Fabricante: onsemi
Dados retirados do datasheet: onsemi 2N3906/D, revisão Rev. 4, fevereiro de 2010
Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.
O 2N3906 é um clássico transistor de junção bipolar (BJT) PNP de silício para pequenos sinais fabricado pela onsemi (número de publicação 2N3906/D, rev. 4, fevereiro de 2010). Acondicionado no encapsulamento through-hole TO-92 (Case 29-11, Issue AM, Style 1) com pinagem E-B-C, atua como o par complementar direto do NPN 2N3904.
Em operação direta ativa convencional de um PNP, as tensões de base e de coletor são negativas em relação ao emissor (VBE < 0, VCE < 0). As tabelas do datasheet apresentam magnitudes positivas (|VCE|, |VBE|, |V(BR)|).
TA = 25°C)VCEO): 40 VVCBO): 40 VVEBO): 5,0 VIC): 200 mAPD): 625 mW a TA = 25°C (com redução de 5,0 mW/°C acima de 25°C); especificação explícita de 250 mW a TA = 60°C; 1,5 W a TC = 25°C (redução de 12 mW/°C)TJ): -55°C a +150°CθJA = 200°C/W junção–ambiente e θJC = 83,3°C/W junção–encapsulamento (máximos da folha de dados)TA = 25°C)V(BR)CEO ≥ 40 V (IC = 1,0 mA), V(BR)CBO ≥ 40 V (IC = 10 µA), V(BR)EBO ≥ 5,0 V (IE = 10 µA)hFE): 100 a 300 com IC = 10 mA e |VCE| = 1,0 V|VCE(sat)|): ≤ 0,25 V com IC = 10 mA e IB = 1,0 mAfT): ≥ 250 MHz com IC = 10 mA, |VCE| = 20 V e f = 100 MHzPinagem interativa e funções dos pinos do encapsulamento TO-92-3.
Ilustração do encapsulamento, não um desenho mecânico cotado.
| # | Nome do pino | Tipo | Tolerante a 5V | Funções alternativas / detalhes |
|---|---|---|---|---|
| E | passive | — | Terminal de emissor (pino 1, terminal esquerdo com a face plana para a frente e terminais voltados para baixo) | |
| B | input only | Não | Terminal de controle de base (pino 2, terminal central; requer resistor limitador de corrente de base externo) | |
| C | passive | — | Terminal de coletor (pino 3, terminal direito com a face plana para a frente e terminais voltados para baixo) |
| Parâmetro | Mín. | Típico | Máx. | Unidade | Condição de teste |
|---|---|---|---|---|---|
| Tensão de ruptura coletor-emissor V(BR)CEO(V(BR)CEO) | 40 | — | — | V | IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Tensão de ruptura coletor-base V(BR)CBO(V(BR)CBO) | 40 | — | — | V | IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C |
| Tensão de ruptura emissor-base V(BR)EBO(V(BR)EBO) | 5 | — | — | V | IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C |
| Corrente contínua de coletor(IC_max) | — | — | 200 | mA | Regime contínuo máximo (aplicam-se limites simultâneos de PD e TJ) |
| Ganho de corrente contínua hFE a 10mA(hFE_10mA) | 100 | — | 300 | ratio | IC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Ganho de corrente contínua hFE a 1mA(hFE_1mA) | 80 | — | — | ratio | IC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Ganho de corrente contínua hFE a 50mA(hFE_50mA) | 60 | — | — | ratio | IC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Tensão de saturação coletor-emissor |VCE(sat)| a 10mA(VCE_sat_10mA) | — | — | 0.25 | V | IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Tensão de saturação coletor-emissor |VCE(sat)| a 50mA(VCE_sat_50mA) | — | — | 0.4 | V | IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Tensão de saturação base-emissor |VBE(sat)| a 10mA(VBE_sat_10mA) | 0.65 | — | 0.85 | V | IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Tensão de saturação base-emissor |VBE(sat)| a 50mA(VBE_sat_50mA) | — | — | 0.95 | V | IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%) |
| Produto ganho-largura de banda(fT) | 250 | — | — | MHz | IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C |
| Capacitância de saída do coletor(Cobo) | — | — | 4.5 | pF | VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C |
| Capacitância de entrada do emissor(Cibo) | — | — | 10 | pF | VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C |
| Figura de ruído(NF) | — | — | 4 | dB | IC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C |
| Tensão coletor–emissor máxima absoluta (magnitude)(VCEO) | — | — | 40 | V | Valores máximos, p. 1; magnitude de estresse distinta do mínimo V(BR)CEO sob suas condições de medição. |
| Tensão reversa emissor–base máxima absoluta (magnitude)(VEBO) | — | — | 5 | V | Valores máximos, p. 1; magnitude de estresse reverso emissor–base distinta do mínimo V(BR)EBO sob suas condições de medição. |
| Faixa de temperatura da junção(TJ) | -55 | — | 150 | °C | Temperatura da junção em operação, valores máximos, p. 1; não é uma faixa de temperatura ambiente de operação. |
| Temperatura de armazenamento | -55 – 150 °C |
| Resistência térmica θJA (TO-92) | 200 °C/W |
| Resistência térmica θJC (TO-92) | 83.3 °C/W |
Ressalvas reais de hardware, restrições de layout de PCB e erratas do silício a conhecer antes de fabricar.
VEBO = 5.0V)A junção base–emissor tem tensão reversa máxima absoluta VEBO = 5.0V. Separadamente, a tensão de ruptura medida V(BR)EBO é de pelo menos 5.0V a IE = 10 µA, IC = 0 e TA = 25°C; esse ensaio de ruptura não é uma condição recomendada de operação. Em multivibradores astáveis de acoplamento cruzado ou circuitos de chaveamento capacitivo, transientes podem polarizar reversamente a junção base–emissor (tornando a base positiva em relação ao emissor, VBE = VB - VE > 0). Ultrapassar o limite de estresse reverso pode danificar o dispositivo ou afetar sua confiabilidade.
Avalie o pico real de tensão reversa VBE durante a operação do circuito. Caso os transitórios reversos possam se aproximar ou exceder 5.0V, instale um diodo de grampeamento antiparalelo na junção base-emissor (como o 1N4148 com anodo na base e catodo no emissor para PNP) ou um diodo de bloqueio em série na base, verificando se a solução de proteção não prejudica a temporização, a partida ou a corrente direta.
Olhando para a face plana do encapsulamento TO-92 com os terminais apontados para baixo, a pinagem do onsemi 2N3906 é Pino 1 = Emissor, Pino 2 = Base, Pino 3 = Coletor (E-B-C, Case 29-11, Style 1). Outros transistores de pequenos sinais em TO-92 utilizam configurações diferentes (como C-B-E ou E-C-B). A inversão dos terminais resulta em funcionamento incorreto e potencial operação no modo ativo reverso com ganho de corrente severamente degradado, tensão de saturação alterada e limites de tensão reduzidos.
Sempre verifique a disposição física exata dos terminais no datasheet do fabricante (onsemi 2N3906/D Style 1) e na serigrafia da placa antes de soldar ou montar. Nunca presuma que transistores em TO-92 compartilhem pinagens intercambiáveis entre diferentes part numbers ou fabricantes.
Para operação ativa direta e saturada de um PNP, a base deve ter potencial inferior ao emissor (VBE = VB - VE < 0). A folha de dados da onsemi caracteriza as magnitudes da tensão de saturação coletor–emissor (|VCE(sat)| <= 0.25V a IC = 10mA, IB = 1.0mA; e <= 0.4V a IC = 50mA, IB = 5.0mA) com ganho forçado IC / IB = 10 sob ensaio pulsado (tp <= 300 µs, ciclo de trabalho <= 2.0%, TA = 25°C). Apenas o hFE da região ativa não garante esses limites de saturação. Acionamento insuficiente da base pode deixar maior tensão coletor–emissor e maior dissipação; a região real depende da carga e do acionamento. Além disso, no chaveamento de lado alto a partir de alimentação superior à lógica de controle, ligar a base diretamente a uma saída lógica pode polarizar diretamente a estrutura de proteção superior dessa saída para a alimentação lógica mais baixa.
Dimensione o acionamento da base conforme a carga, a velocidade de chaveamento e a tensão de saturação requerida, usando os limites condicionados pertinentes da folha de dados; curvas típicas não estabelecem limites universais garantidos. Verifique se o driver consegue drenar a corrente de base necessária ao ligar e remover a carga armazenada da base ao desligar, dentro dos próprios limites de tensão e corrente. Ao chavear alimentação positiva superior ao nível lógico (por exemplo 12V com lógica de 3.3V ou 5V), verifique os limites de tensão do driver em corte e use um deslocador de nível devidamente especificado (como NPN ou estágio de dreno aberto com resistor de pull-up base–emissor referenciado à alimentação positiva) para obter o corte completo.
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