Потужні MOSFET транзисториУ виробництві

IRLZ44NPbF

Виробник: Infineon Technologies

Дані взято з даташиту: Infineon Technologies, ред. Rev. 2.1, 12 серпня 2026 р.

Силовий N-канальний MOSFET логічного рівня Infineon IRLZ44NPbF у корпусі TO-220AB з розпіновкою G-D-S і фланцем, з'єднаним зі стоком; опір відкритого каналу нормовано за окремих умов керування затвором 4 V, 5 V та 10 V.

КорпусиTO-220AB

Технічний огляд

01

Технічний огляд

Infineon IRLZ44NPbF — силовий N-канальний MOSFET логічного рівня HEXFET, описаний у даташиті ред. 2.1 від 2026-08-12. Вивідний корпус TO-220AB (PG-TO220-3-U05) має затвор, стік і витік на виводах 1, 2 та 3; монтажний фланець з'єднаний зі стоком. Напруга пробою стік–витік V(BR)DSS нормована як щонайменше 55 V при VGS = 0 V, ID = 250 µA та TJ = 25°C. Абсолютні граничні постійні струми стоку становлять 47 A при TC = 25°C і 33 A при TC = 100°C, обидва за VGS = 10 V; гранична потужність розсіювання 110 W також вимагає TC = 25°C. Ці граничні параметри за температурою корпусу не є гарантіями для температури довкілля, струму плати чи навантаження з керуванням від GPIO. Абсолютний діапазон температури переходу TJ = −55…+175°C відрізняється від температури довкілля; наведені теплові опори 1.4°C/W перехід–корпус та 62°C/W перехід–довкілля є максимальними. Поріг затвора VGS(th) = 1.0–2.0 V перевіряють при ID = 250 µA та VDS = VGS (TJ = 25°C); він не встановлює провідність для корисного струму навантаження чи поріг перемикання цифрового входу. Окремо максимальний RDS(on) становить 22 mΩ при VGS = 10 V та ID = 25 A, 25 mΩ при VGS = 5 V та ID = 25 A, а також 35 mΩ при VGS = 4 V та ID = 21 A, в усіх випадках за TJ = 25°C, тривалості імпульсу ≤300 µs та коефіцієнта заповнення ≤2%. Оцінюючи застосування ключа, використовуйте таблиці з умовами тестів і реальний розрахунок теплового режиму та керування затвором.

Розпіновка та альтернативні функції

Інтерактивна розпіновка та призначення виводів корпусу TO-220AB-3.

Інтерактивна схема розпіновкиСпереду

IRLZ44NPbF: ілюстрація корпусу TO-220ABІнтерактивна розпіновка та призначення виводів корпусу TO-220AB.1: G2: D3: S

Ілюстрація корпусу, а не механічне креслення з розмірами.

3 / 3 виводів
#Назва пінаТипТолерантність до 5VАльтернативні функції / деталі
Gpassive—
Вивід затвора; напруги відлічують від витоку. VGS(th) = 1.0–2.0 V при ID = 250 µA, VDS = VGS та TJ = 25°C є тестом порогу, а не гарантією керування корисним навантаженням чи цифровим логічним порогом. Абсолютна межа VGS: ±16 V.
Dpassive—
Силовий вивід стоку (внутрішньо з'єднаний із металевим фланцем корпусу TO-220)
Spassive—
Вивід витоку та опорний вузол для VGS; підключається до землі лише у відповідній топології нижнього ключа, а не є виводом землі за своєю природою.

Основні характеристики

Параметричні характеристики

ПараметрМін.ТиповеМакс.ОдиницяУмови вимірювання
Напруга пробою стік-витік(V(BR)DSS)55——VVGS = 0 В, ID = 250 мкА, TJ = 25°C
Постійний струм стоку при 25°C(ID_25C)——47AАбсолютний максимальний постійний струм стоку, VGS = 10 V, TC = 25°C (с. 1); температура корпусу, а не довкілля чи допустимий струм плати.
Постійний струм стоку при 100°C(ID_100C)——33AАбсолютний максимальний постійний струм стоку, VGS = 10 V, TC = 100°C (с. 1); температура корпусу, а не довкілля чи допустимий струм плати.
Імпульсний струм стоку(IDM)——160AАбсолютний максимальний повторюваний імпульсний струм стоку; тривалість імпульсу обмежується максимальною температурою переходу (примітка 1, с. 2; див. рис. 11). Це не дозвіл на постійний струм.
Опір у відкритому стані RDS(on) при 10В(RDS_ON_10V)——0.022ΩVGS = 10 В, ID = 25 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2%)
Опір у відкритому стані RDS(on) при 5В(RDS_ON_5V)——0.025ΩVGS = 5.0 В, ID = 25 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2%)
Опір у відкритому стані RDS(on) при 4В(RDS_ON_4V)——0.035ΩVGS = 4.0 В, ID = 21 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2%)
Порогова напруга затвора(VGS_TH)1—2VVDS = VGS, ID = 250 мкА, TJ = 25°C
Пряма крутизна характеристики (транскондуктанс)(gfs)21——SVDS = 25 В, ID = 25 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp <= 300 мкс, коефіцієнт заповнення <= 2%)
Повний заряд затвора(Qg)——48nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; тривалість імпульсу ≤300 µs, коефіцієнт заповнення ≤2% (примітка 4, с. 2; рис. 6 та 13).
Заряд затвор-витік(Qgs)——8.6nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; тривалість імпульсу ≤300 µs, коефіцієнт заповнення ≤2% (примітка 4, с. 2; рис. 6 та 13).
Заряд затвор-стік (Міллера)(Qgd)——25nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; тривалість імпульсу ≤300 µs, коефіцієнт заповнення ≤2% (примітка 4, с. 2; рис. 6 та 13).
Вхідна ємність(Ciss)—1700—pFVGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1.0 МГц, TJ = 25°C
Вихідна ємність(Coss)—400—pFVGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1.0 МГц, TJ = 25°C
Прохідна ємність (зворотного зв'язку)(Crss)—150—pFVGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1.0 МГц, TJ = 25°C
Абсолютна максимальна потужність розсіювання(PD)——110WTC = 25°C, абсолютний максимальний рейтинг (с. 1); температура корпусу, а не довкілля. Коефіцієнт лінійного зниження: 0.71 W/°C.
Діапазон температури переходу(TJ)-55—175°CРобоча температура переходу, абсолютні граничні параметри (с. 1); це не діапазон робочої температури довкілля.

Гранично допустимі параметри

Температура зберігання-55 – 175 °C
Тепловий опір θJA (TO-220AB)62 °C/W
Тепловий опір θJC (TO-220AB)1.4 °C/W

Інженерні нюанси та підводні камені

Реальні апаратні застереження, обмеження розводки плати та помилки кристала, які варто знати до виготовлення.

Критично

Абсолютна межа напруги затвор–витік: ±16 V

Абсолютна гранична напруга затвор–витік IRLZ44NPbF становить VGS = ±16 V (с. 1). Це граничне електричне навантаження, а не гарантований фізичний поріг пробою затвора. Комутаційні перехідні процеси, зв'язок через ємність затвор–стік і дзвін можуть змінювати VGS відносно вузла витоку; оцінюйте додатні й від'ємні викиди у конкретній схемі. Перевищення абсолютної межі може пошкодити компонент.

Як уникнути

Оцінюйте напругу керування затвором і захист від перехідних процесів відносно витоку з урахуванням обох полярностей та допуску обмежувача, щоб реальна VGS залишалась у межах абсолютного рейтингу. Якщо застосовано обмежувач затвор–витік, перевірте його напругу, імпульсну здатність і вплив на нормальне керування; розміщуйте захист та зворотний провідник затвора поблизу компонента. Не вважайте зашумлену шину живлення придатним виходом драйвера затвора.

Критично

Заряд затвора та динамічні втрати при прямому керуванні від мікроконтролера

Максимальні RDS(on) становлять 22 mΩ при VGS = 10 V / ID = 25 A, 25 mΩ при VGS = 5 V / ID = 25 A та 35 mΩ при VGS = 4 V / ID = 21 A, усі за TJ = 25°C, тривалості імпульсу ≤300 µs і коефіцієнта заповнення ≤2% (с. 2, примітка 4). Це тести за визначених умов, а не обіцянка повної провідності для будь-якого навантаження чи теплового стану. Даташит не нормує межу RDS(on) при керуванні затвором 3.3 V. Сумарний заряд затвора Qg — не більше 48 nC при ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V та TJ = 25°C, за тих самих імпульсних умов примітки 4. Ciss = 1700 pF — типове значення при VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz та TJ = 25°C, а не стала чи максимальна вхідна ємність. Реальна здатність драйвера подавати й відводити струм та його вихідний опір впливають на тривалість переходів затвора й комутаційні втрати; з цього даташиту MOSFET не випливає універсальна струмова здатність GPIO.

Як уникнути

Оцінюйте реальну вихідну напругу драйвера відносно витоку, здатність заряджати й розряджати затвор, частоту комутації та теплові умови за відповідними тестами опору й заряду. Саме досягнення 4 V або 5 V не гарантує конкретного струму навантаження чи прийнятних втрат. За потреби розгляньте драйвер затвора або буфер, здатний подавати й відводити необхідні пікові струми, та перевірте тривалість переходів і комутаційні втрати в отриманій схемі.

Увага

Електричне з'єднання тепловідвідного фланця з виводом стоку

У корпусі TO-220AB металевий фланець внутрішньо з'єднаний із виводом 2 (стік). У схемі нижнього ключа потенціал стоку коливається між землею та напругою живлення навантаження. Монтаж фланця на заземлений радіатор без електричної ізоляції закорочує транзистор, постійно підключаючи навантаження до землі та викликаючи його неконтрольоване увімкнення.

Як уникнути

При монтажі транзистора на заземлене шасі або спільний радіатор обов'язково використовуйте теплопровідну ізоляційну прокладку та ізоляційну шайбу з буртиком (втулку) для гвинта кріплення.

Типові схеми ввімкнення

IRLZ44N: силовий ключ нижнього плеча на MOSFET логічного рівня

Топологія: Схема силового N-канального ключа логічного рівня з демпфуванням затвора 100 Ом, резистором підтяжки 10 кОм до землі, зворотним діодом гасіння індуктивних викидів і розв'язаною шиною 12В/24В для прямого керування від мікроконтролера.

Офіційна документація та першоджерела

Офіційні даташити виробників напівпровідників, описи ревізій та технічні керівництва.

Допоможіть тримати сторінку точною

Знайшли пін, корпус або параметр, що не збігається з даташитом? Повідомте про це.

Відкриває публічну форму на GitHub, де цю сторінку вже вказано; потрібен безкоштовний акаунт GitHub. Як працюють звіти й підтвердження

Схожі компоненти