Виробник: onsemi
Дані взято з даташиту: onsemi 2N3906/D, ред. Rev. 4, лютий 2010 р.
Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.
2N3906 — це класичний кремнієвий біполярний транзистор (BJT) структури PNP для підсилення малих сигналів виробництва onsemi (номер публікації 2N3906/D, ред. 4, лютий 2010). Виконаний у вивідному корпусі TO-92 (Case 29-11, Issue AM, Style 1) із цоколівкою E-B-C, він є базовою комплементарною парою до NPN-транзистора 2N3904.
У стандартному прямому активному режимі PNP напруги бази та колектора є негативними відносно емітера (VBE < 0, VCE < 0). У таблицях даташиту наведено абсолютні значення величин (|VCE|, |VBE|, |V(BR)|).
TA = 25°C)VCEO): 40 ВVCBO): 40 ВVEBO): 5,0 ВIC): 200 мАPD): 625 мВт при TA = 25°C (із коефіцієнтом зниження 5,0 мВт/°C вище 25°C); нормований рівень 250 мВт при TA = 60°C; 1,5 Вт при TC = 25°C (зниження 12 мВт/°C)TJ): від -55°C до +150°CθJA = 200°C/W перехід–довкілля та θJC = 83,3°C/W перехід–корпус (максимальні значення за даташитом)TA = 25°C)V(BR)CEO ≥ 40 В (IC = 1,0 мА), V(BR)CBO ≥ 40 В (IC = 10 мкА), V(BR)EBO ≥ 5,0 В (IE = 10 мкА)hFE): від 100 до 300 при IC = 10 мА і |VCE| = 1,0 В|VCE(sat)|): ≤ 0,25 В при IC = 10 мА і IB = 1,0 мАfT): ≥ 250 МГц при IC = 10 мА, |VCE| = 20 В і f = 100 МГцІнтерактивна розпіновка та призначення виводів корпусу TO-92-3.
Ілюстрація корпусу, а не механічне креслення з розмірами.
| # | Назва піна | Тип | Толерантність до 5V | Альтернативні функції / деталі |
|---|---|---|---|---|
| E | passive | — | Вивід емітера (вивід 1, лівий вивід плоскою стороною до себе і виводами донизу) | |
| B | input only | Ні | Керуючий вивід бази (вивід 2, центральний вивід; потребує зовнішнього струмообмежувального резистора бази) | |
| C | passive | — | Вивід колектора (вивід 3, правий вивід плоскою стороною до себе і виводами донизу) |
| Параметр | Мін. | Типове | Макс. | Одиниця | Умови вимірювання |
|---|---|---|---|---|---|
| Напруга пробою колектор-емітер V(BR)CEO(V(BR)CEO) | 40 | — | — | V | IC = 1.0 мА, IB = 0, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Напруга пробою колектор-база V(BR)CBO(V(BR)CBO) | 40 | — | — | V | IC = 10 мкА, IE = 0, TA = 25°C |
| Напруга пробою емітер-база V(BR)EBO(V(BR)EBO) | 5 | — | — | V | IE = 10 мкА, IC = 0, TA = 25°C |
| Постійний струм колектора(IC_max) | — | — | 200 | mA | Граничний тривалий режим (діють одночасні обмеження PD та TJ) |
| Коефіцієнт підсилення струму hFE при 10мА(hFE_10mA) | 100 | — | 300 | ratio | IC = 10 мА, |VCE| = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Коефіцієнт підсилення струму hFE при 1мА(hFE_1mA) | 80 | — | — | ratio | IC = 1.0 мА, |VCE| = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Коефіцієнт підсилення струму hFE при 50мА(hFE_50mA) | 60 | — | — | ratio | IC = 50 мА, |VCE| = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Напруга насичення колектор-емітер |VCE(sat)| при 10мА(VCE_sat_10mA) | — | — | 0.25 | V | IC = 10 мА, IB = 1.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Напруга насичення колектор-емітер |VCE(sat)| при 50мА(VCE_sat_50mA) | — | — | 0.4 | V | IC = 50 мА, IB = 5.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Напруга насичення база-емітер |VBE(sat)| при 10мА(VBE_sat_10mA) | 0.65 | — | 0.85 | V | IC = 10 мА, IB = 1.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Напруга насичення база-емітер |VBE(sat)| при 50мА(VBE_sat_50mA) | — | — | 0.95 | V | IC = 50 мА, IB = 5.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%) |
| Гранична частота коефіцієнта підсилення(fT) | 250 | — | — | MHz | IC = 10 мА, |VCE| = 20 В, f = 100 МГц, TA = 25°C |
| Вихідна ємність колектора(Cobo) | — | — | 4.5 | pF | VCB = 5.0 В, f = 1.0 МГц, IE = 0, TA = 25°C |
| Вхідна ємність емітера(Cibo) | — | — | 10 | pF | VEB = 0.5 В, f = 1.0 МГц, IC = 0, TA = 25°C |
| Коефіцієнт шуму(NF) | — | — | 4 | dB | IC = 100 мкА, |VCE| = 5.0 В, RS = 1.0 кОм, f = 1.0 кГц, TA = 25°C |
| Абсолютна максимальна напруга колектор–емітер (модуль)(VCEO) | — | — | 40 | V | Граничні параметри, с. 1; модуль граничної напруги, відмінний від мінімуму V(BR)CEO за наведених умов вимірювання. |
| Абсолютна максимальна зворотна напруга емітер–база (модуль)(VEBO) | — | — | 5 | V | Граничні параметри, с. 1; модуль граничної зворотної напруги емітер–база, відмінний від мінімуму V(BR)EBO за наведених умов вимірювання. |
| Діапазон температури переходу(TJ) | -55 | — | 150 | °C | Робоча температура переходу, граничні параметри, с. 1; це не діапазон робочої температури довкілля. |
| Температура зберігання | -55 – 150 °C |
| Тепловий опір θJA (TO-92) | 200 °C/W |
| Тепловий опір θJC (TO-92) | 83.3 °C/W |
Реальні апаратні застереження, обмеження розводки плати та помилки кристала, які варто знати до виготовлення.
VEBO = 5.0В)Перехід база–емітер має абсолютну максимальну зворотну напругу VEBO = 5.0В. Окремо виміряна напруга пробою V(BR)EBO становить щонайменше 5.0В при IE = 10 мкА, IC = 0 та TA = 25°C; цей тест пробою не є рекомендованим робочим режимом. В астабільних мультивібраторах із перехресним зв’язком або ємнісних комутаційних схемах перехідні процеси можуть зміщувати перехід база–емітер у зворотному напрямку (підвищуючи потенціал бази відносно емітера, VBE = VB - VE > 0). Перевищення граничної зворотної напруги може пошкодити компонент або вплинути на надійність.
Оцінюйте реальну пікову зворотну напругу VBE під час роботи схеми. Якщо зворотні сплески можуть наближатися до 5.0В або перевищувати її, встановіть зустрічно-паралельний діод паралельно переходу база-емітер (наприклад 1N4148 анодом до бази, а катодом до емітера для PNP) або послідовний захисний діод у колі бази, перевіривши, що захисна схема не порушує часових інтервалів, умов запуску чи струму керування.
Якщо дивитися на плоску сторону корпусу TO-92 виводами донизу, цоколівка onsemi 2N3906 є Pin 1 = емітер, Pin 2 = база, Pin 3 = колектор (E-B-C, Case 29-11, Style 1). Інші транзистори для малих сигналів у корпусах TO-92 використовують відмінні конфігурації виводів (наприклад C-B-E або E-C-B). Монтаж транзистора з переплутаними виводами призводить до неправильної роботи схеми та потенційного переходу в інверсний активний режим із критично малим підсиленням струму, зміненою напругою насичення та зниженою напругою пробою.
Завжди перевіряйте точне фізичне розташування виводів за даташитом виробника (onsemi 2N3906/D Style 1) та маркуванням на платі перед монтажем. Ніколи не припускайте однакову цоколівку для різних найменувань або виробників транзисторів у корпусі TO-92.
Для роботи PNP-транзистора в прямому активному режимі та насиченні потенціал бази має бути нижчим за потенціал емітера (VBE = VB - VE < 0). У даташиті onsemi модулі напруги насичення колектор–емітер (|VCE(sat)| <= 0.25В при IC = 10мА, IB = 1.0мА; та <= 0.4В при IC = 50мА, IB = 5.0мА) нормовано за форсованого коефіцієнта IC / IB = 10 в імпульсних умовах (tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2.0%, TA = 25°C). Саме hFE активного режиму не гарантує цих меж насичення. Недостатній струм керування базою може залишати підвищену напругу колектор–емітер і збільшені втрати; фактичний режим залежить від навантаження та керування. Крім того, у схемі верхнього ключа з напругою живлення вищою за напругу керуючої логіки пряме підключення бази до логічного виходу може змістити верхню захисну структуру виходу драйвера у прямому напрямку до нижчої шини логічного живлення.
Розраховуйте керування базою за струмом навантаження, швидкістю перемикання та потрібною напругою насичення з урахуванням відповідних нормованих меж даташиту; типові графіки не встановлюють універсальних гарантованих меж. Перевірте, чи може драйвер відводити потрібний струм бази під час відкривання та видаляти накопичений заряд бази під час закривання в межах власних обмежень напруги й струму. Для комутації додатної шини з напругою вищою за логічну (наприклад 12В при логіці 3.3В або 5В) перевірте допустиму напругу драйвера у вимкненому стані та застосовуйте відповідно нормований каскад зсуву рівня (наприклад NPN-транзистор або каскад із відкритим стоком і резистором підтяжки база–емітер до додатної шини) для повного закривання.
Офіційні даташити виробників напівпровідників, описи ревізій та технічні керівництва.
Знайшли пін, корпус або параметр, що не збігається з даташитом? Повідомте про це.
Відкриває публічну форму на GitHub, де цю сторінку вже вказано; потрібен безкоштовний акаунт GitHub. Як працюють звіти й підтвердження