Біполярні транзисториУ виробництві

2N2222A

Виробник: Central Semiconductor

Дані взято з даташиту: Central Semiconductor, ред. R5, 5 грудня 2013 р.

Central Semiconductor 2N2222A — перемикальний NPN-транзистор у TO-18; абсолютні межі: VCEO 40 В і постійний IC 800 мА за TA = 25°C.

КорпусиTO-18
Офіційний даташит (PDF)

Технічний огляд

01

Технічний огляд

Ця сторінка стосується лише Central Semiconductor 2N2222A у TO-18 за технічним описом 2N2221A.PDF, R5 (5 грудня 2013 року). Електричні характеристики діють при TA = 25°C, якщо не зазначено іншого, і лише за повних указаних умов випробування. Абсолютні максимуми є граничними навантаженнями, а не рекомендованими умовами роботи. На кресленні виробника E1 ліворуч, B2 над центром, C3 праворуч, виступ унизу ліворуч; це орієнтація самого креслення без твердження про окремо підтверджений вигляд зверху чи знизу. Саме ця позиція каталогу має статус Active; додане PDN01195 стосується інших перелічених типів. Не переносіть характеристики на вироби інших виробників чи пластикові варіанти.

Розпіновка та альтернативні функції

Інтерактивна розпіновка та призначення виводів корпусу TO-18-3.

Інтерактивна схема розпіновкиСхема виводів за кресленням виробника

2N2222A: ілюстрація корпусу TO-18Схема виводів за кресленням виробника1: E2: B3: C

Ілюстрація корпусу, а не механічне креслення з розмірами.

3 / 3 виводів
#Назва пінаТипТолерантність до 5VАльтернативні функції / деталі
Epassive—
Емітер, вивід 1: ліворуч на кресленні виробника, найближче до виступу внизу ліворуч. Зберігайте орієнтацію креслення.
Bpassive—
База, вивід 2: над центром на кресленні виробника, під кутом 90° до кожного з виводів 1 та 3.
Cpassive—
Колектор, вивід 3: праворуч на кресленні виробника. Наведене креслення не підтверджує внутрішній електричний зв’язок із металевим корпусом.

Основні характеристики

Параметричні характеристики

ПараметрМін.ТиповеМакс.ОдиницяУмови вимірювання
Напруга пробою колектор-база(BVCBO)75——VIC = 10 µA, TA = 25°C
Напруга пробою колектор-емітер(BVCEO)40——VIC = 10 mA, TA = 25°C
Напруга пробою емітер-база(BVEBO)6——VIE = 10 µA, TA = 25°C
Зворотний струм колектора(ICBO)——10nAVCB = 60 V, TA = 25°C
Зворотний струм емітера(IEBO)——10nAVEB = 3.0 V, TA = 25°C
Напруга насичення колектор-емітер при 150 мА(VCE_sat_150)——0.3VIC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Напруга насичення колектор-емітер при 500 мА(VCE_sat_500)——1VIC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Напруга насичення база-емітер при 150 мА(VBE_sat_150)0.6—1.2VIC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C
Напруга насичення база-емітер при 500 мА(VBE_sat_500)——2VIC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C
Коефіцієнт підсилення за постійним струмом при 150 мА(hFE_150)100—300ratioVCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C
Коефіцієнт підсилення за постійним струмом при 500 мА(hFE_500)40——ratioVCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C
Гранична частота коефіцієнта підсилення(fT)300——MHzVCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C
Вихідна ємність(Cob)——8pFVCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Вхідна ємність(Cib)——25pFVEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C
Час затримки(td)——10nsVCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Час наростання(tr)——25nsVCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C
Час розсмоктування(ts)——225nsVCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Час спаду(tf)——60nsVCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C
Абсолютна межа напруги колектор-база(VCBO_abs)——75VTA = 25°C
Абсолютна межа напруги колектор-емітер(VCEO_abs)——40VTA = 25°C
Абсолютна межа зворотної напруги емітер-база(VEBO_abs)——6VTA = 25°C
Абсолютна межа постійного струму колектора(IC_abs)——800mATA = 25°C
Абсолютна межа розсіювання за температури довкілля(PD_TA_abs)——500mWTA = 25°C
Абсолютна межа розсіювання за температури корпусу(PD_TC_abs)——1.8WTC = 25°C
Абсолютні межі робочої температури переходу(TJ_abs)-65—200°CГраничні температури переходу, а не робочий діапазон температур довкілля

Гранично допустимі параметри

Температура зберігання-65 – 200 °C
Тепловий опір θJA (TO-18)350 °C/W
Тепловий опір θJC (TO-18)97 °C/W

Інженерні нюанси та підводні камені

Реальні апаратні застереження, обмеження розводки плати та помилки кристала, які варто знати до виготовлення.

Критично

Граничний струм колектора (800 мА) проти теплового розсіювання без охолодження в TO-18

IC = 800 mA — абсолютна межа, а не термічно безпечний робочий струм. При IC = 500 mA та IB = 50 mA обидві максимальні напруги дають консервативну межу втрат провідності P = IC·VCE + IB·VBE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, понад 500 mW при TA = 25°C ще без втрат перемикання. Це не виміряні втрати й не твердження про одночасне досягнення обох максимумів.

Як уникнути

Оцініть середні втрати та перевірте реальний шлях тепловідведення із запасом: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA у вільному повітрі або TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC за контрольованої температури корпусу з урахуванням зовнішнього теплового шляху. Для межі 1,8 W потрібна TC = 25°C, а не просто встановлений радіатор. Універсального порога струму для радіатора немає.

Критично

Низька зворотна напруга пробою переходу емітер-база (6,0 В) у мультивібраторах та імпульсних схемах

Абсолютна межа VEBO = 6,0 V та окрема мінімальна напруга пробою BVEBO ≥ 6,0 V при IE = 10 µA — різні характеристики. Випробування на пробій не дозволяє повторюваний лавинний режим; технічний опис не нормує такої роботи. Ємнісні перехідні процеси бази мають залишатися в межах зворотної напруги.

Як уникнути

Перевіряйте реальну напругу емітер-база під час запуску й перемикання. Діод обмеження зворотної напруги NPN має анод на E, катод на B; перевірте імпульсний струм, пряме падіння напруги, допуски та зміну часових параметрів. Саме позначення живлення не доводить захисту; послідовний діод бази не є еквівалентним обмежувачем.

Увага

Вимоги до струму бази для глибокого насичення та затримка розсмоктування

VCE(SAT) нормовано при IC = 150 mA, IB = 15 mA та при IC = 500 mA, IB = 50 mA. Ці точки IC/IB = 10 не є універсальним правилом керування. Недостатній струм бази може збільшити VCE та втрати залежно від навантаження. Межа ts ≤ 225 ns діє лише при VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA та TA = 25°C, а не за довільних умов ШІМ.

Як уникнути

Обирайте керування базою для потрібних струму, напруги й температури за відповідними умовами випробування. Перевірте здатність драйвера віддавати та поглинати струм і гарантовані вихідні напруги; випробувальний струм бази 50 mA може перевищувати межу GPIO. Вимкнення та будь-яке коло керування зарядом потребують окремої перевірки схеми.

Типові схеми ввімкнення

Ключ керування реле на NPN-транзисторі 2N2222 / 2N2222A з демпферним діодом 1N4007

Топологія: Схема насиченого ключа нижнього плеча зі спільним емітером на NPN-транзисторі з базовим резистором обмеження струму, підтяжкою 10 кОм до землі, зустрічно-паралельним демпферним діодом 1N4007 та розв'язкою шини живлення.

Переглянути схемуВідкрити у Web CAD редакторі

Офіційна документація та першоджерела

Офіційні даташити виробників напівпровідників, описи ревізій та технічні керівництва.

DATASHEETCentral Semiconductor

2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors

DATASHEETCentral Semiconductor

Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification

Допоможіть тримати сторінку точною

Знайшли пін, корпус або параметр, що не збігається з даташитом? Повідомте про це.

Повідомити про проблему

Відкриває публічну форму на GitHub, де цю сторінку вже вказано; потрібен безкоштовний акаунт GitHub. Як працюють звіти й підтвердження

Схожі компоненти

onsemi

2N3904

Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.

onsemi

2N3906

Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.

Vishay

1N4007

Випрямний діод Vishay 1N4007 DO-41: максимум VRRM 1000 V; IF(AV) 1 A за TA = 75°C, довжини виводів 9.5 mm та резистивного або індуктивного навантаження 60 Hz.

Vishay

1N4148

Аксіальний комутаційний діод Vishay 1N4148 у корпусі DO-35. Чорна смуга катода, гранична постійна зворотна напруга 75 V та максимальний час зворотного відновлення 4 ns за заданих умов випробувань.