[{"data":1,"prerenderedAt":35},["ShallowReactive",2],{"components:category:power_mosfet:uk":3},[4,16,25],{"id":5,"slug":5,"mpn":6,"primaryCategory":7,"manufacturers":8,"shortDescription":10,"packages":11,"packageTypes":15,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[9],"onsemi","onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.",[12],{"packageType":13,"pinCount":14},"TO-92",3,[13],{"id":17,"slug":17,"mpn":18,"primaryCategory":7,"manufacturers":19,"shortDescription":20,"packages":21,"packageTypes":24,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[9],"onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.",[22],{"packageType":23,"pinCount":14},"SOT-23",[23],{"id":26,"slug":26,"mpn":27,"primaryCategory":7,"manufacturers":28,"shortDescription":30,"packages":31,"packageTypes":34,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[29],"Infineon Technologies","Силовий N-канальний MOSFET логічного рівня Infineon IRLZ44NPbF у корпусі TO-220AB з розпіновкою G-D-S і фланцем, з'єднаним зі стоком; опір відкритого каналу нормовано за окремих умов керування затвором 4 V, 5 V та 10 V.",[32],{"packageType":33,"pinCount":14},"TO-220AB",[33],1793836427911]