Tranzystory BipolarneW produkcji

2N2222A

Producent: Central Semiconductor

Dane z noty katalogowej: Central Semiconductor, wer. R5, 5 grudnia 2013

Tranzystor przełączający NPN Central Semiconductor 2N2222A w TO-18; absolutne granice VCEO 40 V i ciągłego IC 800 mA przy TA = 25°C.

ObudowyTO-18

Oficjalna Nota Katalogowa (PDF)

Przegląd Techniczny

Strona dotyczy tylko Central Semiconductor 2N2222A w TO-18 według noty 2N2221A.PDF, R5 (5 grudnia 2013 roku). Parametry elektryczne dotyczą TA = 25°C, o ile nie podano inaczej, i wyłącznie pełnych warunków pomiarowych. Wartości graniczne nie są zalecanymi warunkami pracy. Na rysunku producenta E1 jest po lewej, B2 nad środkiem, C3 po prawej, a występ u dołu po lewej; opis dotyczy orientacji rysunku bez twierdzenia o oddzielnie potwierdzonym widoku z góry lub od spodu. Dokładna pozycja katalogowa ma status Active; dołączone PDN01195 dotyczy innych wymienionych typów. Nie przenoś parametrów na inne marki ani odmiany plastikowe.

Rozkład Wyprowadzeń i Funkcje Alternatywne

Interaktywny rozkład pinów i funkcje wyprowadzeń obudowy TO-18-3.

Ilustracja obudowy, a nie zwymiarowany rysunek mechaniczny.

3 / 3 wyprowadzeń

Nazwa pinu	Typ	Tolerancja 5V	Funkcje alternatywne / szczegóły
E	passive	—	Emiter, wyprowadzenie 1: po lewej na rysunku producenta, najbliżej występu u dołu po lewej. Zachowaj orientację rysunku.
B	passive	—	Baza, wyprowadzenie 2: nad środkiem na rysunku producenta, pod kątem 90° do każdego z wyprowadzeń 1 i 3.
C	passive	—	Kolektor, wyprowadzenie 3: po prawej na rysunku producenta. Cytowany rysunek nie potwierdza wewnętrznego połączenia elektrycznego z metalową obudową.

Kluczowe Parametry

Parametry

Parametr	Min.	Typowo	Maks.	Jednostka	Warunki pomiaru
Napięcie przebicia kolektor-baza(BVCBO)	75	—	—	V	IC = 10 µA, TA = 25°C
Napięcie przebicia kolektor-emiter(BVCEO)	40	—	—	V	IC = 10 mA, TA = 25°C
Napięcie przebicia emiter-baza(BVEBO)	6	—	—	V	IE = 10 µA, TA = 25°C
Prąd odcięcia kolektora(ICBO)	—	—	10	nA	VCB = 60 V, TA = 25°C
Prąd odcięcia emitera(IEBO)	—	—	10	nA	VEB = 3.0 V, TA = 25°C
Napięcie nasycenia kolektor-emiter przy 150 mA(VCE_sat_150)	—	—	0.3	V	IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Napięcie nasycenia kolektor-emiter przy 500 mA(VCE_sat_500)	—	—	1	V	IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Napięcie nasycenia baza-emiter przy 150 mA(VBE_sat_150)	0.6	—	1.2	V	IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Napięcie nasycenia baza-emiter przy 500 mA(VBE_sat_500)	—	—	2	V	IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Wzmocnienie prądowe stałoprądowe przy 150 mA(hFE_150)	100	—	300	ratio	VCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C
Wzmocnienie prądowe stałoprądowe przy 500 mA(hFE_500)	40	—	—	ratio	VCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C
Częstotliwość graniczna wzmocnienia prądowego(fT)	300	—	—	MHz	VCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C
Pojemność wyjściowa(Cob)	—	—	8	pF	VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Pojemność wejściowa(Cib)	—	—	25	pF	VEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Czas opóźnienia(td)	—	—	10	ns	VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Czas narastania(tr)	—	—	25	ns	VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Czas magazynowania ładunku(ts)	—	—	225	ns	VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Czas opadania(tf)	—	—	60	ns	VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Graniczne napięcie kolektor-baza(VCBO_abs)	—	—	75	V	TA = 25°C
Graniczne napięcie kolektor-emiter(VCEO_abs)	—	—	40	V	TA = 25°C
Graniczne napięcie wsteczne emiter-baza(VEBO_abs)	—	—	6	V	TA = 25°C
Graniczny ciągły prąd kolektora(IC_abs)	—	—	800	mA	TA = 25°C
Graniczna moc strat przy temperaturze otoczenia(PD_TA_abs)	—	—	500	mW	TA = 25°C
Graniczna moc strat przy temperaturze obudowy(PD_TC_abs)	—	—	1.8	W	TC = 25°C
Graniczne temperatury złącza podczas pracy(TJ_abs)	-65	—	200	°C	Graniczne temperatury złącza, nie zakres roboczych temperatur otoczenia

Wartości Maksymalne (Absolute Maximum Ratings)

Temperatura przechowywania	-65 – 200 °C
Rezystancja termiczna θJA (TO-18)	350 °C/W
Rezystancja termiczna θJC (TO-18)	97 °C/W

Pułapki Układowe i Ostrzeżenia Inżynieryjne

Rzeczywiste zastrzeżenia sprzętowe, ograniczenia projektu PCB i errata krzemu, które warto znać przed produkcją.

Krytyczne

Maksymalny prąd kolektora (800 mA) a moc rozpraszana bez radiatora w TO-18

IC = 800 mA to wartość graniczna, a nie termicznie bezpieczny prąd pracy. Przy IC = 500 mA i IB = 50 mA oba maksymalne napięcia dają zachowawcze ograniczenie strat przewodzenia P = IC·V_CE + IB·V_BE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, powyżej 500 mW przy TA = 25°C jeszcze bez strat przełączania. Nie jest to pomiar strat ani stwierdzenie jednoczesnego wystąpienia obu maksimów.

Jak temu zapobiec

Oszacuj średnie straty i sprawdź rzeczywistą drogę cieplną z zapasem: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA w swobodnym powietrzu albo TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC przy kontrolowanej temperaturze obudowy, uwzględniając zewnętrzną drogę cieplną. Limit 1,8 W wymaga TC = 25°C, a nie tylko zamontowania radiatora. Nie istnieje uniwersalny próg prądu wymagający radiatora.

Krytyczne

Niskie napięcie przebicia wstecznego złącza emiter-baza (6,0 V) w generatorach i multiwibratorach

Graniczne V_EBO = 6,0 V oraz oddzielny parametr minimalnego napięcia przebicia BVEBO ≥ 6,0 V przy IE = 10 µA to różne specyfikacje. Test przebicia nie dopuszcza powtarzalnej pracy lawinowej; nota nie podaje takiej zdolności. Pojemnościowe przebiegi przejściowe bazy muszą pozostawać w granicach napięcia wstecznego.

Jak temu zapobiec

Sprawdź rzeczywisty przebieg napięcia emiter-baza przy rozruchu i przełączaniu. Dioda ograniczająca napięcie wsteczne NPN ma anodę przy E, katodę przy B; sprawdź prąd impulsowy, spadek napięcia, tolerancje i zmiany czasów działania. Oznaczenie zasilania nie dowodzi ochrony; szeregowa dioda bazy nie jest równoważnym ogranicznikiem.

Ostrzeżenie

Wymagania sterowania bazy i czas magazynowania ładunku

V_CE(SAT) określono przy IC = 150 mA, IB = 15 mA oraz IC = 500 mA, IB = 50 mA. Te punkty IC/IB = 10 nie są uniwersalną regułą sterowania. Za mały prąd bazy może zwiększać V_CE i straty zależnie od obciążenia. Limit ts ≤ 225 ns dotyczy wyłącznie VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA i TA = 25°C, nie dowolnych warunków PWM.

Jak temu zapobiec

Dobierz sterowanie bazy do zamierzonego prądu, napięcia i temperatury według odpowiednich warunków pomiarowych. Sprawdź zdolność sterownika do dostarczania i pochłaniania prądu oraz gwarantowane napięcia wyjściowe; punkt pomiarowy prądu bazy 50 mA może przekraczać limit GPIO. Wyłączanie i każdy układ sterowania ładunkiem wymagają oddzielnej weryfikacji obwodu.

Przykładowe Aplikacje Układowe

Sterownik przekaźnika z tranzystorem NPN BJT 2N2222 / 2N2222A i diodą zwrotną 1N4007

Topologia: Układ nasyconego klucza dolnego ze wspólnym emiterem na tranzystorze NPN z rezystorem bazowym, rezystorem ściągającym pull-down 10 kΩ, przeciwsobną diodą gaszącą 1N4007 i odsprzęganiem szyny DC.

Zobacz schemat Otwórz w Edytorze Web CAD

Oficjalna Dokumentacja i Cytowane Źródła

Oryginalne noty aplikacyjne, erraty i specyfikacje producentów półprzewodników.

DATASHEETCentral Semiconductor

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

DATASHEETCentral Semiconductor

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

Pomóż dbać o poprawność tej strony

Znalazłeś pin, obudowę lub parametr niezgodny z notą katalogową? Zgłoś to.

Zgłoś problem

Otwiera publiczny formularz na GitHubie z już wpisaną tą stroną; potrzebne jest bezpłatne konto GitHub. Jak działają zgłoszenia i potwierdzenia

Przegląd Techniczny

Rozkład Wyprowadzeń i Funkcje Alternatywne

Kluczowe Parametry

Parametry

Wartości Maksymalne (Absolute Maximum Ratings)

Pułapki Układowe i Ostrzeżenia Inżynieryjne

Przykładowe Aplikacje Układowe

Sterownik przekaźnika z tranzystorem NPN BJT 2N2222 / 2N2222A i diodą zwrotną 1N4007

Oficjalna Dokumentacja i Cytowane Źródła

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

Pomóż dbać o poprawność tej strony

Powiązane komponenty

2N3904

2N3906

1N4007

1N4148