Producent: onsemi
Dane z noty katalogowej: onsemi 2N3906/D, wer. Rev. 4, luty 2010
Krzemowy tranzystor bipolarny PNP małej mocy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 o wyprowadzeniach E-B-C i wartościach granicznych 40V VCEO oraz 200mA IC.
2N3906 to krzemowy bipolarny tranzystor złączowy (BJT) struktury PNP małej mocy produkowany przez onsemi (numer publikacji 2N3906/D, rev. 4, luty 2010). W obudowie przewlekanej TO-92 (Case 29-11, Issue AM, Style 1) o wyprowadzeniach E-B-C stanowi bezpośrednią parę komplementarną dla tranzystora NPN 2N3904.
W normalnym przewodzeniu aktywnym tranzystora PNP potencjały bazy i kolektora są ujemne względem emitera (VBE < 0, VCE < 0). W tabelach katalogowych zestawiono dodatnie wartości bezwzględne (|VCE|, |VBE|, |V(BR)|).
TA = 25°C)VCEO): 40 VVCBO): 40 VVEBO): 5,0 VIC): 200 mAPD): 625 mW przy TA = 25°C (ze współczynnikiem obniżenia 5,0 mW/°C powyżej 25°C); 250 mW przy TA = 60°C; 1,5 W przy TC = 25°C (obniżenie 12 mW/°C)TJ): od -55°C do +150°CθJA = 200°C/W złącze–otoczenie oraz θJC = 83,3°C/W złącze–obudowa (wartości maksymalne z noty)TA = 25°C)V(BR)CEO ≥ 40 V (IC = 1,0 mA), V(BR)CBO ≥ 40 V (IC = 10 µA), V(BR)EBO ≥ 5,0 V (IE = 10 µA)hFE): od 100 do 300 przy IC = 10 mA i |VCE| = 1,0 V|VCE(sat)|): ≤ 0,25 V przy IC = 10 mA i IB = 1,0 mAfT): ≥ 250 MHz przy IC = 10 mA, |VCE| = 20 V i f = 100 MHzInteraktywny rozkład pinów i funkcje wyprowadzeń obudowy TO-92-3.
Ilustracja obudowy, a nie zwymiarowany rysunek mechaniczny.
| # | Nazwa pinu | Typ | Tolerancja 5V | Funkcje alternatywne / szczegóły |
|---|---|---|---|---|
| E | passive | — | Wyprowadzenie emitera (pin 1, lewe wyprowadzenie ze ściętą ścianką do przodu i nóżkami w dół) | |
| B | input only | Nie | Wyprowadzenie sterujące bazy (pin 2, środkowe wyprowadzenie; wymaga zewnętrznego rezystora ograniczającego prąd bazy) | |
| C | passive | — | Wyprowadzenie kolektora (pin 3, prawe wyprowadzenie ze ściętą ścianką do przodu i nóżkami w dół) |
| Parametr | Min. | Typowo | Maks. | Jednostka | Warunki pomiaru |
|---|---|---|---|---|---|
| Napięcie przebicia kolektor-emiter V(BR)CEO(V(BR)CEO) | 40 | — | — | V | IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Napięcie przebicia kolektor-baza V(BR)CBO(V(BR)CBO) | 40 | — | — | V | IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C |
| Napięcie przebicia emiter-baza V(BR)EBO(V(BR)EBO) | 5 | — | — | V | IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C |
| Ciągły prąd kolektora(IC_max) | — | — | 200 | mA | Wartość graniczna ciągła (obowiązują jednoczesne ograniczenia PD i TJ) |
| Wzmocnienie prądowe DC hFE przy 10mA(hFE_10mA) | 100 | — | 300 | ratio | IC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Wzmocnienie prądowe DC hFE przy 1mA(hFE_1mA) | 80 | — | — | ratio | IC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Wzmocnienie prądowe DC hFE przy 50mA(hFE_50mA) | 60 | — | — | ratio | IC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter |VCE(sat)| przy 10mA(VCE_sat_10mA) | — | — | 0.25 | V | IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter |VCE(sat)| przy 50mA(VCE_sat_50mA) | — | — | 0.4 | V | IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Napięcie nasycenia baza-emiter |VBE(sat)| przy 10mA(VBE_sat_10mA) | 0.65 | — | 0.85 | V | IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Napięcie nasycenia baza-emiter |VBE(sat)| przy 50mA(VBE_sat_50mA) | — | — | 0.95 | V | IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (test impulsowy: tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%) |
| Częstotliwość graniczna iloczynu wzmocnienia i pasma(fT) | 250 | — | — | MHz | IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C |
| Pojemność wyjściowa kolektora(Cobo) | — | — | 4.5 | pF | VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C |
| Pojemność wejściowa emitera(Cibo) | — | — | 10 | pF | VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C |
| Współczynnik szumów(NF) | — | — | 4 | dB | IC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C |
| Bezwzględne maksymalne napięcie kolektor–emiter (moduł)(VCEO) | — | — | 40 | V | Wartości graniczne, s. 1; moduł granicznego napięcia różny od minimum V(BR)CEO w podanych warunkach pomiaru. |
| Bezwzględne maksymalne wsteczne napięcie emiter–baza (moduł)(VEBO) | — | — | 5 | V | Wartości graniczne, s. 1; moduł granicznego napięcia wstecznego emiter–baza różny od minimum V(BR)EBO w podanych warunkach pomiaru. |
| Zakres temperatury złącza(TJ) | -55 | — | 150 | °C | Temperatura złącza podczas pracy, wartości graniczne, s. 1; nie jest to zakres temperatury otoczenia podczas pracy. |
| Temperatura przechowywania | -55 – 150 °C |
| Rezystancja termiczna θJA (TO-92) | 200 °C/W |
| Rezystancja termiczna θJC (TO-92) | 83.3 °C/W |
Rzeczywiste zastrzeżenia sprzętowe, ograniczenia projektu PCB i errata krzemu, które warto znać przed produkcją.
VEBO = 5.0V)Złącze baza–emiter ma bezwzględne maksymalne napięcie wsteczne VEBO = 5.0V. Osobno mierzone napięcie przebicia V(BR)EBO wynosi co najmniej 5.0V przy IE = 10 µA, IC = 0 i TA = 25°C; test przebicia nie jest zalecanym warunkiem pracy. W multiwibratorach astabilnych ze sprzężeniem skrośnym lub pojemnościowych układach przełączających stany przejściowe mogą polaryzować złącze baza–emiter zaporowo (baza dodatnia względem emitera, VBE = VB - VE > 0). Przekroczenie granicznego napięcia wstecznego może uszkodzić element lub wpłynąć na jego niezawodność.
Należy oszacować rzeczywiste szczytowe napięcie wsteczne VBE podczas pracy układu. Jeśli impulsy wsteczne mogą osiągnąć lub przekroczyć 5.0V, należy dołączyć diodę zabezpieczającą antyrównolegle do złącza baza-emiter (np. 1N4148 z anodą do bazy i katodą do emitera dla PNP) lub szeregową diodę blokującą w obwodzie bazy, sprawdzając, czy nie zakłóca to wymaganych stałych czasowych, warunków rozruchu ani wysterowania.
Patrząc na płaską ściętą ściankę obudowy TO-92 wyprowadzeniami w dół, układ wyprowadzeń onsemi 2N3906 to Pin 1 = emiter, Pin 2 = baza, Pin 3 = kolektor (E-B-C, Case 29-11, Style 1). Inne tranzystory małej mocy w obudowach TO-92 wykorzystują odmienne konfiguracje (np. C-B-E lub E-C-B). Odwrotny montaż prowadzi do nieprawidłowej pracy układu i potencjalnego przejścia w inwersyjny tryb aktywny o drastycznie obniżonym wzmocnieniu prądowym, zmienionym napięciu nasycenia i obniżonej odporności na przebicie.
Zawsze sprawdzaj rzeczywisty rozkład wyprowadzeń w karcie katalogowej producenta (onsemi 2N3906/D Style 1) i na oznaczeniach płytki PCB przed montażem. Nigdy nie należy zakładać wymienności wyprowadzeń tranzystorów TO-92 o różnych oznaczeniach lub od różnych producentów.
Przy pracy PNP w obszarze aktywnym lub nasyceniu baza musi mieć potencjał niższy od emitera (VBE = VB - VE < 0). Nota onsemi określa moduły napięcia nasycenia kolektor–emiter (|VCE(sat)| <= 0.25V przy IC = 10mA, IB = 1.0mA; oraz <= 0.4V przy IC = 50mA, IB = 5.0mA) przy wymuszonym wzmocnieniu IC / IB = 10 w teście impulsowym (tp <= 300 µs, współczynnik wypełnienia <= 2.0%, TA = 25°C). Samo hFE obszaru aktywnego nie gwarantuje tych granic nasycenia. Niedostateczne sterowanie bazą może pozostawić wyższe napięcie kolektor–emiter i większą moc strat; rzeczywisty obszar pracy zależy od obciążenia i sterowania. Ponadto przy przełączaniu od strony dodatniej szyny wyższej niż napięcie logiki bezpośrednie połączenie bazy z wyjściem logicznym może spolaryzować górną strukturę ochronną wyjścia sterownika w kierunku przewodzenia do niższej szyny zasilania logiki.
Dobierz sterowanie bazą do prądu obciążenia, szybkości przełączania i wymaganego napięcia nasycenia, korzystając z odpowiednich granic określonych dla warunków testu; typowe krzywe nie ustanawiają uniwersalnych gwarantowanych granic. Sprawdź, czy sterownik może odbierać wymagany prąd bazy podczas włączania i usuwać zgromadzony ładunek bazy podczas wyłączania w ramach własnych ograniczeń napięcia i prądu. Przy przełączaniu dodatniej szyny wyższej niż napięcie logiki (np. 12V przy logice 3.3V lub 5V) sprawdź dopuszczalne napięcie sterownika w stanie wyłączenia i zastosuj odpowiednio dobrany translator poziomu (np. NPN lub stopień z otwartym drenem i rezystorem podciągającym baza–emiter do dodatniej szyny), aby zapewnić pełne wyłączenie.
Oryginalne noty aplikacyjne, erraty i specyfikacje producentów półprzewodników.
Znalazłeś pin, obudowę lub parametr niezgodny z notą katalogową? Zgłoś to.
Otwiera publiczny formularz na GitHubie z już wpisaną tą stroną; potrzebne jest bezpłatne konto GitHub. Jak działają zgłoszenia i potwierdzenia