MOSFETs de PotenciaEn producción

IRLZ44NPbF

Fabricante: Infineon Technologies

Datos tomados de la hoja de datos: Infineon Technologies, revisión Rev. 2.1, 12 de agosto de 2026

MOSFET de potencia de canal N y nivel lógico Infineon IRLZ44NPbF en TO-220AB, con patillaje G-D-S y lengüeta conectada al drenador; la resistencia en conducción se especifica bajo condiciones de excitación de puerta separadas de 4 V, 5 V y 10 V.

EncapsuladosTO-220AB
Hoja de datos oficial (PDF)

Descripción técnica

01

Descripción técnica

El Infineon IRLZ44NPbF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N y nivel lógico documentado en la hoja de datos rev. 2.1, 2026-08-12. Su encapsulado de montaje pasante TO-220AB (PG-TO220-3-U05) tiene puerta, drenador y fuente en los pines 1, 2 y 3, y la lengüeta de montaje conectada al drenador. La tensión de ruptura drenador–fuente V(BR)DSS se especifica como al menos 55 V a VGS = 0 V, ID = 250 µA y TJ = 25°C. Los límites absolutos de corriente continua de drenador son 47 A a TC = 25°C y 33 A a TC = 100°C, ambos a VGS = 10 V; el máximo absoluto de disipación de 110 W también requiere TC = 25°C. Estos límites de esfuerzo a temperatura de encapsulado no garantizan temperatura ambiente, corriente de placa ni cargas controladas desde GPIO. El intervalo absoluto TJ = −55 a +175°C corresponde a la unión, no al ambiente; las resistencias térmicas indicadas de 1.4°C/W unión–encapsulado y 62°C/W unión–ambiente son máximas. El umbral VGS(th) = 1.0–2.0 V se ensaya a ID = 250 µA y VDS = VGS (TJ = 25°C); no establece conducción de corriente de carga útil ni un umbral de entrada digital. Por separado, RDS(on) máximo es 22 mΩ a VGS = 10 V e ID = 25 A, 25 mΩ a VGS = 5 V e ID = 25 A, y 35 mΩ a VGS = 4 V e ID = 21 A, todos a TJ = 25°C con anchura de pulso ≤300 µs y ciclo de trabajo ≤2%. Utilice las tablas con sus condiciones y el diseño térmico y de excitación real al evaluar una aplicación de conmutación.

Distribución de pines y funciones alternativas

Distribución interactiva de pines y funciones del encapsulado TO-220AB-3.

Diagrama de pinout interactivoFrente

IRLZ44NPbF: ilustración del encapsulado TO-220ABDistribución interactiva de pines y funciones del encapsulado TO-220AB.1: G2: D3: S

Ilustración del encapsulado, no un plano mecánico acotado.

3 / 3 pines
#Nombre del pinTipoTolerante a 5VFunciones alternativas / detalles
Gpassive—
Terminal de puerta; las tensiones se refieren a la fuente. VGS(th) = 1.0–2.0 V a ID = 250 µA, VDS = VGS y TJ = 25°C es un ensayo de umbral, no una garantía de excitación de carga útil ni un umbral lógico digital. Límite absoluto VGS: ±16 V.
Dpassive—
Terminal de drenador (conectado internamente a la lengüeta metálica del encapsulado TO-220)
Spassive—
Terminal de fuente y referencia de VGS; conectado a masa solo en una topología apropiada de conmutación de lado bajo, no es intrínsecamente un pin de masa.

Especificaciones clave

Atributos paramétricos

ParámetroMín.TípicoMáx.UnidadCondición de prueba
Tensión de ruptura drenador-fuente(V(BR)DSS)55——VVGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C
Corriente continua de drenador a 25°C(ID_25C)——47ACorriente continua de drenador máxima absoluta, VGS = 10 V, TC = 25°C (p. 1); temperatura del encapsulado, no ambiente ni capacidad de corriente de la placa.
Corriente continua de drenador a 100°C(ID_100C)——33ACorriente continua de drenador máxima absoluta, VGS = 10 V, TC = 100°C (p. 1); temperatura del encapsulado, no ambiente ni capacidad de corriente de la placa.
Corriente pulsada de drenador(IDM)——160ACorriente pulsada repetitiva de drenador máxima absoluta; anchura de pulso limitada por la temperatura máxima de unión (nota 1, p. 2; véase Fig. 11). No autoriza esa corriente en continuo.
Resistencia en conducción RDS(on) a 10V(RDS_ON_10V)——0.022ΩVGS = 10 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp <= 300 µs, ciclo de trabajo <= 2%)
Resistencia en conducción RDS(on) a 5V(RDS_ON_5V)——0.025ΩVGS = 5.0 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp <= 300 µs, ciclo de trabajo <= 2%)
Resistencia en conducción RDS(on) a 4V(RDS_ON_4V)——0.035ΩVGS = 4.0 V, ID = 21 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp <= 300 µs, ciclo de trabajo <= 2%)
Tensión umbral de puerta(VGS_TH)1—2VVDS = VGS, ID = 250 µA, TJ = 25°C
Transconductancia directa(gfs)21——SVDS = 25 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp <= 300 µs, ciclo de trabajo <= 2%)
Carga total de puerta(Qg)——48nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; anchura de pulso ≤300 µs, ciclo de trabajo ≤2% (nota 4, p. 2; Figuras 6 y 13).
Carga puerta-fuente(Qgs)——8.6nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; anchura de pulso ≤300 µs, ciclo de trabajo ≤2% (nota 4, p. 2; Figuras 6 y 13).
Carga puerta-drenador (Miller)(Qgd)——25nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; anchura de pulso ≤300 µs, ciclo de trabajo ≤2% (nota 4, p. 2; Figuras 6 y 13).
Capacidad de entrada(Ciss)—1700—pFVGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C
Capacidad de salida(Coss)—400—pFVGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C
Capacidad de transferencia inversa(Crss)—150—pFVGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C
Disipación de potencia máxima absoluta(PD)——110WTC = 25°C, máximo absoluto (p. 1); temperatura del encapsulado, no ambiente. Factor de reducción lineal: 0.71 W/°C.
Intervalo de temperatura de unión(TJ)-55—175°CTemperatura de unión en funcionamiento, máximos absolutos (p. 1); no es un intervalo de temperatura ambiente de funcionamiento.

Valores máximos absolutos

Temperatura de almacenamiento-55 – 175 °C
Resistencia térmica θJA (TO-220AB)62 °C/W
Resistencia térmica θJC (TO-220AB)1.4 °C/W

Puntos críticos de ingeniería

Advertencias reales de hardware, restricciones de diseño de PCB y erratas del silicio que conviene conocer antes de fabricar.

Crítico

Límite absoluto de tensión puerta–fuente: ±16 V

El máximo absoluto de tensión puerta–fuente del IRLZ44NPbF es VGS = ±16 V (p. 1). Es un límite de esfuerzo, no un umbral físico de ruptura de puerta garantizado. Los transitorios de conmutación, el acoplamiento mediante la capacidad puerta–drenador y las oscilaciones pueden cambiar VGS respecto al nodo de fuente; evalúe las excursiones positivas y negativas en el circuito real. Superar el máximo absoluto puede dañar el dispositivo.

Mitigación

Evalúe la tensión de excitación y la protección frente a transitorios respecto a la fuente, incluyendo ambas polaridades y la tolerancia del limitador, para mantener VGS real dentro del máximo absoluto. Si se utiliza un limitador puerta–fuente, compruebe su tensión, capacidad de impulso y efecto sobre la excitación normal; coloque la protección y el retorno de puerta cerca del dispositivo. No suponga que una línea de alimentación ruidosa es una salida adecuada de excitador de puerta.

Crítico

Carga de puerta y pérdidas dinámicas bajo excitación directa de microcontrolador

Los máximos RDS(on) son 22 mΩ a VGS = 10 V / ID = 25 A, 25 mΩ a VGS = 5 V / ID = 25 A y 35 mΩ a VGS = 4 V / ID = 21 A, todos a TJ = 25°C con anchura de pulso ≤300 µs y ciclo de trabajo ≤2% (p. 2, nota 4). Son ensayos condicionados, no una promesa de conducción plena para cualquier carga o estado térmico. La hoja de datos no especifica un límite RDS(on) con excitación de puerta de 3.3 V. La carga total de puerta Qg es como máximo 48 nC a ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V y TJ = 25°C, con las mismas condiciones pulsadas de la nota 4. Ciss = 1700 pF es un valor típico a VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz y TJ = 25°C, no una capacidad de entrada fija ni máxima. La capacidad real del excitador de suministrar y absorber corriente y su impedancia de salida afectan los tiempos de transición de puerta y las pérdidas; esta hoja de datos del MOSFET no establece una capacidad universal de corriente GPIO.

Mitigación

Evalúe la tensión real de salida del excitador respecto a la fuente, su capacidad de carga y descarga, la frecuencia de conmutación y las condiciones térmicas frente a los ensayos aplicables de resistencia y carga. Alcanzar 4 V o 5 V no garantiza por sí solo una corriente de carga concreta ni pérdidas aceptables. Cuando sea necesario, evalúe un excitador de puerta o búfer capaz de suministrar y absorber los picos de corriente requeridos, y verifique los tiempos de transición y la disipación de conmutación en el circuito resultante.

Advertencia

Lengüeta metálica conectada internamente al drenador

En el encapsulado TO-220AB, la lengüeta metálica está unida internamente al pin 2 (drenador). En una configuración de lado bajo, el drenador bascula entre masa y la tensión de alimentación de la carga. Atornillar la lengüeta a un chasis conectado a masa sin aislamiento eléctrico puentea el MOSFET, conectando la carga continuamente a masa y provocando su activación no deseada.

Mitigación

Al montar el transistor en un chasis metálico o disipador común, utilice siempre una lámina termoconductora y eléctricamente aislante junto con una arandela aislante con cuello (manguito aislante) para aislar el tornillo respecto a la lengüeta.

Circuitos de referencia

Conmutador de CC de lado bajo con MOSFET de nivel lógico IRLZ44N

Topología: Interruptor de potencia de nivel lógico de canal N de lado bajo con amortiguación de puerta, resistencia pull-down de 10 kΩ, diodo flyback para cargas inductivas y desacoplo de alimentación de 12V/24V para control por microcontrolador.

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Documentación oficial y hojas de datos citadas

Hojas de datos, erratas y notas de aplicación de los fabricantes de semiconductores.

DATASHEETInfineon Technologies

IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet

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