[{"data":1,"prerenderedAt":219},["ShallowReactive",2],{"component:2n7000:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":180,"related":181,"equivalentSlugs":218},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":46,"parametricAttributes":49,"gotchas":143,"datasheetUrl":17,"documentationSources":158,"applicationCircuits":167,"equivalents":168,"mountedOnBoards":169,"seo":170},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-14",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent documentary review against exact manufacturer PDFs and current product rows; source-relative package verification and LLM localization review; owner publication GO, no bench or native-human signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fdownload\u002Fdata-sheet\u002Fpdf\u002Fnds7002a-d.pdf","2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"onsemi","active","onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.","2N7000 — це галузевий стандарт малосигнального польового транзистора MOSFET з індукованим N-каналом виробництва onsemi (технічний опис NDS7002A\u002FD, ред. 11, березень 2025 року). Виготовлений за фірмовою технологією DMOS із високою щільністю комірок, базовий транзистор 2N7000 випускається у вивідному корпусі TO-92 (CASE 135AN) із цоколівкою S-G-D (вивід 1 — витік, вивід 2 — затвор, вивід 3 — стік). Граничні абсолютні значення при TC = 25°C визначають максимальну напругу стік-витік 60 В, постійну напругу стік-затвор 60 В (RGS \u003C= 1 MΩ), постійну напругу затвор-витік ±20 В (неповторюваний пік ±40 В для tp \u003C 50 мс), постійний струм стоку 200 мА, імпульсний струм стоку 500 мА та загальну розсіювану потужність 400 мВт (зниження 3,2 мВт\u002F°C понад 25°C; RthetaJA = 312,5°C\u002FW). Електричні характеристики гарантують мінімальну напругу пробою стік-витік BVDSS = 60 В при VGS = 0 В, ID = 10 µA. Порогова напруга затвора VGS(th) становить від 0,8 В мін., 2,1 В тип. до 3,0 В макс. при VDS = VGS, ID = 1,0 мА, що вказує лише на початок провідності каналу, а не на повноцінне відкривання з низьким опором. Статичний опір відкритого каналу RDS(on) нормовано на рівні 1,2 Ω тип., 5,0 Ω макс. при VGS = 10 В, ID = 500 мА та 1,8 Ω тип., 5,3 Ω макс. при VGS = 4,5 В, ID = 75 мА. Час увімкнення ton та вимкнення toff гарантовано не перевищує 10 нс за стандартних умов випробувальної схеми (VDD = 15 В, RL = 25 Ω, ID = 500 mA, VGS = 10 В, RGEN = 25 Ω). Вхідна ємність Ciss становить 20 пФ тип., 50 пФ макс. при VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1,0 МГц. onsemi не публікує гарантованих значень прямої напруги чи зворотного відновлення вбудованого діода для модифікації 2N7000.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"TO-92",3,312.5,[32,39,43],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"S","passive",false,"none","Вивід витоку (Source, вивід 1, лінійний вивід 1 корпусу CASE 135AN; стор. 1 та 8: вивід 1 — Source)",{"pinNumber":40,"pinName":41,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":42},2,"G","Вивід затвора (Gate, вивід 2, лінійний вивід 2 корпусу CASE 135AN; високоімпедансний вхід керування, VGS(th) від 0,8 В мін., 2,1 В тип. до 3,0 В макс. при 1 мА)",{"pinNumber":29,"pinName":44,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":45},"D","Вивід стоку (Drain, вивід 3, лінійний вивід 3 корпусу CASE 135AN; стор. 1 та 8: вивід 3 — Drain)",{"storageTempMinC":47,"storageTempMaxC":48},-55,150,[50,57,63,69,74,80,84,91,97,104,111,116,120,125,128,132,138],{"symbol":51,"name":52,"typicalValue":53,"minValue":54,"unit":55,"testCondition":56},"BVDSS","Напруга пробою стік-витік","—",60,"V","VGS = 0 V, ID = 10 µA, TC = 25°C",{"symbol":58,"name":59,"typicalValue":60,"minValue":61,"maxValue":29,"unit":55,"testCondition":62},"VGS_th","Порогова напруга затвор-витік","2.1",0.8,"VDS = VGS, ID = 1.0 mA, TC = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":53,"maxValue":66,"unit":67,"testCondition":68},"IGSS","Модуль струму витоку затвор–підкладка",10,"nA","VDS = 0 V, VGS = +15 V (IGSSF) або -15 V (IGSSR), TC = 25°C; модуль знакових меж +10\u002F-10 нА",{"symbol":70,"name":71,"typicalValue":53,"maxValue":33,"unit":72,"testCondition":73},"IDSS","Струм витоку стоку при нульовій напрузі затвора","µA","VDS = 48 V, VGS = 0 V, TC = 25°C",{"symbol":75,"name":76,"typicalValue":53,"maxValue":77,"unit":78,"testCondition":79},"ID_cont","Абсолютний максимальний постійний струм стоку",200,"mA","TC = 25°C",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":53,"maxValue":83,"unit":78,"testCondition":79},"IDM","Абсолютний максимальний імпульсний струм стоку",500,{"symbol":85,"name":86,"typicalValue":87,"maxValue":88,"unit":89,"testCondition":90},"RDS_on_10V","Опір відкритого каналу стік-витік при 10 В","1.2",5,"Ω","VGS = 10 V, ID = 500 mA, TC = 25°C",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":94,"maxValue":95,"unit":89,"testCondition":96},"RDS_on_4_5V","Опір відкритого каналу стік-витік при 4,5 В","1.8",5.3,"VGS = 4.5 V, ID = 75 mA, TC = 25°C",{"symbol":98,"name":99,"typicalValue":100,"minValue":101,"unit":102,"testCondition":103},"gfs","Крутизна прямої передачі","320",100,"mS","VDS = 10 V, ID = 200 mA, TC = 25°C",{"symbol":105,"name":106,"typicalValue":107,"maxValue":108,"unit":109,"testCondition":110},"Ciss","Вхідна ємність","20",50,"pF","VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, TC = 25°C",{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":114,"maxValue":115,"unit":109,"testCondition":110},"Coss","Вихідна ємність","11",25,{"symbol":117,"name":118,"typicalValue":119,"maxValue":88,"unit":109,"testCondition":110},"Crss","Прохідна ємність","4.0",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":53,"maxValue":66,"unit":123,"testCondition":124},"ton","Час увімкнення","ns","Умови випробування: VDD = 15 V, RL = 25 Ω, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RGEN = 25 Ω, TC = 25°C",{"symbol":126,"name":127,"typicalValue":53,"maxValue":66,"unit":123,"testCondition":124},"toff","Час вимкнення",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":53,"maxValue":54,"unit":55,"testCondition":131},"VDSS","Абсолютна максимальна напруга стік–витік","Абсолютна гранична величина; TC = 25°C, якщо не зазначено інше",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":53,"maxValue":135,"unit":136,"testCondition":137},"PD","Абсолютна максимальна розсіювана потужність",400,"mW","TC = 25°C; зниження на 3.2 мВт\u002F°C вище 25°C (таблиця абсолютних максимумів)",{"symbol":139,"name":140,"typicalValue":53,"minValue":47,"maxValue":48,"unit":141,"testCondition":142},"TJ","Абсолютний граничний діапазон температури кристала","°C","Абсолютні межі температури кристала, а не робочий діапазон температури довкілля",[144,149,153],{"title":145,"severity":146,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Широкий розкид порогової напруги (0,8 В–3,0 В) та обмеження прямого керування від 3,3 В логіки","critical","Для 2N7000 нормовано широкий діапазон порогової напруги затвор-витік VGS(th) від 0,8 В мін., 2,1 В тип. до 3,0 В макс. при випробуванні VDS = VGS, ID = 1,0 мА (TC = 25°C). Цей поріг визначає лише початок провідності каналу (1 мА) і не гарантує низького омічного опору. При безпосередньому керуванні від сигналу 3,3 В GPIO мікроконтролера екземпляри з порогом поблизу верхньої межі 3,0 В отримують мінімальне перевищення напруги затвор–витік над порогом (VGS - VGS(th) ~ 0,3 В). Документ NDS7002A\u002FD не містить гарантованих меж опору RDS(on) при напрузі 3,3 В; опір відкритого каналу гарантується лише при VGS = 4,5 В (\u003C= 5,3 Ω при 75 мА) та VGS = 10 В (\u003C= 5,0 Ω при 500 мА). Керування навантаженням із граничною напругою затвора може спричиняти високий опір каналу, значне падіння напруги та надмірне теплове розсіювання.","Перевіряйте VGS відносно витоку з урахуванням розкиду порога. Для логіки 3,3 В або нижче обирайте MOSFET із гарантованим RDS(on) за фактичної напруги керування або відповідний драйвер затвора. Перевірте мінімальну й максимальну вихідну VGS, включно з перехідними процесами, за умовами вимірювання опору та абсолютною межею ±20 В для постійної напруги затвор–витік; сама напруга живлення драйвера не визначає безпечного керування.",{"title":150,"severity":146,"description":151,"mitigationStrategy":152},"Умови випробування характеристик проти гранично допустимого постійного струму стоку","У NDS7002A\u002FD опір RDS(on) \u003C= 5,0 Ω та часи ton, toff \u003C= 10 нс визначено за ID = 500 мА, VGS = 10 В. Ця тестова точка не дозволяє постійної роботи за 500 мА; рядки опору та перемикання 2N7000 не задають тривалості імпульсу або коефіцієнта заповнення. Абсолютний максимальний постійний струм 2N7000 становить 200 мА за TC = 25°C, імпульсний IDM — 500 мА. Постійні 500 мА перевищують абсолютний максимум і можуть пошкодити компонент або погіршити надійність.","Вважайте 200 мА за TC = 25°C абсолютною граничною величиною, а не рекомендованим робочим струмом. Оберіть нижчий робочий струм та перевірте розсіювану потужність і температуру кристала за фактичних теплових умов; даташит указує RthetaJA = 312,5°C\u002FW та PD = 400 мВт за TC = 25°C зі зниженням на 3,2 мВт\u002F°C вище 25°C.",{"title":154,"severity":155,"description":156,"mitigationStrategy":157},"Відсутність гарантованих характеристик вбудованого діода та застереження щодо індуктивного навантаження","warning","Технічний опис NDS7002A\u002FD наводить гарантовані параметри постійного прямого струму (IS), імпульсного струму (ISM) та прямої напруги (VSD) винятково для SMD-модифікацій (2N7002 та NDS7002A) і не містить гарантованих меж для вивідного 2N7000. У схемах нижнього ключа (low-side switch) при керуванні індуктивним навантаженням (реле, соленоїди, котушки) вимикання транзистора змушує індуктивність формувати позитивний викид напруги на стоці вище шини живлення, що зміщує внутрішній діод у зворотному напрямку. Внутрішній діод не здатний обмежити цей позитивний індуктивний викид, наражаючи транзистор на руйнівний пробій понад 60 В VDSS.","Установіть зовнішній захисний діод паралельно індуктивному навантаженню (катод до плюса живлення, анод до стоку MOSFET) або належно підібраний обмежувач перенапруги. Оберіть допустимий струм, зворотну напругу, імпульсну енергію та характеристики відновлення для фактичного навантаження й умов перемикання; самої назви діода недостатньо для підтвердження придатності.",[159],{"title":160,"url":17,"type":161,"authority":162,"publisher":22,"documentNumber":163,"revision":164,"releaseDate":165,"language":166},"2N7000, 2N7002, NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor","datasheet","primary","NDS7002A\u002FD","Rev. 11","2025-03","EN",[],[],[],{"canonicalUrl":171,"metaTitle":172,"metaDescription":173,"primarySearchCluster":174,"structuredDataSchema":179},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n7000","2N7000 N-канальний MOSFET: цоколівка, даташит і характеристики | CircuitBase","Технічні характеристики onsemi 2N7000: цоколювання TO-92 (S-G-D), абсолютні межі VDS 60 В та ID 200 мА й обмеження керування затвором.",[175,176,177,178],"2n7000 цоколівка","2n7000 mosfet даташит","2n7000 to-92","2n7000 3.3v логіка","Product",null,[182,191,201,210],{"id":183,"slug":183,"mpn":184,"primaryCategory":20,"manufacturers":185,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"SOT-23",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":196,"packages":197,"packageTypes":200,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[195],"Infineon Technologies","Силовий N-канальний MOSFET логічного рівня Infineon IRLZ44NPbF у корпусі TO-220AB з розпіновкою G-D-S і фланцем, з'єднаним зі стоком; опір відкритого каналу нормовано за окремих умов керування затвором 4 V, 5 V та 10 V.",[198],{"packageType":199,"pinCount":29},"TO-220AB",[199],{"id":202,"slug":202,"mpn":203,"primaryCategory":204,"manufacturers":205,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":209,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[208],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":211,"slug":211,"mpn":212,"primaryCategory":204,"manufacturers":213,"shortDescription":214,"packages":215,"packageTypes":217,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[216],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{},1793836420922]