[{"data":1,"prerenderedAt":236},["ShallowReactive",2],{"component:bss138:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":197,"related":198,"equivalentSlugs":235},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":46,"parametricAttributes":49,"gotchas":152,"datasheetUrl":17,"documentationSources":171,"applicationCircuits":180,"equivalents":185,"mountedOnBoards":186,"seo":187},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-11-03",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Gemini (independent documentary review against onsemi BSS138\u002FD Rev. 7; verified pinout, SOT-23 package, absolute maximums, electrical parametric limits, gotchas, six-locale localization sidecars, and catalog release validation; owner publication GO, no physical bench signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fdownload\u002Fdata-sheet\u002Fpdf\u002Fbss138-d.pdf","bss138","BSS138","power_mosfet",[22],"onsemi","active","onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.","BSS138 — це галузевий стандарт малосигнального польового транзистора MOSFET з індукованим N-каналом для логічних рівнів керування виробництва onsemi (технічний опис BSS138\u002FD, ред. 7, квітень 2024 року). Виготовлений у поверхневому корпусі SOT-23 (TO-236AB \u002F CASE 318-08), прилад має цоколівку G-S-D: вивід 1 — затвор (G), вивід 2 — витік (S) та вивід 3 — стік (D). Граничні абсолютні параметри при TA = 25°C встановлюють напругу пробою стік-витік VDSS 50V, постійну напругу стік-затвор VDGR 50V (RGS \u003C= 1 MΩ), постійну напругу затвор-витік VGSS ±20V (неповторюваний пік ±40V для tp \u003C 50 µs), постійний струм стоку ID 220mA, імпульсний струм стоку IDM 880mA і повну розсіювану потужність PD 360mW (зниження 2.8 mW\u002F°C вище 25°C; тепловий опір перехід-середовище RthetaJA = 350°C\u002FW на мінімальному майданчику). Електричні характеристики гарантують мінімальну напругу пробою стік-витік BVDSS = 50V при VGS = 0V, ID = 250 µA. Порогова напруга затвора VGS(th) становить 0.8V мін., 1.3V тип., 1.5V макс. при VDS = VGS, ID = 1.0 mA, що відповідає початку провідності каналу. Статичний опір відкритого каналу RDS(on) гарантується на рівні 1.4 Ω тип., 3.5 Ω макс. при VGS = 10V, ID = 0.22 A та 1.9 Ω тип., 6.0 Ω макс. при VGS = 4.5V, ID = 0.22 A. Швидкодія є високою: типовий час затримки ввімкнення td(on) = 2.5 ns (20 ns макс.), час наростання tr = 9 ns (20 ns макс.), затримка вимкнення td(off) = 20 ns (50 ns макс.) і час спаду tf = 7 ns (20 ns макс.) при VDD = 30V, ID = 0.22 A, VGS = 10V та RGEN = 50 Ω. Вхідна ємність Ciss становить 27 pF тип. (50 pF макс.) при VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0 MHz. Вбудований діод характеризується максимальним постійним прямим струмом витоку IS 0.22 A та прямою напругою VSD 0.8V тип., 1.4V макс. при VGS = 0V, IS = 0.22 A.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"SOT-23",3,350,[32,39,43],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"G","passive",false,"none","Вивід затвора (Gate, вивід 1, лівий нижній вивід SOT-23 \u002F CASE 318-08; високоімпедансний вхід керування, ліміт VGSS ±20V постійно, ±40V імпульсно tp \u003C 50 µs)",{"pinNumber":40,"pinName":41,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":42},2,"S","Вивід витоку (Source, вивід 2, правий нижній вивід SOT-23 \u002F CASE 318-08; спільний опорний вивід для потенціалів затвора і стоку)",{"pinNumber":29,"pinName":44,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":45},"D","Вивід стоку (Drain, вивід 3, верхній центральний вивід SOT-23 \u002F CASE 318-08; абсолютний ліміт VDSS 50V, постійний струм ID 220 mA за TA = 25°C)",{"storageTempMinC":47,"storageTempMaxC":48},-55,150,[50,57,64,70,76,83,89,95,101,106,111,118,122,125,129,133,138,142,148],{"symbol":51,"name":52,"typicalValue":53,"minValue":54,"unit":55,"testCondition":56},"BVDSS","Напруга пробою стік-витік","—",50,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":58,"name":59,"typicalValue":60,"minValue":61,"maxValue":62,"unit":55,"testCondition":63},"VGS_th","Порогова напруга затвор-витік",1.3,0.8,1.5,"VDS = VGS, ID = 1.0 mA, TJ = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":53,"maxValue":67,"unit":68,"testCondition":69},"IDSS","Струм витоку стоку при нульовій напрузі затвора",0.5,"µA","VDS = 50 V, VGS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":53,"maxValue":73,"unit":74,"testCondition":75},"IGSS","Струм витоку затвор–підкладка",100,"nA","VGS = ±20 V, VDS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":79,"maxValue":80,"unit":81,"testCondition":82},"RDS_on_10V","Опір відкритого каналу стік-витік при 10V",1.4,3.5,"Ω","VGS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":84,"name":85,"typicalValue":86,"maxValue":87,"unit":81,"testCondition":88},"RDS_on_4_5V","Опір відкритого каналу стік-витік при 4.5V",1.9,6,"VGS = 4.5 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":30,"minValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"gFS","Крутизна прямої передачі",170,"mS","VDS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":98,"maxValue":54,"unit":99,"testCondition":100},"Ciss","Вхідна ємність",27,"pF","VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":104,"maxValue":105,"unit":99,"testCondition":100},"Coss","Вихідна ємність",11,25,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":109,"maxValue":110,"unit":99,"testCondition":100},"Crss","Прохідна ємність",4,8,{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":114,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"td_on","Час затримки ввімкнення",2.5,20,"ns","Умови випробування: VDD = 30 V, ID = 0.22 A, VGS = 10 V, RGEN = 50 Ω, TJ = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":121,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tr","Час наростання",9,{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":115,"maxValue":54,"unit":116,"testCondition":117},"td_off","Час затримки вимкнення",{"symbol":126,"name":127,"typicalValue":128,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tf","Час спаду",7,{"symbol":130,"name":131,"typicalValue":53,"maxValue":54,"unit":55,"testCondition":132},"VDSS","Абсолютна максимальна напруга стік-витік","TA = 25°C",{"symbol":134,"name":135,"typicalValue":53,"maxValue":136,"unit":137,"testCondition":132},"ID_cont","Абсолютний максимальний постійний струм стоку",220,"mA",{"symbol":139,"name":140,"typicalValue":53,"maxValue":141,"unit":137,"testCondition":132},"IDM","Абсолютний максимальний імпульсний струм стоку",880,{"symbol":143,"name":144,"typicalValue":53,"maxValue":145,"unit":146,"testCondition":147},"PD","Абсолютна максимальна розсіювана потужність",360,"mW","TA = 25°C; зниження 2.8 mW\u002F°C вище 25°C",{"symbol":149,"name":150,"typicalValue":61,"maxValue":79,"unit":55,"testCondition":151},"VSD","Пряма напруга вбудованого діода","VGS = 0 V, IS = 0.22 A, TJ = 25°C",[153,158,162,167],{"title":154,"severity":155,"description":156,"mitigationStrategy":157},"Орієнтація витоку та стоку в схемах двонапрямлених трансляторів I2C","critical","У класичних схемах двонапрямлених перетворювачів логічних рівнів шини I2C (NXP AN10441) вивід витоку MOSFET обов'язково має підключатися до шини з меншою напругою живлення (наприклад, 3.3V) із підключенням затвора до цієї ж лінії 3.3V, тоді як стік звернений до шини з більшою напругою (наприклад, 5V). Оскільки MOSFET з індукованим каналом має внутрішній паразитичний діод, спрямований від витоку до стоку, перевертання витоку та стоку підключає анод діода до лінії 5V, а катод — до лінії 3.3V. Це призводить до постійного прямого зміщення діода, коли напруга з боку 3.3V нижча, спричиняючи неконтрольоване перетікання струму з шини 5V у шину 3.3V і блокуючи високовольтну шину в низькому стані.","Підключайте BSS138 суворо витоком (Source, вивід 2) до сторони нижчої напруги (VCC_low), а стоком (Drain, вивід 3) — до сторони вищої напруги (VCC_high). Затвор (Gate, вивід 1) з'єднується безпосередньо з VCC_low. Встановлюйте зовнішні підтягувальні резистори з обох боків лінії для формування коректного високого рівня в стані спокою.",{"title":159,"severity":155,"description":160,"mitigationStrategy":161},"Малосигнальний опір відкритого каналу (RDS(on) до 6.0 Ω) унеможливлює силове комутування","BSS138 спроєктований спеціально для малосигнальної трансляції логічних рівнів і високошвидкісного цифрового перемикання, а не для силового комутування навантажень. Технічний опис BSS138\u002FD нормує статичний опір відкритого каналу до 3.5 Ω при VGS = 10V і до 6.0 Ω при VGS = 4.5V (при струмі ID = 0.22 A). Пропускання струму 150 mA через канал з опором 6.0 Ω спричиняє падіння напруги 0.9V на транзисторі та генерує 135 mW розсіюваної теплової потужності. У мініатюрному корпусі SOT-23 із тепловим опором RthetaJA = 350°C\u002FW на мінімальному майданчику це підвищує температуру кристала на понад 47°C над температурою середовища, викликаючи перегрів.","Обмежуйте використання BSS138 малострумовими цифровими сигналами, лініями зв'язку та колами підтяжки (ID \u003C 50 mA). Для силового перемикання, керування двигунами чи реле зі струмом понад 100 mA обирайте польові транзистори з низьким RDS(on), такі як IRLZ44N, 2N7000 або сучасні силові MOSFET серії TrenchFET.",{"title":163,"severity":164,"description":165,"mitigationStrategy":166},"Керування логікою з напругою нижче 3.3V та відсутність гарантованого відмикання","warning","Хоча порогова напруга затвора VGS(th) становить від 0.8V до 1.5V (при струмі ID = 1.0 mA), цей поріг фіксує лише початок провідності каналу. Документація onsemi для BSS138 надає гарантовані специфікації RDS(on) лише при VGS = 10V (\u003C= 3.5 Ω) та VGS = 4.5V (\u003C= 6.0 Ω); опір каналу для рівнів керування 1.8V, 2.5V або 3.3V виробником не гарантується. При трансляції сигналів між логічними системами 1.8V та 3.3V перенапруга затвора (VGS - VGS(th)) для найгірших екземплярів може складати лише 0.3V, що призводить до значно вищого опору каналу й сповільнення фронтів на ємнісних лініях I2C.","Для логічних доменів 1.8V або 2.5V розраховуйте сталу часу RC шини з урахуванням вищого еквівалентного опору каналу (~15–30 Ω). Якщо час наростання перевищує вимоги стандарту I2C Fast-mode (400 kHz), зменшуйте номінал підтягувальних резисторів або використовуйте спеціалізовані мікросхеми трансляторів (наприклад, PCA9306 чи TXS0102).",{"title":168,"severity":164,"description":169,"mitigationStrategy":170},"Паразитна провідність вбудованого діода при від'ємних викидах або черговості живлення","Вбудований діод між витоком (анод) і стоком (катод) має пряму напругу відкривання 0.8V тип., 1.4V макс. Якщо в лініях зв'язку виникають індуктивні викиди нижче потенціалу землі або лінія вищої напруги знеструмлена, коли лінія нижчої напруги залишається активною, струм може паразитно протікати через вбудований діод. У сценаріях вимкнення, коли шина 5V розряджена на землю, підтягування лінії 3.3V до високого рівня може викликати зворотне заживлення шини 5V через підтягувальний резистор і відкритий канал.","Контролюйте послідовність подачі живлення в багаторівневих системах. Забезпечуйте своєчасне розряджання блокувальних конденсаторів і уникайте ситуацій подачі сигналів на знеструмлені виводи мікросхем. При роботі з індуктивними навантаженнями або довгими лініями встановлюйте захисні діоди Шотткі для придушення від'ємних викидів.",[172],{"title":173,"url":17,"type":174,"authority":175,"publisher":22,"documentNumber":176,"revision":177,"releaseDate":178,"language":179},"BSS138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor","datasheet","primary","BSS138\u002FD","Rev. 7","2024-04","EN",[181],{"title":182,"schematicSlug":183,"topology":184},"Двонаправлений перетворювач логічних рівнів I2C 3.3V до 5V на BSS138","bss138-bidirectional-i2c-level-shifter","Двонаправлений транслятор рівнів на N-канальному MOSFET із фіксацією затвора на 3.3V, витоком на шині 3.3V та дискретними підтягувальними резисторами.",[],[],{"canonicalUrl":188,"metaTitle":189,"metaDescription":190,"primarySearchCluster":191,"structuredDataSchema":196},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Fbss138","BSS138: транзистор N-MOSFET, розпіновка | CircuitBase","Розпіновка onsemi BSS138 SOT-23 N-MOSFET (G-S-D), ліміти 50V VDSS та 220mA ID, правила двонапрямленого зсуву рівнів I2C і характеристики опору RDS(on) даташиту.",[192,193,194,195],"bss138 розпіновка","bss138 mosfet даташит","bss138 sot-23","bss138 конвертер логічних рівнів","Product",null,[199,208,218,227],{"id":200,"slug":200,"mpn":201,"primaryCategory":20,"manufacturers":202,"shortDescription":203,"packages":204,"packageTypes":207,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[22],"onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.",[205],{"packageType":206,"pinCount":29},"TO-92",[206],{"id":209,"slug":209,"mpn":210,"primaryCategory":20,"manufacturers":211,"shortDescription":213,"packages":214,"packageTypes":217,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[212],"Infineon Technologies","Силовий N-канальний MOSFET логічного рівня Infineon IRLZ44NPbF у корпусі TO-220AB з розпіновкою G-D-S і фланцем, з'єднаним зі стоком; опір відкритого каналу нормовано за окремих умов керування затвором 4 V, 5 V та 10 V.",[215],{"packageType":216,"pinCount":29},"TO-220AB",[216],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":221,"manufacturers":222,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":226,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[225],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{"id":228,"slug":228,"mpn":229,"primaryCategory":221,"manufacturers":230,"shortDescription":231,"packages":232,"packageTypes":234,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[233],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{},1793836421941]