Güç MOSFET'leriÜretimde

IRLZ44NPbF

Üretici: Infineon Technologies

Değerlerin alındığı veri sayfası: Infineon Technologies, revizyon Rev. 2.1, 12 Ağustos 2026

TO-220AB kılıfında G-D-S bacak dizilimli ve drene bağlı montaj sekmeli Infineon IRLZ44NPbF N-kanal lojik seviyeli güç MOSFET’i; iletim direnci ayrı 4 V, 5 V ve 10 V kapı sürüşü test koşullarında belirtilir.

KılıflarTO-220AB
Resmi Datasheet (PDF)

Teknik İnceleme

01

Teknik İnceleme

Infineon IRLZ44NPbF, Rev. 2.1, 2026-08-12 bilgi formunda belgelenmiş N-kanal lojik seviyeli HEXFET güç MOSFET’idir. Delik içi montajlı TO-220AB (PG-TO220-3-U05) kılıfında kapı, dren ve kaynak sırasıyla 1, 2 ve 3 numaralı bacaklardadır; montaj sekmesi drene bağlıdır. Dren–kaynak kırılma gerilimi V(BR)DSS, VGS = 0 V, ID = 250 µA ve TJ = 25°C koşulunda en az 55 V olarak belirtilir. Mutlak sürekli dren akımı sınırları TC = 25°C’de 47 A ve TC = 100°C’de 33 A’dır; her ikisi VGS = 10 V koşulundadır. 110 W mutlak güç kaybı sınırı da TC = 25°C gerektirir. Bu kılıf sıcaklığına bağlı zorlanma sınırları ortam sıcaklığı, kart akımı veya GPIO ile sürülen yük garantisi değildir. Mutlak TJ = −55 ila +175°C jonksiyon sıcaklığı aralığı ortam sıcaklığından farklıdır; verilen 1.4°C/W jonksiyon–kılıf ve 62°C/W jonksiyon–ortam termal dirençleri maksimum değerlerdir. VGS(th) = 1.0–2.0 V kapı eşiği, ID = 250 µA ve VDS = VGS koşullarında test edilir (TJ = 25°C); kullanışlı yük akımı iletimini veya dijital giriş anahtarlama eşiğini belirlemez. Ayrı olarak maksimum RDS(on), VGS = 10 V ve ID = 25 A için 22 mΩ, VGS = 5 V ve ID = 25 A için 25 mΩ, VGS = 4 V ve ID = 21 A için 35 mΩ’dur; tümü TJ = 25°C, darbe genişliği ≤300 µs ve görev döngüsü ≤2% koşullarındadır. Anahtarlama uygulamasını değerlendirirken koşulları belirtilmiş tabloları, gerçek termal tasarımı ve kapı sürüşünü esas alın.

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

TO-220AB-3 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.

İnteraktif pin dizilim şemasıÖn

IRLZ44NPbF: TO-220AB paket gösterimiTO-220AB paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.1: G2: D3: S

Paket çizimi, ölçülendirilmiş mekanik çizim değildir.

3 / 3 pin
#Pin adıTür5V toleranslıAlternatif işlevler / ayrıntılar
Gpassive—
Kapı ucu; gerilimler kaynağa göre tanımlanır. ID = 250 µA, VDS = VGS ve TJ = 25°C koşulundaki VGS(th) = 1.0–2.0 V bir eşik testidir; kullanışlı yük sürüşü garantisi veya dijital lojik eşik değildir. Mutlak VGS sınırı: ±16 V.
Dpassive—
Dren güç ucu (TO-220 kılıfının metal montaj sekmesine dahili olarak bağlıdır)
Spassive—
Kaynak ucu ve VGS referansı; yalnızca uygun bir alt kol anahtarlama topolojisinde devre toprağına bağlanır, doğası gereği toprak bacağı değildir.

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

ParametreMin.TipikMaks.BirimTest koşulu
Dren-Kaynak Kırılma Gerilimi(V(BR)DSS)55——VVGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C
25°C'de Sürekli Dren Akımı(ID_25C)——47AMutlak maksimum sürekli dren akımı, VGS = 10 V, TC = 25°C (s. 1); kılıf sıcaklığıdır, ortam sıcaklığı veya kart akım kapasitesi değildir.
100°C'de Sürekli Dren Akımı(ID_100C)——33AMutlak maksimum sürekli dren akımı, VGS = 10 V, TC = 100°C (s. 1); kılıf sıcaklığıdır, ortam sıcaklığı veya kart akım kapasitesi değildir.
Darbeli Dren Akımı(IDM)——160AMutlak maksimum tekrarlamalı darbeli dren akımı; darbe genişliği maksimum jonksiyon sıcaklığıyla sınırlıdır (not 1, s. 2; Şekil 11’e bakın). Sürekli akım izni değildir.
10V'ta İletim Direnci RDS(on)(RDS_ON_10V)——0.022ΩVGS = 10 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2%)
5V'ta İletim Direnci RDS(on)(RDS_ON_5V)——0.025ΩVGS = 5.0 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2%)
4V'ta İletim Direnci RDS(on)(RDS_ON_4V)——0.035ΩVGS = 4.0 V, ID = 21 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2%)
Kapı Eşik Gerilimi(VGS_TH)1—2VVDS = VGS, ID = 250 µA, TJ = 25°C
İleri Transkondüktans / İleri Geçiş İletkenliği(gfs)21——SVDS = 25 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp <= 300 µs, görev döngüsü <= 2%)
Toplam Kapı Yükü(Qg)——48nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; darbe genişliği ≤300 µs, görev döngüsü ≤2% (not 4, s. 2; Şekil 6 ve 13).
Kapı-Kaynak Yükü(Qgs)——8.6nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; darbe genişliği ≤300 µs, görev döngüsü ≤2% (not 4, s. 2; Şekil 6 ve 13).
Kapı-Dren Miller Yükü(Qgd)——25nCID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; darbe genişliği ≤300 µs, görev döngüsü ≤2% (not 4, s. 2; Şekil 6 ve 13).
Giriş Kapasitansı(Ciss)—1700—pFVGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C
Çıkış Kapasitansı(Coss)—400—pFVGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C
Ters Transfer Kapasitansı(Crss)—150—pFVGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C
Mutlak Maksimum Güç Kaybı(PD)——110WTC = 25°C, mutlak maksimum sınır (s. 1); kılıf sıcaklığıdır, ortam sıcaklığı değildir. Doğrusal azaltma katsayısı: 0.71 W/°C.
Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı(TJ)-55—175°CÇalışma jonksiyon sıcaklığı, mutlak maksimum sınırlar (s. 1); ortam çalışma sıcaklığı aralığı değildir.

Mutlak Maksimum Değerler

Depolama sıcaklığı-55 – 175 °C
Termal direnç θJA (TO-220AB)62 °C/W
Termal direnç θJC (TO-220AB)1.4 °C/W

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Üretimden önce bilinmesi gereken gerçek donanım uyarıları, PCB yerleşim kısıtları ve silikon hataları.

Kritik

Kapı–Kaynak Mutlak Gerilim Sınırı: ±16 V

IRLZ44NPbF mutlak kapı–kaynak gerilimi sınırı VGS = ±16 V’dir (s. 1). Bu bir zorlanma sınırıdır; garantili fiziksel kapı kırılma eşiği değildir. Anahtarlama geçişleri, kapı–dren kapasitansı üzerinden kuplaj ve çınlama, kaynak düğümüne göre VGS’yi değiştirebilir; gerçek devrede hem pozitif hem negatif sapmaları değerlendirin. Mutlak sınırın aşılması aygıta zarar verebilir.

Önlem

Gerçek VGS’nin mutlak sınır içinde kalması için kapı sürüşü gerilimini ve geçici gerilim korumasını kaynak düğümüne göre, her iki polariteyi ve kenetleme toleransını içerecek şekilde değerlendirin. Kapı–kaynak kenetleyicisi kullanılıyorsa gerilimini, darbe kapasitesini ve normal sürüşe etkisini kontrol edin; korumayı ve kapı dönüş yolunu aygıta yakın yerleştirin. Gürültülü bir besleme hattının uygun kapı sürücüsü çıkışı olduğunu varsaymayın.

Kritik

Mikrodenetleyici Sürüşünde Kapı Yükü ve Anahtarlama Kayıpları

Maksimum RDS(on) değerleri VGS = 10 V / ID = 25 A için 22 mΩ, VGS = 5 V / ID = 25 A için 25 mΩ ve VGS = 4 V / ID = 21 A için 35 mΩ’dur; tümü TJ = 25°C, darbe genişliği ≤300 µs ve görev döngüsü ≤2% koşullarında geçerlidir (s. 2, not 4). Bunlar koşullu testlerdir; her yük veya ısıl durum için tam iletim sözü değildir. Bilgi formu 3.3 V kapı sürüşünde bir RDS(on) sınırı belirtmez. Toplam kapı yükü Qg, ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V ve TJ = 25°C’de aynı not 4 darbe koşullarıyla en fazla 48 nC’dir. Ciss = 1700 pF, VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz ve TJ = 25°C koşulunda tipik değerdir; sabit veya maksimum giriş kapasitansı değildir. Sürücünün gerçek akım sağlama/çekme kapasitesi ve çıkış empedansı, kapı geçiş sürelerini ve anahtarlama kayıplarını etkiler; bu MOSFET bilgi formundan evrensel bir GPIO akım kapasitesi çıkarılamaz.

Önlem

Sürücünün gerçek çıkış gerilimini kaynağa göre, şarj/deşarj kapasitesini, anahtarlama frekansını ve ısıl koşulları ilgili direnç ve kapı yükü testlerine göre değerlendirin. Yalnızca 4 V veya 5 V’a ulaşmak belirli bir yük akımını veya kabul edilebilir kayıpları garanti etmez. Gerektiğinde gerekli tepe akımlarını sağlayabilen ve çekebilen bir kapı sürücüsü veya tamponu değerlendirin; oluşan devrede geçiş sürelerini ve anahtarlama güç kaybını doğrulayın.

Uyarı

Montaj Sekmesinin Dahili Olarak Dren Ucuna Bağlı Olması

TO-220AB kılıfında metal montaj sekmesi dahili olarak pim 2'ye (dren) bağlıdır. Alt kol anahtarlama devresinde dren ucu toprak ile yük gerilimi arasında salınır. Sekmenin elektriksel yalıtım olmadan doğrudan topraklanmış bir soğutucuya bağlanması MOSFET'i devre dışı bırakır, yükün dönüşünü kalıcı olarak toprağa bağlar ve yükün kontrolsüz çalışmasına neden olur.

Önlem

Transistörü topraklanmış bir soğutucuya veya metal şasiye monte ederken montaj vidasını sekmeden yalıtmak için her zaman termal iletken bir yalıtım pedi ve izolasyonlu omuzlu pul (yalıtım burcu) kullanın.

Örnek Uygulama Devreleri

IRLZ44N Mantık Seviyeli N-Kanal MOSFET Alt Kol DC Anahtarı

Topoloji: Mikrodenetleyici kontrolü için kapı sönümleme direnci (100 Ω), 10 kΩ pull-down direnci, endüktif yükler için flyback koruma diyotu ve dekuplajlı 12V/24V güç hattına sahip alt kol N-kanal mantık seviyeli güç anahtarı devresi.

Şemayı inceleWeb CAD Düzenleyicide Aç

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

Yarı iletken üreticisi veri sayfaları, hata bültenleri (errata) ve uygulama notları.

DATASHEETInfineon Technologies

IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

Veri sayfasıyla uyuşmayan bir pin, kılıf veya parametre mi buldunuz? Bildirin.

Sorun bildir

GitHub'da bu sayfanın önceden doldurulduğu herkese açık bir form açar; ücretsiz bir GitHub hesabı gerekir. Bildirimler ve onaylar nasıl işler

İlgili bileşenler

onsemi

2N7000

onsemi 2N7000 N-kanallı MOSFET, TO-92 (CASE 135AN), S-G-D bacak dizilimi; mutlak sınırlar: VDSS 60 V ve TC = 25°C koşulunda sürekli ID 200 mA.

onsemi

BSS138

onsemi BSS138: SOT-23 (CASE 318-08) kılıfta lojik seviye N-kanal MOSFET, G-S-D pin dizilimi; 50 V mutlak VDSS sınırı ve TA = 25°C ortamda 220 mA sürekli ID akım limiti.

Vishay

1N4007

Vishay 1N4007 DO-41 doğrultucu: maksimum VRRM 1000 V; TA = 75°C, 9.5 mm bacak boyu ve 60 Hz dirençli veya endüktif yük koşullarında IF(AV) 1 A.

Vishay

1N4148

DO-35 kılıflı eksenel Vishay 1N4148 anahtarlama diyotu. Siyah katot bandı, 75 V sürekli ters gerilim sınırı ve belirtilen test koşullarında maksimum 4 ns ters toparlanma süresi.