3 компоненти

Потужні MOSFET транзистори

Досліджуйте даташити, розпіновки корпусів та технічні характеристики для компонентів класу Потужні MOSFET транзистори.

  • 2N7000

    2N7000

    TO-92 · 3 пінів

    onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.

    onsemi
  • BSS138

    BSS138

    SOT-23 · 3 пінів

    onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.

    onsemi
  • IRLZ44NPbF

    IRLZ44NPbF

    TO-220AB · 3 пінів

    Силовий N-канальний MOSFET логічного рівня Infineon IRLZ44NPbF у корпусі TO-220AB з розпіновкою G-D-S і фланцем, з'єднаним зі стоком; опір відкритого каналу нормовано за окремих умов керування затвором 4 V, 5 V та 10 V.

    Infineon Technologies