Amplificadores Operacionales y ComparadoresObsoleto

LMC6482AIM/NOPB

Fabricante: Texas Instruments

Datos tomados de la hoja de datos: Texas Instruments, revisión SNOS674J, septiembre de 2024

Amplificador operacional doble CMOS rail-to-rail en SOIC-8, con corriente de polarización de entrada típica de 20 fA y CMRR típico de 82 dB bajo condiciones especificadas; intervalo total de alimentación recomendado de 3.0 V a 15.5 V.

EncapsuladosSOIC-8
Tensión de alimentación3 – 15.5 V

Descripción técnica

01

Descripción técnica

Las pruebas de modo común indicadas utilizan V+ = 5 V y 15 V, V- = 0 V y CMRR >= 50 dB. El LMC6482 es un amplificador operacional doble CMOS de Texas Instruments con rango de entrada en modo común y excursión de salida rail-to-rail en un intervalo de alimentación recomendado total VS = (V+) - (V-) de 3,0 V a 15,5 V para configuraciones de alimentación simple o simétrica. A 25°C, el rango de modo común de entrada se extiende típicamente 0,25 V más allá de ambas líneas ((V-) - 0,25 V <= VCM <= (V+) + 0,25 V), con límites de prueba que cubren de (V-) - 0,3 V a (V+) + 0,3 V. En todo el rango de temperatura de -40°C a 85°C, el rango de modo común se especifica de V- a V+ manteniendo un CMRR >= 50 dB. No se produce inversión de fase cuando las entradas alcanzan las líneas de alimentación. La ausencia de inversión de fase junto a las líneas no elimina los límites de tensión y corriente de entrada.

La etapa de salida alcanza excursiones hasta 20 mV de cada línea con una carga ligera de 100 kΩ. Con carga resistiva moderada (RL = 2 kΩ al punto medio 2.5 V con V+ = 5 V, TJ = 25°C), la excursión de nivel alto alcanza VOH >= 4,8 V (4,9 V típico) y la de nivel bajo VOL <= 0,18 V (0,1 V típico); en todo el rango de temperatura, los límites son VOH >= 4,7 V y VOL <= 0,24 V. Son valores condicionados y no garantizan una salida de cero voltios con cualquier corriente absorbida.

El GBW típico es 1.5 MHz a 15 V, la velocidad de respuesta típica es 1.3 V/µs en la prueba especificada de 15 V con escalón de 10 V, y el margen de fase típico es 50° bajo las condiciones de la tabla de 5 V. El comportamiento como comparador en bucle abierto no está caracterizado. Típicamente excita 100 pF directamente a VS = 15 V con ganancia unitaria sin oscilación; la estabilidad real con carga capacitiva depende del circuito. La magnitud típica de la corriente de polarización es 20 fA a 25°C, con máximo de 4.0 pA entre TA = -40°C y 85°C bajo las condiciones indicadas de 5 V. Los anillos de guarda y un montaje limpio ayudan a controlar los errores por fugas superficiales en circuitos de alta impedancia.

Según el Package Option Addendum de Texas Instruments (con fecha 5-Mar-2026), la referencia en tubo LMC6482AIM/NOPB figura como Obsoleta, mientras que la versión en cinta y carrete LMC6482AIMX/NOPB y la versión PDIP LMC6482AIN/NOPB permanecen Activas. El encapsulado SOIC lleva el marcado superior LMC6482AIM.

Distribución de pines y funciones alternativas

Distribución interactiva de pines y funciones del encapsulado SOIC-8.

Diagrama de pinout interactivoSuperior

LMC6482AIM/NOPB: ilustración del encapsulado SOIC-8Distribución interactiva de pines y funciones del encapsulado SOIC-8.1: OUT_A2: IN_A_NEG3: IN_A_POS4: V_MINUS8: V_PLUS7: OUT_B6: IN_B_NEG5: IN_B_POS

Ilustración del encapsulado, no un plano mecánico acotado.

8 / 8 pines
#Nombre del pinTipoTolerante a 5VFunciones alternativas / detalles
OUT_Aanalog out—
Terminal de salida del canal A (excursión rail-to-rail a menos de 20 mV de las líneas con carga de 100 kΩ)
IN_A_NEGanalog inNo
Terminal de entrada inversora del canal A (-)
IN_A_POSanalog inNo
Terminal de entrada no inversora del canal A (+)
V_MINUSpower in—
Terminal de alimentación negativa (conectar a tierra 0 V en alimentación simple o a línea negativa en alimentación partida)
IN_B_POSanalog inNo
Terminal de entrada no inversora del canal B (+)
IN_B_NEGanalog inNo
Terminal de entrada inversora del canal B (-)
OUT_Banalog out—
Terminal de salida del canal B (excursión rail-to-rail a menos de 20 mV de las líneas con carga de 100 kΩ)
V_PLUSpower in—
Terminal de alimentación positiva (rango total recomendado VS = (V+) - (V-) de 3,0 V a 15,5 V, máximo absoluto diferencial de 16,0 V)

Especificaciones clave

Atributos paramétricos

ParámetroMín.TípicoMáx.UnidadCondición de prueba
Magnitud de tensión de compensación de entrada (Grado A)(|VOS|)—0.110.75mVVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C (grado A)
Magnitud de deriva media de tensión de compensación(|TCVOS|)—1—µV/°CVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TA = -40°C to 85°C
Magnitud de corriente de polarización de entrada(|IB|)—0.024pAVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ; valor típico a TJ = 25°C, máximo entre TA = -40°C y 85°C
Magnitud de corriente de compensación de entrada(|IOS|)—0.012pAVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ; valor típico a TJ = 25°C, máximo entre TA = -40°C y 85°C
Relación de rechazo en modo común (CMRR)(CMRR)7082—dBV+ = 5 V, V- = 0 V, 0 V <= VCM <= 5 V, VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C (grado A)
Rechazo a la alimentación positiva (+PSRR)(+PSRR)7082—dB5 V <= V+ <= 15 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C (grado A)
Excursión de tensión de salida a nivel alto(VOH)4.84.9—VV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = 2.5 V, RL = 2 kΩ to 2.5 V, TJ = 25°C
Excursión de tensión de salida a nivel bajo(VOL)—0.10.18VV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = 2.5 V, RL = 2 kΩ to 2.5 V, TJ = 25°C
Producto ganancia-ancho de banda (GBW)(GBW)—1.5—MHzV+ = 15 V, V- = 0 V, VCM = VO = 7.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C
Velocidad de respuesta (Slew Rate)(SR)11.3—V/µsV+ = 15 V, V- = 0 V, escalón de 10 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C; grado A, la menor de las velocidades positiva y negativa (nota 2)
Corriente de alimentación por amplificador(IS)—500700µAV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C; por amplificador
Densidad de ruido de tensión de entrada (1 kHz)(en)—37—nV/√HzV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = 1 V, VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, f = 1 kHz, TJ = 25°C
Margen de fase(phi_m)—50—degV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C
Temperatura de unión recomendada(TJ_rec)-40—85°CSección 5.3: intervalo de temperatura de unión, no especificación de temperatura ambiente
Temperatura de unión máxima absoluta(TJ_abs)——150°CSección 5.1: límite absoluto de esfuerzo; no implica funcionamiento en estas condiciones
Magnitud máxima absoluta de corriente del terminal de salida(|IO_abs|)——30mASección 5.1: límite absoluto ±30 mA, no capacidad de excitación lineal; superar la corriente a largo plazo afecta a la fiabilidad; no cortocircuite la salida a V+ cuando V+ > 13 V

Valores máximos absolutos

Tensión de alimentación máx. (VDD/VCC)16 V
Temperatura de almacenamiento-65 – 150 °C
Tolerancia ESD (HBM)1500 V
Resistencia térmica θJA (SOIC-8)128.9 °C/W
Resistencia térmica θJC (SOIC-8)68.6 °C/W

Puntos críticos de ingeniería

Advertencias reales de hardware, restricciones de diseño de PCB y erratas del silicio que conviene conocer antes de fabricar.

Advertencia

Caída de tensión al absorber corriente cerca de la línea negativa (GND)

La excursión de salida depende de la corriente suministrada o absorbida, la alimentación y la temperatura. Con V+ = 5 V, V- = 0 V y carga de 2 kΩ conectada a 2.5 V, VOL es típicamente 0.1 V y como máximo 0.18 V a 25°C; el máximo entre TA = -40°C y 85°C es 0.24 V. Rail-to-rail no significa una salida de cero voltios con cualquier carga.

Mitigación

Determine el intervalo de salida y la corriente de carga necesarios, y compruebe el presupuesto de error mediante las especificaciones de excursión con sus condiciones. Valide cualquier alimentación o polarización externa de salida diferente frente a los límites de alimentación total, entrada y modo común, corriente, temperatura y estabilidad; cambiar una línea no elimina por sí solo el offset ni otros errores.

Advertencia

Reducción del margen de fase con carga capacitiva

La excitación de cargas capacitivas externas interactúa con la impedancia de salida en bucle abierto del amplificador, introduciendo un polo adicional que reduce el margen de fase. Aunque el dispositivo típicamente excita hasta 100 pF directamente a VS = 15 V en ganancia unitaria sin oscilación, cargas mayores o tensiones más bajas pueden provocar sobreoscilaciones, oscilación amortiguada o inestabilidad.

Mitigación

La figura 7-8 de TI ilustra una resistencia de aislamiento serie de 300 Ω con carga de 330 pF fuera del bucle de realimentación. La figura 7-10 ilustra una resistencia de 300 Ω y un condensador de realimentación de CA de 100 pF con carga de 330 pF. Son ejemplos de aplicación, no valores universales: seleccione y verifique la compensación para el circuito real y la respuesta al pulso deseada.

Advertencia

Fugas superficiales en PCB que superan la corriente de polarización femtoamperio

Con una corriente de polarización de entrada típica de solo 20 fA a 25°C, las fugas superficiales parásitas en la PCB pueden superar fácilmente la corriente propia en órdenes de magnitud (por ejemplo, 5 V a través de 10^12 Ω inyectan 5 pA, 250 veces el valor típico). Los restos de fundente, la contaminación iónica y la humedad degradan el aislamiento de la placa.

Mitigación

Rodee las pistas de entrada de alta impedancia con anillos de guarda en las capas superior e inferior de la PCB al mismo potencial de entrada (por ejemplo, conectados al nodo inversor en un seguidor). Limpie minuciosamente los residuos de fundente o emplee terminales de PTFE y cableado aéreo en aplicaciones de electrómetro extremas.

Documentación oficial y hojas de datos citadas

Hojas de datos, erratas y notas de aplicación de los fabricantes de semiconductores.

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