Transistores BipolaresEm produção

2N2222A

Fabricante: Central Semiconductor

Dados retirados do datasheet: Central Semiconductor, revisão R5, 5 de dezembro de 2013

Transistor NPN de comutação Central Semiconductor 2N2222A em TO-18; limites absolutos: VCEO de 40 V e IC contínua de 800 mA a TA = 25°C.

EncapsulamentosTO-18
Datasheet Oficial (PDF)

Visão Geral Técnica

01

Visão Geral Técnica

Esta página cobre apenas Central Semiconductor 2N2222A em TO-18 segundo a folha de dados 2N2221A.PDF, R5 (5 de dezembro de 2013). As características elétricas se aplicam a TA = 25°C, salvo indicação contrária, e apenas nas condições completas de ensaio. Máximos absolutos são limites de esforço, não condições recomendadas. No desenho do fabricante E1 fica à esquerda, B2 acima do centro, C3 à direita e a aba embaixo à esquerda; isso descreve a orientação do desenho sem afirmar uma vista superior ou inferior confirmada separadamente. A linha exata do catálogo consta como Active; o aviso anexo PDN01195 abrange outros tipos listados. Não transfira essas especificações para outros fabricantes ou variantes plásticas.

Pinagem do Encapsulamento e Funções Alternativas

Pinagem interativa e funções dos pinos do encapsulamento TO-18-3.

Diagrama de pinagem interativoDiagrama de terminais do fabricante

2N2222A: ilustração do encapsulamento TO-18Diagrama de terminais do fabricante1: E2: B3: C

Ilustração do encapsulamento, não um desenho mecânico cotado.

3 / 3 pinos
#Nome do pinoTipoTolerante a 5VFunções alternativas / detalhes
Epassive—
Emissor, terminal 1: à esquerda no desenho do fabricante, o mais próximo da aba inferior esquerda. Preserve a orientação do desenho.
Bpassive—
Base, terminal 2: acima do centro no desenho do fabricante, a 90° de cada terminal 1 e 3.
Cpassive—
Coletor, terminal 3: à direita no desenho do fabricante. O desenho citado não confirma conexão elétrica interna à carcaça metálica.

Especificações Principais

Atributos paramétricos

ParâmetroMín.TípicoMáx.UnidadeCondição de teste
Tensão de ruptura coletor-base(BVCBO)75——VIC = 10 µA, TA = 25°C
Tensão de ruptura coletor-emissor(BVCEO)40——VIC = 10 mA, TA = 25°C
Tensão de ruptura emissor-base(BVEBO)6——VIE = 10 µA, TA = 25°C
Corrente de corte de coletor(ICBO)——10nAVCB = 60 V, TA = 25°C
Corrente de corte de emissor(IEBO)——10nAVEB = 3.0 V, TA = 25°C
Tensão de saturação coletor-emissor a 150 mA(VCE_sat_150)——0.3VIC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Tensão de saturação coletor-emissor a 500 mA(VCE_sat_500)——1VIC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Tensão de saturação base-emissor a 150 mA(VBE_sat_150)0.6—1.2VIC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Tensão de saturação base-emissor a 500 mA(VBE_sat_500)——2VIC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Ganho de corrente contínua a 150 mA(hFE_150)100—300ratioVCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C
Ganho de corrente contínua a 500 mA(hFE_500)40——ratioVCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C
Produto ganho-largura de banda(fT)300——MHzVCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C
Capacitância de saída(Cob)——8pFVCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Capacitância de entrada(Cib)——25pFVEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Tempo de atraso(td)——10nsVCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Tempo de subida(tr)——25nsVCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Tempo de armazenamento(ts)——225nsVCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Tempo de descida(tf)——60nsVCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Limite absoluto de tensão coletor-base(VCBO_abs)——75VTA = 25°C
Limite absoluto de tensão coletor-emissor(VCEO_abs)——40VTA = 25°C
Limite absoluto de tensão reversa emissor-base(VEBO_abs)——6VTA = 25°C
Limite absoluto de corrente contínua de coletor(IC_abs)——800mATA = 25°C
Limite absoluto de dissipação à temperatura ambiente(PD_TA_abs)——500mWTA = 25°C
Limite absoluto de dissipação à temperatura de carcaça(PD_TC_abs)——1.8WTC = 25°C
Limites absolutos de temperatura de junção em operação(TJ_abs)-65—200°CLimites de esforço de temperatura de junção, não uma faixa de temperatura ambiente de operação

Valores Máximos Absolutos

Temperatura de armazenamento-65 – 200 °C
Resistência térmica θJA (TO-18)350 °C/W
Resistência térmica θJC (TO-18)97 °C/W

Gotchas e Cuidados de Engenharia

Ressalvas reais de hardware, restrições de layout de PCB e erratas do silício a conhecer antes de fabricar.

Crítico

Corrente máxima absoluta de coletor (800 mA) versus dissipação térmica ao ar livre no TO-18

IC = 800 mA é um limite absoluto, não uma corrente de operação termicamente segura. Com IC = 500 mA e IB = 50 mA, os dois máximos de tensão dão um limite conservador das perdas de condução P = IC·VCE + IB·VBE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, acima de 500 mW a TA = 25°C antes das perdas de comutação. Isso não é uma dissipação medida nem afirma a ocorrência simultânea dos dois máximos.

Mitigação

Estime a dissipação média e confira o caminho térmico real com margem: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA ao ar livre ou TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC com temperatura de carcaça controlada e considerando o caminho térmico externo. O limite de 1,8 W exige TC = 25°C, não apenas um dissipador instalado. Não existe limiar universal de corrente para instalar um dissipador.

Crítico

Baixa tensão de ruptura reversa emissor-base (6,0 V) em multivibradores e circuitos indutivos

O limite absoluto VEBO = 6,0 V e a característica separada de ruptura mínima BVEBO ≥ 6,0 V com IE = 10 µA são especificações diferentes. Um ensaio de ruptura não autoriza avalanche repetitiva; a folha de dados não fornece essa capacidade. Os transientes capacitivos da base devem permanecer dentro do limite de tensão reversa.

Mitigação

Confira a forma de onda real emissor-base na partida e na comutação. O diodo limitador reverso de um NPN tem ânodo em E e cátodo em B; confira corrente de pulso, queda direta, tolerâncias e mudanças na temporização. A indicação de alimentação não comprova proteção; um diodo em série com a base não é um limitador equivalente.

Aviso

Requisitos de corrente de base para saturação profunda e atrasos de armazenamento

VCE(SAT) é caracterizado com IC = 150 mA, IB = 15 mA e com IC = 500 mA, IB = 50 mA. Esses pontos IC/IB = 10 não são uma regra universal de acionamento. Corrente de base insuficiente pode aumentar VCE e perdas conforme a carga. O limite ts ≤ 225 ns se aplica apenas com VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA e TA = 25°C, não a condições PWM arbitrárias.

Mitigação

Selecione o acionamento de base para a corrente, tensão e temperatura previstas nas condições de caracterização aplicáveis. Confira a capacidade do driver de fornecer e absorver corrente e suas tensões de saída garantidas; o ponto de ensaio de corrente de base de 50 mA pode superar o limite de um GPIO. O desligamento e qualquer circuito de controle de carga exigem verificação própria do circuito.

Circuitos de Aplicação

Driver de relé com BJT NPN 2N2222 / 2N2222A e diodo flyback 1N4007

Topologia: Chave saturada de lado baixo em emissor comum com transistor NPN, resistor limitador de base, resistor de sangria pull-down de 10 kΩ, diodo flyback antiparalelo 1N4007 e desacoplamento do barramento CC.

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Documentação Oficial e Datasheets Citados

Datasheets primários de fabricantes de semicondutores, erratas e notas de aplicação.

DATASHEETCentral Semiconductor

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

DATASHEETCentral Semiconductor

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

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