[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:irlz44n:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":179,"related":180,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":139,"datasheetUrl":17,"documentationSources":154,"applicationCircuits":162,"equivalents":167,"mountedOnBoards":168,"seo":169},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.infineon.com\u002Fassets\u002Frow\u002Fpublic\u002Fdocuments\u002F24\u002F49\u002Finfineon-irlz44npbf-datasheet-en.pdf","irlz44n","IRLZ44NPbF","power_mosfet",[22],"Infineon Technologies","active","Силовий N-канальний MOSFET логічного рівня Infineon IRLZ44NPbF у корпусі TO-220AB з розпіновкою G-D-S і фланцем, з'єднаним зі стоком; опір відкритого каналу нормовано за окремих умов керування затвором 4 V, 5 V та 10 V.","Infineon IRLZ44NPbF — силовий N-канальний MOSFET логічного рівня HEXFET, описаний у даташиті ред. 2.1 від 2026-08-12. Вивідний корпус TO-220AB (PG-TO220-3-U05) має затвор, стік і витік на виводах 1, 2 та 3; монтажний фланець з'єднаний зі стоком. Напруга пробою стік–витік V(BR)DSS нормована як щонайменше 55 V при VGS = 0 V, ID = 250 µA та TJ = 25°C. Абсолютні граничні постійні струми стоку становлять 47 A при TC = 25°C і 33 A при TC = 100°C, обидва за VGS = 10 V; гранична потужність розсіювання 110 W також вимагає TC = 25°C. Ці граничні параметри за температурою корпусу не є гарантіями для температури довкілля, струму плати чи навантаження з керуванням від GPIO. Абсолютний діапазон температури переходу TJ = −55…+175°C відрізняється від температури довкілля; наведені теплові опори 1.4°C\u002FW перехід–корпус та 62°C\u002FW перехід–довкілля є максимальними. Поріг затвора VGS(th) = 1.0–2.0 V перевіряють при ID = 250 µA та VDS = VGS (TJ = 25°C); він не встановлює провідність для корисного струму навантаження чи поріг перемикання цифрового входу. Окремо максимальний RDS(on) становить 22 mΩ при VGS = 10 V та ID = 25 A, 25 mΩ при VGS = 5 V та ID = 25 A, а також 35 mΩ при VGS = 4 V та ID = 21 A, в усіх випадках за TJ = 25°C, тривалості імпульсу ≤300 µs та коефіцієнта заповнення ≤2%. Оцінюючи застосування ключа, використовуйте таблиці з умовами тестів і реальний розрахунок теплового режиму та керування затвором.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"pitchMm":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-220AB",3,2.54,62,1.4,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"G","passive",false,"none","Вивід затвора; напруги відлічують від витоку. VGS(th) = 1.0–2.0 V при ID = 250 µA, VDS = VGS та TJ = 25°C є тестом порогу, а не гарантією керування корисним навантаженням чи цифровим логічним порогом. Абсолютна межа VGS: ±16 V.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"D","Силовий вивід стоку (внутрішньо з'єднаний із металевим фланцем корпусу TO-220)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"S","Вивід витоку та опорний вузол для VGS; підключається до землі лише у відповідній топології нижнього ключа, а не є виводом землі за своєю природою.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,175,[52,59,65,70,75,81,86,91,95,100,106,110,114,120,124,128,134],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)DSS","Напруга пробою стік-витік","—",55,"V","VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TJ = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":63,"testCondition":64},"ID_25C","Постійний струм стоку при 25°C",47,"A","Абсолютний максимальний постійний струм стоку, VGS = 10 V, TC = 25°C (с. 1); температура корпусу, а не довкілля чи допустимий струм плати.",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":55,"maxValue":68,"unit":63,"testCondition":69},"ID_100C","Постійний струм стоку при 100°C",33,"Абсолютний максимальний постійний струм стоку, VGS = 10 V, TC = 100°C (с. 1); температура корпусу, а не довкілля чи допустимий струм плати.",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":55,"maxValue":73,"unit":63,"testCondition":74},"IDM","Імпульсний струм стоку",160,"Абсолютний максимальний повторюваний імпульсний струм стоку; тривалість імпульсу обмежується максимальною температурою переходу (примітка 1, с. 2; див. рис. 11). Це не дозвіл на постійний струм.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":78,"unit":79,"testCondition":80},"RDS_ON_10V","Опір у відкритому стані RDS(on) при 10В",0.022,"Ω","VGS = 10 В, ID = 25 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2%)",{"symbol":82,"name":83,"typicalValue":55,"maxValue":84,"unit":79,"testCondition":85},"RDS_ON_5V","Опір у відкритому стані RDS(on) при 5В",0.025,"VGS = 5.0 В, ID = 25 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2%)",{"symbol":87,"name":88,"typicalValue":55,"maxValue":89,"unit":79,"testCondition":90},"RDS_ON_4V","Опір у відкритому стані RDS(on) при 4В",0.035,"VGS = 4.0 В, ID = 21 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":55,"minValue":35,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":94},"VGS_TH","Порогова напруга затвора","VDS = VGS, ID = 250 мкА, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"minValue":98,"unit":46,"testCondition":99},"gfs","Пряма крутизна характеристики (транскондуктанс)",21,"VDS = 25 В, ID = 25 A, TJ = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"maxValue":103,"unit":104,"testCondition":105},"Qg","Повний заряд затвора",48,"nC","ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; тривалість імпульсу ≤300 µs, коефіцієнт заповнення ≤2% (примітка 4, с. 2; рис. 6 та 13).",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":55,"maxValue":109,"unit":104,"testCondition":105},"Qgs","Заряд затвор-витік",8.6,{"symbol":111,"name":112,"typicalValue":55,"maxValue":113,"unit":104,"testCondition":105},"Qgd","Заряд затвор-стік (Міллера)",25,{"symbol":115,"name":116,"typicalValue":117,"unit":118,"testCondition":119},"Ciss","Вхідна ємність",1700,"pF","VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1.0 МГц, TJ = 25°C",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":123,"unit":118,"testCondition":119},"Coss","Вихідна ємність",400,{"symbol":125,"name":126,"typicalValue":127,"unit":118,"testCondition":119},"Crss","Прохідна ємність (зворотного зв'язку)",150,{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":131,"unit":132,"testCondition":133},"PD","Абсолютна максимальна потужність розсіювання",110,"W","TC = 25°C, абсолютний максимальний рейтинг (с. 1); температура корпусу, а не довкілля. Коефіцієнт лінійного зниження: 0.71 W\u002F°C.",{"symbol":135,"name":136,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":137,"testCondition":138},"TJ","Діапазон температури переходу","°C","Робоча температура переходу, абсолютні граничні параметри (с. 1); це не діапазон робочої температури довкілля.",[140,145,149],{"title":141,"severity":142,"description":143,"mitigationStrategy":144},"Абсолютна межа напруги затвор–витік: ±16 V","critical","Абсолютна гранична напруга затвор–витік IRLZ44NPbF становить VGS = ±16 V (с. 1). Це граничне електричне навантаження, а не гарантований фізичний поріг пробою затвора. Комутаційні перехідні процеси, зв'язок через ємність затвор–стік і дзвін можуть змінювати VGS відносно вузла витоку; оцінюйте додатні й від'ємні викиди у конкретній схемі. Перевищення абсолютної межі може пошкодити компонент.","Оцінюйте напругу керування затвором і захист від перехідних процесів відносно витоку з урахуванням обох полярностей та допуску обмежувача, щоб реальна VGS залишалась у межах абсолютного рейтингу. Якщо застосовано обмежувач затвор–витік, перевірте його напругу, імпульсну здатність і вплив на нормальне керування; розміщуйте захист та зворотний провідник затвора поблизу компонента. Не вважайте зашумлену шину живлення придатним виходом драйвера затвора.",{"title":146,"severity":142,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Заряд затвора та динамічні втрати при прямому керуванні від мікроконтролера","Максимальні RDS(on) становлять 22 mΩ при VGS = 10 V \u002F ID = 25 A, 25 mΩ при VGS = 5 V \u002F ID = 25 A та 35 mΩ при VGS = 4 V \u002F ID = 21 A, усі за TJ = 25°C, тривалості імпульсу ≤300 µs і коефіцієнта заповнення ≤2% (с. 2, примітка 4). Це тести за визначених умов, а не обіцянка повної провідності для будь-якого навантаження чи теплового стану. Даташит не нормує межу RDS(on) при керуванні затвором 3.3 V. Сумарний заряд затвора Qg — не більше 48 nC при ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V та TJ = 25°C, за тих самих імпульсних умов примітки 4. Ciss = 1700 pF — типове значення при VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz та TJ = 25°C, а не стала чи максимальна вхідна ємність. Реальна здатність драйвера подавати й відводити струм та його вихідний опір впливають на тривалість переходів затвора й комутаційні втрати; з цього даташиту MOSFET не випливає універсальна струмова здатність GPIO.","Оцінюйте реальну вихідну напругу драйвера відносно витоку, здатність заряджати й розряджати затвор, частоту комутації та теплові умови за відповідними тестами опору й заряду. Саме досягнення 4 V або 5 V не гарантує конкретного струму навантаження чи прийнятних втрат. За потреби розгляньте драйвер затвора або буфер, здатний подавати й відводити необхідні пікові струми, та перевірте тривалість переходів і комутаційні втрати в отриманій схемі.",{"title":150,"severity":151,"description":152,"mitigationStrategy":153},"Електричне з'єднання тепловідвідного фланця з виводом стоку","warning","У корпусі TO-220AB металевий фланець внутрішньо з'єднаний із виводом 2 (стік). У схемі нижнього ключа потенціал стоку коливається між землею та напругою живлення навантаження. Монтаж фланця на заземлений радіатор без електричної ізоляції закорочує транзистор, постійно підключаючи навантаження до землі та викликаючи його неконтрольоване увімкнення.","При монтажі транзистора на заземлене шасі або спільний радіатор обов'язково використовуйте теплопровідну ізоляційну прокладку та ізоляційну шайбу з буртиком (втулку) для гвинта кріплення.",[155],{"title":156,"url":17,"type":157,"authority":158,"publisher":22,"revision":159,"releaseDate":160,"language":161},"IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet","datasheet","primary","Rev. 2.1","2026-08-12","EN",[163],{"title":164,"schematicSlug":165,"topology":166},"IRLZ44N: силовий ключ нижнього плеча на MOSFET логічного рівня","irlz44n-logic-level-low-side-switch","Схема силового N-канального ключа логічного рівня з демпфуванням затвора 100 Ом, резистором підтяжки 10 кОм до землі, зворотним діодом гасіння індуктивних викидів і розв'язаною шиною 12В\u002F24В для прямого керування від мікроконтролера.",[],[],{"canonicalUrl":170,"metaTitle":171,"metaDescription":172,"primarySearchCluster":173,"structuredDataSchema":178},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Firlz44n","IRLZ44N Logic-Level Power MOSFET: цоколівка, даташит та характеристики | CircuitBase","Даташит Infineon IRLZ44NPbF і розпіновка G-D-S TO-220AB: опір каналу за визначених умов, заряд затвора, гранична напруга затвор–витік ±16 V та теплові рейтинги корпусу й переходу.",[174,175,176,177],"irlz44n цоколівка","irlz44n технічний опис","irlz44n логічний рівень mosfet","irlz44n to-220","Product",null,[181,191,200,211],{"id":182,"slug":182,"mpn":183,"primaryCategory":20,"manufacturers":184,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[185],"onsemi","onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"TO-92",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":195,"packages":196,"packageTypes":199,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[185],"onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.",[197],{"packageType":198,"pinCount":29},"SOT-23",[198],{"id":201,"slug":201,"mpn":202,"primaryCategory":203,"manufacturers":204,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":210,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[205],"Vishay","Випрямний діод Vishay 1N4007 DO-41: максимум VRRM 1000 V; IF(AV) 1 A за TA = 75°C, довжини виводів 9.5 mm та резистивного або індуктивного навантаження 60 Hz.",[208],{"packageType":209,"pinCount":42},"DO-41",[209],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":203,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[205],"Аксіальний комутаційний діод Vishay 1N4148 у корпусі DO-35. Чорна смуга катода, гранична постійна зворотна напруга 75 V та максимальний час зворотного відновлення 4 ns за заданих умов випробувань.",[217],{"packageType":218,"pinCount":42},"DO-35",[218],{},1793836422389]