Diodos e RetificadoresEm produção

1N4148

Fabricante: Vishay

Dados retirados do datasheet: Vishay Semiconductors 81857, revisão 1.6, 7 de novembro de 2024

Diodo de chaveamento axial Vishay 1N4148 em DO-35. Faixa preta do cátodo, limite de tensão reversa contínua de 75 V e recuperação reversa máxima de 4 ns nas condições de ensaio especificadas.

EncapsulamentosDO-35

Visão Geral Técnica

01

Visão Geral Técnica

Esta referência cobre Vishay 1N4148, códigos de pedido 1N4148-TAP e 1N4148TR, usando a folha de dados 81857 Rev. 1.6 (07-Nov-2024). É um diodo de chaveamento epitaxial planar de silício em encapsulamento axial DO-35 (DO-204AH). A faixa preta identifica o cátodo; o CircuitBase numera o cátodo K como terminal 1 e o ânodo A como terminal 2 neste catálogo. São terminais passivos, não entradas GPIO com especificação de tolerância lógica a 5 V.

Diferencie o limite absoluto de tensão reversa contínua de 75 V do limite absoluto de tensão reversa de pico repetitiva de 100 V. A tensão de ruptura é especificada separadamente com mínimo de 100 V a IR = 100 µA, tp/T = 0.01 e tp = 0.3 ms. Os limites absolutos não são pontos de operação recomendados.

A TA = 25°C, a queda direta máxima é 1 V com IF = 10 mA. A capacitância máxima é 4 pF com VR = 0 V, f = 1 MHz e VHF = 50 mV. A recuperação reversa é no máximo 4 ns com IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 × IR e RL = 100 Ω; o ensaio separado de 8 ns usa IF = IR = 10 mA e iR = 1 mA. Nenhum desses tempos é uma garantia incondicional de chaveamento.

A dissipação é especificada em 500 mW com l = 4 mm e TL <= 25°C, ou 440 mW com l = 4 mm e TL = 45°C. RthJA = 350 °C/W exige l = 4 mm e TL constante. O limite de temperatura de junção é 175°C; o armazenamento vai de -65 a +150°C. Avalie as condições elétricas e térmicas reais sem tratar um limite do encapsulamento como corrente garantida do circuito.

Pinagem do Encapsulamento e Funções Alternativas

Pinagem interativa e funções dos pinos do encapsulamento DO-35-2.

Diagrama de pinagem interativoSuperior

1N4148: ilustração do encapsulamento DO-35Pinagem interativa e funções dos pinos do encapsulamento DO-35.1: K2: A

Ilustração do encapsulamento, não um desenho mecânico cotado.

2 / 2 pinos
#Nome do pinoTipoTolerante a 5VFunções alternativas / detalhes
Kpassive—
Cátodo K, identificado pela faixa preta no corpo. O terminal 1 segue a convenção de numeração do catálogo CircuitBase; é um terminal passivo do diodo.
Apassive—
Ânodo A, oposto à faixa preta do cátodo. O terminal 2 segue a convenção de numeração do catálogo CircuitBase; a corrente convencional direta flui de A para K.

Especificações Principais

Atributos paramétricos

ParâmetroMín.TípicoMáx.UnidadeCondição de teste
Tensão reversa de pico repetitiva(V_RRM)——100VTA = 25°C
Tensão reversa contínua(V_R)——75VTA = 25°C
Tensão de ruptura(V_BR)100——VIR = 100 µA, tp/T = 0.01, tp = 0.3 ms, TA = 25°C
Corrente direta contínua(I_F)——300mATA = 25°C
Corrente direta média(I_F_AV)——150mAVR = 0, TA = 25°C
Corrente direta de pico repetitiva(I_FRM)——500mATA = 25°C
Corrente de surto direta não repetitiva (1 µs)(I_FSM_1us)——2Atp = 1 µs, TA = 25°C
Dissipação de potência máxima(P_tot)——500mWl = 4 mm, TL <= 25°C
Queda de tensão direta(V_F)——1VIF = 10 mA, TA = 25°C
Corrente de fuga reversa(I_R)——0.025µAVR = 20 V, TA = 25°C
Tempo de recuperação reversa (teste de 4 ns)(t_rr_4ns)——4nsIF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Ω, TA = 25°C
Tempo de recuperação reversa (teste de 8 ns)(t_rr_8ns)——8nsIF = IR = 10 mA, iR = 1 mA, TA = 25°C
Capacitância do diodo(C_D)——4pFVR = 0 V, f = 1 MHz, VHF = 50 mV, TA = 25°C

Valores Máximos Absolutos

Temperatura de junção≤ 175 °C
Temperatura de armazenamento-65 – 150 °C
Resistência térmica θJA (DO-35)350 °C/W

Gotchas e Cuidados de Engenharia

Ressalvas reais de hardware, restrições de layout de PCB e erratas do silício a conhecer antes de fabricar.

Crítico

Os limites de corrente e potência exigem suas condições especificadas

A TA = 25°C, os limites absolutos são IF = 300 mA contínuos, IF(AV) = 150 mA com VR = 0 e IFRM = 500 mA de pico repetitivo. Eles descrevem condições diferentes. Ptot = 500 mW exige l = 4 mm e TL <= 25°C; Ptot = 440 mW é especificado a TL = 45°C com o mesmo comprimento de terminais. RthJA = 350 °C/W pressupõe l = 4 mm e TL constante.

Mitigação

Compare a forma de onda real, a dissipação, a temperatura dos terminais e o projeto térmico com os limites aplicáveis. Mantenha a temperatura de junção dentro do limite absoluto de 175°C; não deduza uma corrente garantida do circuito a partir de um único limite de corrente ou potência.

Aviso

A tensão reversa contínua não é o limite de pico repetitivo

A folha de dados especifica VR = 75 V e VRRM = 100 V como limites absolutos distintos. A tensão mínima de ruptura de 100 V, ensaiada separadamente, não torna 100 V uma recomendação de tensão contínua de operação. A faixa preta do corpo marca K; os números de terminal do catálogo são uma convenção de apresentação.

Mitigação

Identifique a faixa do cátodo e compare a forma de onda reversa real com os limites contínuo e de pico repetitivo apropriados. Esses terminais passivos não possuem especificação de tolerância a 5 V do tipo GPIO.

Aviso

O limite de corrente de surto de 2 A corresponde a um pulso de 1 µs

Vishay 81857 Rev. 1.6 especifica IFSM = 2 A com tp = 1 µs e TA = 25°C. Não especifica um limite de corrente de surto de 1 A durante 1 s. Esse limite absoluto de pulso curto não permite corrente contínua nem repetitiva.

Mitigação

Avalie o pulso pretendido e as condições térmicas com os dados aplicáveis do fabricante. Não extrapole o limite de 1 µs para um pulso mais longo permitido, uma frequência de repetição ou uma capacidade de absorção de energia no grampeamento.

Equivalentes e Referência Cruzada

Número de peça (MPN)FabricanteCompatibilidadeDiferenças elétricas / considerações de BOM
1N914Vishaypin to pin drop inVishay 81857 cita explicitamente 1N914 como diodo eletricamente equivalente. Verifique a peça e o encapsulamento do fabricante selecionados para a aplicação pretendida; a afirmação não estabelece geometria de silício idêntica nem todas as condições de ensaio.

Documentação Oficial e Datasheets Citados

Datasheets primários de fabricantes de semicondutores, erratas e notas de aplicação.

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