zarar verebilir veya güvenilirliğini etkileyebilir.

Önlem

Devre çalışması sırasında gerçek tepe ters VBE gerilimini değerlendirin. Ters gerilim darbeleri 5.0V sınırına yaklaşıyor veya aşıyorsa, beyz-emetör jonksiyonuna ters paralel bir kenetleme diyotu (PNP için anodu beyze, katodu emetöre bağlı 1N4148 gibi) veya beyz hattına seri bir bloklama diyotu ekleyin; kenetleme çözümünün zamanlamayı, başlama koşullarını veya ileri sürmeyi bozmadığını doğrulayın.

Kritik

TO-92 Bacak Dizilimi Doğrulaması (E-B-C Bacak Yapısı)

Bacaklar aşağı bakacak şekilde TO-92 kılıfının düz yüzeyine bakıldığında onsemi 2N3906 bacak dizilimi 1. Bacak = Emitör, 2. Bacak = Beyz, 3. Bacak = Kollektör (E-B-C, Case 29-11, Style 1) şeklindedir. Diğer küçük sinyal TO-92 transistörler farklı dizilimler kullanabilir (C-B-E veya E-C-B gibi). Bacakların karıştırılması devrenin hatalı çalışmasına neden olabilir; polarma koşullarına bağlı olarak farklı kazanç ve gerilim sınırlarıyla ters aktif çalışma oluşabilir.

Önlem

Lehimleme veya devre tahtası kurumu öncesinde bacak dizilimini daima üretici veri sayfasından (onsemi 2N3906/D Style 1) ve PCB baskısından doğrulayın. Farklı parça numaraları veya üreticiler arasındaki TO-92 transistörlerin birbirinin yerine doğrudan geçebilen bacak dizilimine sahip olduğunu asla varsaymayın.

Uyarı

PNP Beyz Sürme ve Yüksek Taraf Seviye Kaydırma Gereksinimleri

PNP transistörün ileri aktif ve doyum bölgelerinde çalışması için beyz potansiyeli emitörün altında olmalıdır (VBE = VB - VE < 0). onsemi veri sayfası kollektör–emitör doyum gerilimi büyüklüklerini (|VCE(sat)| <= 0.25V, IC = 10mA, IB = 1.0mA’da; ve <= 0.4V, IC = 50mA, IB = 5.0mA’da) zorlanmış beta IC / IB = 10 ile darbe test koşullarında belirtir (tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%, TA = 25°C). Aktif bölge hFE değeri tek başına bu doyum sınırlarını garanti etmez. Yetersiz beyz sürüşü daha yüksek kollektör–emitör gerilimi ve güç kaybı bırakabilir; gerçek çalışma bölgesi yüke ve sürüşe bağlıdır. Ayrıca kontrol mantığından yüksek bir pozitif hattan yüksek taraf anahtarlamasında beyzin doğrudan mantık çıkışına bağlanması, sürücünün üst koruma yapısını daha düşük mantık beslemesine doğru ileri polarabilir.

Önlem

Beyz sürüşünü yük akımına, anahtarlama hızına ve gereken doyum gerilimine göre, veri sayfasındaki ilgili koşullu sınırları kullanarak boyutlandırın; tipik eğriler evrensel garantili sınırlar oluşturmaz. Sürücünün kendi gerilim ve akım sınırları içinde açılışta gereken beyz akımını çekebildiğini ve kapanışta depolanan beyz yükünü uzaklaştırabildiğini doğrulayın. Mantık seviyesinden yüksek bir pozitif hattı anahtarlarken (örneğin 3.3V veya 5V mantık ile 12V besleme), sürücünün kapalı durum gerilim sınırlarını kontrol edin ve tam kesim için uygun değerlerde bir seviye kaydırıcı kullanın (pozitif hatta bağlı beyz–emitör yukarı çekme dirençli NPN veya açık savak katı gibi).

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

Yarı iletken üreticisi veri sayfaları, hata bültenleri (errata) ve uygulama notları.

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

Veri sayfasıyla uyuşmayan bir pin, kılıf veya parametre mi buldunuz? Bildirin.

GitHub'da bu sayfanın önceden doldurulduğu herkese açık bir form açar; ücretsiz bir GitHub hesabı gerekir. Bildirimler ve onaylar nasıl işler

İlgili bileşenler