Bipolar TransistörlerÜretimden kaldırıldı

2N3904

Üretici: onsemi

Değerlerin alındığı veri sayfası: onsemi 2N3903/D, revizyon Rev. 9, Ağustos 2021

TO-92 kılıfında E-B-C bacak dizilimine ve 40V VCEO ile 200mA IC mutlak maksimum sınırlarına sahip genel amaçlı küçük sinyal NPN silikon bipolar jonksiyon transistörü.

KılıflarTO-92
Resmi Datasheet (PDF)

Teknik İnceleme

01

Teknik İnceleme

onsemi 2N3904, delik içi montajlı TO-92 kılıfında (Case 29, Style 1) küçük sinyal NPN silikon bipolar transistördür; 1–2–3 numaralı bacaklar emitör–taban–kollektör olarak atanmıştır. Bilgi formu (2N3903/D, Ağustos 2021, Rev. 9), mutlak maksimum VCEO = 40 V, sürekli IC = 200 mA ve TA = 25°C’de PD = 625 mW sınırlarını verir; 25°C üzerinde güç sınırı 5.0 mW/°C azaltılır. Bu zorlanma sınırları koşulsuz çalışma kapasitesi değildir; jonksiyon sıcaklığı ve gerçek ısıl koşullarla birlikte gözetilmelidir. TJ = −55 ila +150°C, ortam çalışma sıcaklığı değil jonksiyon sıcaklığı aralığıdır. Verilen 200°C/W jonksiyon–ortam ve 83.3°C/W jonksiyon–kılıf termal dirençleri maksimum değerlerdir. Ayrı olarak, ölçülen V(BR)CEO kırılma gerilimi IC = 1.0 mA ve IB = 0 koşulunda en az 40 V’dir. TA = 25°C’de hFE, IC = 10 mA ve VCE = 1.0 V için 100–300 olarak, VCE(sat) ise IC = 10 mA ve IB = 1.0 mA için en fazla 0.2 V olarak belirtilir; bu kırılma, kazanç ve doyum satırlarına ilgili darbe testi koşulları uygulanır: darbe genişliği ≤300 µs ve görev döngüsü ≤2%. Akım kazancı–bant genişliği çarpımı fT, IC = 10 mA, VCE = 20 V ve ölçüm frekansı f = 100 MHz koşullarında en az 300 MHz’dir (TA = 25°C). Kazanç ve doyum sınırlarını akımdan, sıcaklıktan veya taban sürüşünden bağımsız saymak yerine koşulları belirtilmiş parametre satırlarına bakın.

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

TO-92-3 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.

İnteraktif pin dizilim şemasıÖn

2N3904: TO-92 paket gösterimiTO-92 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.1: E2: B3: C

Paket çizimi, ölçülendirilmiş mekanik çizim değildir.

3 / 3 pin
#Pin adıTür5V toleranslıAlternatif işlevler / ayrıntılar
Epassive—
Emitör ucu (pim 1, düz yüzey öne ve bacaklar aşağıya bakarken sol bacak)
Binput onlyHayır
Taban kontrol ucu (pim 2, orta pim; harici taban akımı sınırlama direnci gerektirir)
Cpassive—
Kollektör ucu (pim 3, düz yüzey öne ve bacaklar aşağıya bakarken sağ bacak)

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

ParametreMin.TipikMaks.BirimTest koşulu
Kollektör-Emitör Kırılma Gerilimi(V(BR)CEO)40——VIC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Kollektör-Taban Kırılma Gerilimi(V(BR)CBO)60——VIC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C
Emitör-Taban Kırılma Gerilimi(V(BR)EBO)6——VIE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C
Sürekli Kollektör Akımı(IC)——200mAMutlak maksimum sürekli kollektör akımı (Maksimum Sınırlar, s. 1); güç kaybı ve jonksiyon sıcaklığı sınırlarını aynı anda gözetin.
10mA'de DC Akım Kazancı hFE(hFE_10mA)100—300ratioIC = 10 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
1mA'de DC Akım Kazancı hFE(hFE_1mA)70——ratioIC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
50mA'de DC Akım Kazancı hFE(hFE_50mA)60——ratioIC = 50 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
10mA'de Kollektör-Emitör Doyum Gerilimi(VCE_sat_10mA)——0.2VIC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
50mA'de Kollektör-Emitör Doyum Gerilimi(VCE_sat_50mA)——0.3VIC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Taban-Emitör Doyum Gerilimi(VBE_sat)0.65—0.85VIC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2.0%)
Akım Kazancı Bant Genişliği Çarpımı(fT)300——MHzIC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C
Kollektör Çıkış Kapasitansı(Cobo)——4pFVCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C
Emitör Giriş Kapasitansı(Cibo)——8pFVEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C
Gürültü Faktörü(NF)——5dBIC = 100 µA, VCE = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C
Mutlak Maksimum Kollektör–Emitör Gerilimi(VCEO)——40VMaksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen test koşullarında ölçülen V(BR)CEO minimumundan farklı bir zorlanma sınırıdır.
Mutlak Maksimum Emitör–Taban Gerilimi(VEBO)——6VMaksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen test koşullarında ölçülen V(BR)EBO minimumundan farklı bir ters emitör–taban zorlanma sınırıdır.
Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı(TJ)-55—150°CÇalışma jonksiyon sıcaklığı, Maksimum Sınırlar, s. 1; ortam çalışma sıcaklığı sınırı değildir.

Mutlak Maksimum Değerler

Depolama sıcaklığı-55 – 150 °C
Termal direnç θJA (TO-92)200 °C/W
Termal direnç θJC (TO-92)83.3 °C/W

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Üretimden önce bilinmesi gereken gerçek donanım uyarıları, PCB yerleşim kısıtları ve silikon hataları.

Kritik

TO-92 Emitör–Taban–Kollektör Bacak Dizilimini Kesin Parçaya Göre Doğrulayın

onsemi TO-92 kılıfının düz yüzeyi gözlemciye ve bacakları aşağıya bakarken 1–2–3 numaralı bacaklar emitör–taban–kollektördür (E-B-C). Farklı parça numaraları veya üreticiler farklı bacak düzenleri kullanabilir. Emitör ile kollektörün yer değiştirmesi devrenin yanlış çalışmasına neden olabilir; polarma koşullarına bağlı olarak farklı kazanç ve gerilim sınırlarıyla ters aktif çalışma oluşabilir. Başka bir transistörün aynı dizilimi kullandığını varsaymak yerine kesin parçayı ve kılıf çizimini doğrulayın.

Önlem

Montaj öncesinde fiziksel bacak düzenini her zaman üretici bilgi formu ve baskı devre serigrafisi ile doğrulayın. Emitör, taban ve kollektörün devre şemasındaki bağlantılarla tam olarak eşleştiğinden emin olun.

Kritik

Çapraz Bağlı Kararsız Multivibratörlerde Ters Emitör–Taban Zorlanması

Bilgi formunda VEBO = 6.0 V, mutlak maksimum ters emitör–taban gerilimi olarak verilir (s. 1). Ayrı olarak V(BR)EBO, IE = 10 µA, IC = 0 ve TA = 25°C koşullarında en az 6.0 V olarak belirtilir (s. 2); kırılma testi önerilen çalışma koşulu değildir. Emitörleri topraklanmış çapraz bağlı kararsız multivibratörde, düşen kollektör gerilimi karşı tabanı kapasitif olarak negatif gerilime çekebilir. Kondansatör geriliminin değişmediği ideal anlık geçiş için VB(after) = VB(before) + VC(after) − VC(before) olur. Dolayısıyla adımdan sonraki taban gerilimi, anahtarlama öncesi taban gerilimini içerir; tek başına kollektör adımı son ters VBE değildir. Gerçek kollektör seviyeleri yük gerilim düşümlerine, transistör sürüşüne ve devre durumuna bağlıdır. Belirli devredeki en kötü ters VBE’yi mutlak VEBO sınırıyla karşılaştırın; bu bilgi formundan evrensel bir 5–6 V besleme eşiği çıkarılamaz. Aşırı ters zorlanma kırılmaya, kazanç bozulmasına veya zamanlama değişimine yol açabilir.

Önlem

Gerçek devre analizi aşırı ters zorlanma gösterdiğinde ters paralel taban–emitör kenetleme diyotunu (katot tabana, anot emitöre/toprağa) veya başka bir topolojiyi değerlendirin. Ortaya çıkan devrede kenetleme akımını, zamanlama yollarını, başlangıcı ve bileşen gerilim sınırlarını kontrol edin. Kenetleme veya seri taban diyotu düzeni doğrulama gerektiren bir tasarım değişikliğidir; otomatik olarak doğrulanmış doğrudan değiştirme çözümü değildir.

Uyarı

Aktif Kazanca Karşı Doyum İçin BJT Taban Akımı Gereksinimi

Aktif bölgedeki hFE, tabloda verilen VCE(sat) sınırlarını garanti etmez. onsemi doyum testleri zorlanmış beta IC / IB = 10 kullanır: IC = 10 mA ve IB = 1.0 mA için VCE(sat) ≤0.2 V, IC = 50 mA ve IB = 5.0 mA için VCE(sat) ≤0.3 V olur; TA = 25°C, darbe genişliği ≤300 µs ve görev döngüsü ≤2% koşullarında. Bu sınırlar belirtilen test koşullarına aittir. Taban akımını yalnızca aktif bölge hFE değerinden seçmek, amaçlanan yük için yetersiz sürüş sağlayabilir ve daha yüksek kollektör–emitör gerilimi ile daha fazla güç kaybına neden olabilir; gerçek çalışma bölgesi devrenin yük doğrusuna ve sürüşe bağlıdır.

Önlem

Taban sürüşünü gerçek kollektör yüküne göre boyutlandırın ve ilgili doyum, gerilim, sıcaklık ve darbe koşullarını doğrulayın. Tablodaki testler IC / IB = 10 kullanır; evrensel, garantili bir 10–20 zorlanmış beta aralığı oluşturmaz. Sürücünün gerekli taban akımını sağlayıp kapanma sırasında tabanda depolanan yükü uzaklaştırabildiğini, kendi gerilim ve akım sınırları içinde kontrol edin. Uygun taban sürüşü yoksa yalnızca lojik seviye etiketine güvenmek yerine MOSFET veya tamponu gerçek devre gereksinimlerine göre değerlendirin.

Örnek Uygulama Devreleri

ESP32 Otomatik Reset ve Önyükleme Devresi (DTR/RTS)

Topoloji: Q1 ve Q2: EN ve IO0’ı düşük seviyeye çeken çapraz bağlı NPN anahtarlar

Şemayı inceleWeb CAD Düzenleyicide Aç

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

Yarı iletken üreticisi veri sayfaları, hata bültenleri (errata) ve uygulama notları.

DATASHEETonsemi

2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

Veri sayfasıyla uyuşmayan bir pin, kılıf veya parametre mi buldunuz? Bildirin.

Sorun bildir

GitHub'da bu sayfanın önceden doldurulduğu herkese açık bir form açar; ücretsiz bir GitHub hesabı gerekir. Bildirimler ve onaylar nasıl işler

İlgili bileşenler

onsemi

2N3906

E-B-C bacak dizilimine sahip TO-92 kılıfında, 40V VCEO ve 200mA IC mutlak maksimum değerlerine sahip genel amaçlı küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörü.

Central Semiconductor

2N2222A

Central Semiconductor 2N2222A NPN anahtarlama transistörü, TO-18; mutlak sınırlar: VCEO 40 V ve TA = 25°C koşulunda sürekli IC 800 mA.

onsemi

2N7000

onsemi 2N7000 N-kanallı MOSFET, TO-92 (CASE 135AN), S-G-D bacak dizilimi; mutlak sınırlar: VDSS 60 V ve TC = 25°C koşulunda sürekli ID 200 mA.

onsemi

BSS138

onsemi BSS138: SOT-23 (CASE 318-08) kılıfta lojik seviye N-kanal MOSFET, G-S-D pin dizilimi; 50 V mutlak VDSS sınırı ve TA = 25°C ortamda 220 mA sürekli ID akım limiti.