| Kollektör-Emetör Kırılma Gerilimi V(BR)CEO(V(BR)CEO) | 40 | — | — | V | IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| Kollektör-Beyz Kırılma Gerilimi V(BR)CBO(V(BR)CBO) | 40 | — | — | V | IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C |
| Emetör-Beyz Kırılma Gerilimi V(BR)EBO(V(BR)EBO) | 5 | — | — | V | IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C |
| Sürekli Kollektör Akımı(IC_max) | — | — | 200 | mA | Sürekli sınır değer (eşzamanlı PD ve TJ sınırları geçerlidir) |
| DC Akım Kazancı hFE (10mA)(hFE_10mA) | 100 | — | 300 | ratio | IC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| DC Akım Kazancı hFE (1mA)(hFE_1mA) | 80 | — | — | ratio | IC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| DC Akım Kazancı hFE (50mA)(hFE_50mA) | 60 | — | — | ratio | IC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi |VCE(sat)| (10mA)(VCE_sat_10mA) | — | — | 0.25 | V | IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi |VCE(sat)| (50mA)(VCE_sat_50mA) | — | — | 0.4 | V | IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| Beyz-Emetör Doyum Gerilimi |VBE(sat)| (10mA)(VBE_sat_10mA) | 0.65 | — | 0.85 | V | IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| Beyz-Emetör Doyum Gerilimi |VBE(sat)| (50mA)(VBE_sat_50mA) | — | — | 0.95 | V | IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%) |
| Akım Kazancı Bant Genişliği Çarpımı(fT) | 250 | — | — | MHz | IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C |
| Kollektör Çıkış Kapasitansı(Cobo) | — | — | 4.5 | pF | VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C |
| Emetör Giriş Kapasitansı(Cibo) | — | — | 10 | pF | VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C |
| Gürültü Faktörü(NF) | — | — | 4 | dB | IC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C |
| Mutlak Maksimum Kollektör–Emitör Gerilimi (Büyüklük)(VCEO) | — | — | 40 | V | Maksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen ölçüm koşullarındaki V(BR)CEO minimumundan farklı bir zorlanma büyüklüğüdür. |
| Mutlak Maksimum Ters Emitör–Beyz Gerilimi (Büyüklük)(VEBO) | — | — | 5 | V | Maksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen ölçüm koşullarındaki V(BR)EBO minimumundan farklı ters emitör–beyz zorlanma büyüklüğüdür. |
| Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı(TJ) | -55 | — | 150 | °C | Çalışma jonksiyon sıcaklığı, Maksimum Sınırlar, s. 1; ortam çalışma sıcaklığı aralığı değildir. |