Інтерфейсні та USB-мостиУ виробництві

PC817

Виробник: Sharp, Everlight Electronics, Lite-On, onsemi

Дані взято з даташиту: Sharp Corporation D2-A03101EN, 30 вересня 2003 р.

Оптопара Sharp PC817 (серія PC817X) з виходом на фототранзисторі у корпусах DIP-4 та SMD-4; ізоляція 5000 Vrms, напруга пробою колектор-емітер 80 V та коефіцієнт передачі струму CTR від 50% до 600%.

КорпусиDIP-4, SMD-4
Напруга живлення3 – 35 V
Діапазон температур-25 – 85 °C

Технічний огляд

01

Технічний огляд

Оптопара PC817 (серія PC817X) є галузевим стандартом 4-вивідного фотоелектричного з'єднувача (оптопари), що випускається корпорацією Sharp (документація D2-A03101EN). Прилад оптично пов'язує вхідний арсенід-галієвий (GaAs) інфрачервоний випромінювальний діод (IRED) із кремнієвим NPN фототранзистором високої напруги на виході, забезпечуючи гальванічну ізоляцію 5000 Vrms між низьковольтними цифровими схемами та високовольтними промисловими колами. Сучасна серія PC817X має напругу пробою колектор-емітер (VCEO) 80 V і максимальний постійний струм колектора 50 mA, що робить її незамінною для придушення завад в імпульсних джерелах живлення (SMPS), гальванічної розв'язки входів мікроконтролерів від польових ліній 24 V PLC та керування транзисторами реле або соленоїдів без утворення спільних земляних петель. Коефіцієнт передачі струму (CTR) класифікується за чотирма групами: ранг A (80%..160%), ранг B (130%..260%), ранг C (200%..400%) та ранг D (300%..600%) за IF = 5 mA та VCE = 5 V. Випускається у 4-вивідних корпусах DIP-4 для монтажу в отвори та SMD-4 для поверхневого монтажу з кроком виводів 2.54 mm.

Розпіновка та альтернативні функції

Інтерактивна розпіновка та призначення виводів корпусу DIP-4.

Інтерактивна схема розпіновкиВерхня

PC817: ілюстрація корпусу DIP-4Інтерактивна розпіновка та призначення виводів корпусу DIP-4.1: A2: K4: C3: E

Ілюстрація корпусу, а не механічне креслення з розмірами.

4 / 4 виводів
#Назва пінаТипТолерантність до 5VАльтернативні функції / деталі
Apassive—
Анод вхідного інфрачервоного діода GaAs (IRED); підключати до позитивного керуючого сигналу через послідовний струмообмежувальний резистор
Kpassive—
Катод вхідного інфрачервоного діода GaAs (IRED); комутувати на землю або логічний драйвер для активації вхідного струму
Epassive—
Вивід емітера вихідного фототранзистора NPN; підключати до ізольованої землі за схеми зі спільним емітером або до навантаження за схеми емітерного повторювача
Cpassive—
Вивід колектора вихідного фототранзистора NPN; підтягувати до ізольованої шини живлення через зовнішній резистор (витримує напругу до 80V VCEO)

Основні характеристики

Параметричні характеристики

ПараметрМін.ТиповеМакс.ОдиницяУмови вимірювання
Напруга ізоляції(V_iso)50005000—VrmsAC 1 min, 40-60% RH
Напруга пробою колектор-емітер(V_CEO)8080—VIC = 0.1 mA, IF = 0
Напруга пробою емітер-колектор(V_ECO)66—VIE = 10 µA, IF = 0
Постійний прямий струм(I_F)—2050mA—
Пряма напруга(V_F)—1.21.4VIF = 20 mA
Зворотний струм(I_R)——10µAVR = 4 V
Ємність виводів(C_t)—30250pFV = 0, f = 1 kHz
Темновий струм колектора(I_CEO)——100nAVCE = 50 V, IF = 0
Коефіцієнт передачі струму(CTR)50100600%IF = 5 mA, VCE = 5 V
Напруга насичення колектор-емітер(V_CE(sat))—0.10.2VIF = 20 mA, IC = 1 mA
Опір ізоляції(R_ISO)5e101e11—ΩDC 500 V, 40-60% RH
Прохідна ємність(C_f)—0.61pFV = 0, f = 1 MHz
Гранична частота зрізу(f_c)—80—kHzVCE = 5 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω, -3 dB
Час наростання(t_r)—418µsVCE = 2 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω
Час спаду(t_f)—318µsVCE = 2 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω

Гранично допустимі параметри

Макс. напруга живлення (VDD/VCC)80 V
Макс. вхідна напруга6 V
Макс. вихідний струм / струм піна50 mA
Температура кристала-30 – 100 °C
Температура зберігання-55 – 125 °C
Тепловий опір θJA (DIP-4)350 °C/W
Тепловий опір θJA (SMD-4)350 °C/W

Інженерні нюанси та підводні камені

Реальні апаратні застереження, обмеження розводки плати та помилки кристала, які варто знати до виготовлення.

Увага

Деградація CTR під час тривалої роботи та підвищеної температури

Коефіцієнт передачі струму (CTR) інфрачервоних діодів на основі GaAs природно зменшується протягом терміну служби (зазвичай спад становить 10%..30% після кількох тисяч годин за підвищеної температури) і має негативний температурний коефіцієнт за високої температури кристала.

Як уникнути

Розраховуйте вхідні кола керування з запасом струму перевантаження у 2-3 рази (наприклад, подавайте IF = 5..10 mA за необхідного струму навантаження IC = 2 mA), щоб гарантувати надійне насичення фототранзистора протягом усього ресурсу виробу.

Увага

Низька швидкість перемикання та затримка вимкнення за великих опорів навантаження

Оптопара PC817 є універсальним приладом загального призначення з типовим часом реакції 3..18 µs; застосування високого підтягувального резистора (RL >= 10 kΩ) повільно заряджає паразитну ємність Міллера, збільшуючи час спаду та вимкнення до понад 50 µs і обмежуючи швидкість передачі даних до 10 kHz.

Як уникнути

Для цифрового обміну даними понад 10 kHz або ШІМ використовуйте зменшений опір навантаження колектора (1 kΩ..2.2 kΩ) з підвищеним струмом світлодіода або застосовуйте високошвидкісні логічні оптрони, наприклад 6N137.

Критично

Гранична зворотна напруга входу 6 V руйнує діод IRED у разі переполюсовки

Вбудований інфрачервоний випромінювальний діод GaAs має абсолютну максимальну зворотну напругу VR лише 6 V; зворотні викиди напруги на лініях керування або коливні процеси змінного струму швидко спричиняють лавинний пробій і вихід світлодіода з ладу.

Як уникнути

Встановлюйте антипаралельний захисний діод (наприклад, 1N4148) безпосередньо між виводами 1 та 2 для обмеження зворотних імпульсів або використовуйте послідовний діод у промислових колах 24 V.

Примітка

Розкид коефіцієнта CTR за суфіксами сортування (A, B, C, D)

Оптопари PC817 сортуються за широкими діапазонами коефіцієнта CTR: A (80%..160%), B (130%..260%), C (200%..400%) та D (300%..600%). Використання деталей без маркування рангу або іншої групи може призвести до неповної насиченості виходу чи розбіжності часових інтервалів між серійними партіями.

Як уникнути

Зазначайте точний суфікс рангу (наприклад, PC817B або PC817C) у переліку елементів (BOM) і перевіряйте розрахунки схеми за нижньою межею обраного діапазону CTR.

Аналоги та взаємозамінність

Номер деталі (MPN)ВиробникСумісністьЕлектричні відмінності / нотатки для BOM
EL817Everlight Electronicspin to pin drop inПовний 4-вивідний аналог pin-to-pin з напругою ізоляції 5000 Vrms та допустимою напругою VCEO 80 V у відповідних діапазонах CTR A, B, C, D.
LTV-817Lite-Onpin to pin drop inПрямий 4-вивідний сумісний аналог; перевіряйте граничну напругу VCEO (35 V у стандартній серії LTV-817, 80 V у серіях LTV-817S/M) відповідно до робочої напруги схеми.
FOD817onsemipin to pin drop inПрямий 4-вивідний сумісний аналог pin-to-pin з напругою ізоляції 5000 Vrms та допустимою напругою пробою VCEO 70 V.
K1010Cosmo Electronicspin to pin drop inПрямий 4-вивідний аналог pin-to-pin з ізоляцією 5000 Vrms та напругою пробою VCEO 80 V.
4N35Vishayfunctional requires bom change6-вивідний корпус DIP з окремим виводом бази (вивід 6); менший коефіцієнт CTR (типово 100% за 10 mA) та ізоляція 3550 Vrms; вимагає зміни трасування друкованої плати.

Типові схеми ввімкнення

PC817: схема гальванічної опторозв’язки логіки

Топологія: Односпрямований цифровий логічний ізолятор, що забезпечує гальванічну розв’язку 5000 Vrms між входом і логікою мікроконтролера, з вхідним резистором 390 Ω, захисним діодом 1N4148 та підтяжкою 4.7 kΩ до ізольованої шини +5 V.

Офіційна документація та першоджерела

Офіційні даташити виробників напівпровідників, описи ревізій та технічні керівництва.

Допоможіть тримати сторінку точною

Знайшли пін, корпус або параметр, що не збігається з даташитом? Повідомте про це.

Відкриває публічну форму на GitHub, де цю сторінку вже вказано; потрібен безкоштовний акаунт GitHub. Як працюють звіти й підтвердження

Схожі компоненти