[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3906:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":145,"datasheetUrl":17,"documentationSources":160,"applicationCircuits":169,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent manufacturer documentary\u002Ftechnical\u002Fpackage and full-five-locale LLM semantic review; owner publication GO; no bench or native-human claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3906-d.pdf","2n3906","2N3906","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.","**2N3906** — це класичний кремнієвий біполярний транзистор (BJT) структури PNP для підсилення малих сигналів виробництва onsemi (номер публікації `2N3906\u002FD`, ред. 4, лютий 2010). Виконаний у вивідному корпусі TO-92 (Case 29-11, Issue AM, Style 1) із цоколівкою **E-B-C**, він є базовою комплементарною парою до NPN-транзистора 2N3904.\n\n### Полярність та фізика роботи\nУ стандартному прямому активному режимі PNP напруги бази та колектора є негативними відносно емітера ($V_{BE} \u003C 0$, $V_{CE} \u003C 0$). У таблицях даташиту наведено абсолютні значення величин ($|V_{CE}|$, $|V_{BE}|$, $|V_{(BR)}|$).\n\n### Гранично допустимі параметри ($T_A = 25°C$)\n- **Напруга колектор–емітер ($V_{CEO}$):** 40 В\n- **Напруга колектор–база ($V_{CBO}$):** 40 В\n- **Напруга емітер–база ($V_{EBO}$):** 5,0 В\n- **Постійний струм колектора ($I_C$):** 200 мА\n- **Загальна розсіювана потужність ($P_D$):** 625 мВт при $T_A = 25°C$ (із коефіцієнтом зниження 5,0 мВт\u002F°C вище 25°C); нормований рівень 250 мВт при $T_A = 60°C$; 1,5 Вт при $T_C = 25°C$ (зниження 12 мВт\u002F°C)\n- **Робоча температура переходу ($T_J$):** від -55°C до +150°C\n- **Тепловий опір:** $θ_{JA} = 200°C\u002FW$ перехід–довкілля та $θ_{JC} = 83,3°C\u002FW$ перехід–корпус (максимальні значення за даташитом)\n\n### Електричні та динамічні характеристики ($T_A = 25°C$)\n- **Напруги пробою:** $V_{(BR)CEO} ≥ 40$ В ($I_C = 1,0$ мА), $V_{(BR)CBO} ≥ 40$ В ($I_C = 10$ мкА), $V_{(BR)EBO} ≥ 5,0$ В ($I_E = 10$ мкА)\n- **Підсилення за струмом ($h_{FE}$):** від 100 до 300 при $I_C = 10$ мА і $|V_{CE}| = 1,0$ В\n- **Напруга насичення колектор–емітер ($|V_{CE(sat)}|$):** $≤ 0,25$ В при $I_C = 10$ мА і $I_B = 1,0$ мА\n- **Гранична частота ($f_T$):** $≥ 250$ МГц при $I_C = 10$ мА, $|V_{CE}| = 20$ В і $f = 100$ МГц\n\n> **Примітка з даташиту:** Імпульсні умови вимірювань ($t_p ≤ 300$ мкс, коефіцієнт заповнення $≤ 2,0%$) діють спеціально там, де зазначено примітку 2: для $V_{(BR)CEO}$ та характеристик відкритого стану ($h_{FE}$ і насичення), а не загалом для $V_{(BR)CBO}$, $V_{(BR)EBO}$ чи $f_T$.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Вивід емітера (вивід 1, лівий вивід плоскою стороною до себе і виводами донизу)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Керуючий вивід бази (вивід 2, центральний вивід; потребує зовнішнього струмообмежувального резистора бази)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Вивід колектора (вивід 3, правий вивід плоскою стороною до себе і виводами донизу)",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,150,[52,59,63,68,73,80,85,90,95,100,105,109,115,121,126,132,136,140],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)CEO","Напруга пробою колектор-емітер V(BR)CEO","—",40,"V","IC = 1.0 мА, IB = 0, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":62},"V(BR)CBO","Напруга пробою колектор-база V(BR)CBO","IC = 10 мкА, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":55,"minValue":66,"unit":57,"testCondition":67},"V(BR)EBO","Напруга пробою емітер-база V(BR)EBO",5,"IE = 10 мкА, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":55,"maxValue":30,"unit":71,"testCondition":72},"IC_max","Постійний струм колектора","mA","Граничний тривалий режим (діють одночасні обмеження PD та TJ)",{"symbol":74,"name":75,"typicalValue":55,"minValue":76,"maxValue":77,"unit":78,"testCondition":79},"hFE_10mA","Коефіцієнт підсилення струму hFE при 10мА",100,300,"ratio","IC = 10 мА, |VCE| = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":55,"minValue":83,"unit":78,"testCondition":84},"hFE_1mA","Коефіцієнт підсилення струму hFE при 1мА",80,"IC = 1.0 мА, |VCE| = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":55,"minValue":88,"unit":78,"testCondition":89},"hFE_50mA","Коефіцієнт підсилення струму hFE при 50мА",60,"IC = 50 мА, |VCE| = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":91,"name":92,"typicalValue":55,"maxValue":93,"unit":57,"testCondition":94},"VCE_sat_10mA","Напруга насичення колектор-емітер |VCE(sat)| при 10мА",0.25,"IC = 10 мА, IB = 1.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"maxValue":98,"unit":57,"testCondition":99},"VCE_sat_50mA","Напруга насичення колектор-емітер |VCE(sat)| при 50мА",0.4,"IC = 50 мА, IB = 5.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"minValue":103,"maxValue":104,"unit":57,"testCondition":94},"VBE_sat_10mA","Напруга насичення база-емітер |VBE(sat)| при 10мА",0.65,0.85,{"symbol":106,"name":107,"typicalValue":55,"maxValue":108,"unit":57,"testCondition":99},"VBE_sat_50mA","Напруга насичення база-емітер |VBE(sat)| при 50мА",0.95,{"symbol":110,"name":111,"typicalValue":55,"minValue":112,"unit":113,"testCondition":114},"fT","Гранична частота коефіцієнта підсилення",250,"MHz","IC = 10 мА, |VCE| = 20 В, f = 100 МГц, TA = 25°C",{"symbol":116,"name":117,"typicalValue":55,"maxValue":118,"unit":119,"testCondition":120},"Cobo","Вихідна ємність колектора",4.5,"pF","VCB = 5.0 В, f = 1.0 МГц, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":122,"name":123,"typicalValue":55,"maxValue":124,"unit":119,"testCondition":125},"Cibo","Вхідна ємність емітера",10,"VEB = 0.5 В, f = 1.0 МГц, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":127,"name":128,"typicalValue":55,"maxValue":129,"unit":130,"testCondition":131},"NF","Коефіцієнт шуму",4,"dB","IC = 100 мкА, |VCE| = 5.0 В, RS = 1.0 кОм, f = 1.0 кГц, TA = 25°C",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":135},"VCEO","Абсолютна максимальна напруга колектор–емітер (модуль)","Граничні параметри, с. 1; модуль граничної напруги, відмінний від мінімуму V(BR)CEO за наведених умов вимірювання.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":66,"unit":57,"testCondition":139},"VEBO","Абсолютна максимальна зворотна напруга емітер–база (модуль)","Граничні параметри, с. 1; модуль граничної зворотної напруги емітер–база, відмінний від мінімуму V(BR)EBO за наведених умов вимірювання.",{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":143,"testCondition":144},"TJ","Діапазон температури переходу","°C","Робоча температура переходу, граничні параметри, с. 1; це не діапазон робочої температури довкілля.",[146,151,155],{"title":147,"severity":148,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Зворотна напруга емітер–база (абсолютна межа VEBO = 5.0В)","critical","Перехід база–емітер має абсолютну максимальну зворотну напругу VEBO = 5.0В. Окремо виміряна напруга пробою V(BR)EBO становить щонайменше 5.0В при IE = 10 мкА, IC = 0 та TA = 25°C; цей тест пробою не є рекомендованим робочим режимом. В астабільних мультивібраторах із перехресним зв’язком або ємнісних комутаційних схемах перехідні процеси можуть зміщувати перехід база–емітер у зворотному напрямку (підвищуючи потенціал бази відносно емітера, VBE = VB - VE > 0). Перевищення граничної зворотної напруги може пошкодити компонент або вплинути на надійність.","Оцінюйте реальну пікову зворотну напругу VBE під час роботи схеми. Якщо зворотні сплески можуть наближатися до 5.0В або перевищувати її, встановіть зустрічно-паралельний діод паралельно переходу база-емітер (наприклад 1N4148 анодом до бази, а катодом до емітера для PNP) або послідовний захисний діод у колі бази, перевіривши, що захисна схема не порушує часових інтервалів, умов запуску чи струму керування.",{"title":152,"severity":148,"description":153,"mitigationStrategy":154},"Перевірка розташування виводів TO-92 (цоколівка E-B-C)","Якщо дивитися на плоску сторону корпусу TO-92 виводами донизу, цоколівка onsemi 2N3906 є Pin 1 = емітер, Pin 2 = база, Pin 3 = колектор (E-B-C, Case 29-11, Style 1). Інші транзистори для малих сигналів у корпусах TO-92 використовують відмінні конфігурації виводів (наприклад C-B-E або E-C-B). Монтаж транзистора з переплутаними виводами призводить до неправильної роботи схеми та потенційного переходу в інверсний активний режим із критично малим підсиленням струму, зміненою напругою насичення та зниженою напругою пробою.","Завжди перевіряйте точне фізичне розташування виводів за даташитом виробника (onsemi 2N3906\u002FD Style 1) та маркуванням на платі перед монтажем. Ніколи не припускайте однакову цоколівку для різних найменувань або виробників транзисторів у корпусі TO-92.",{"title":156,"severity":157,"description":158,"mitigationStrategy":159},"Керування струмом бази PNP та вимоги до каскадів зсуву рівня","warning","Для роботи PNP-транзистора в прямому активному режимі та насиченні потенціал бази має бути нижчим за потенціал емітера (VBE = VB - VE \u003C 0). У даташиті onsemi модулі напруги насичення колектор–емітер (|VCE(sat)| \u003C= 0.25В при IC = 10мА, IB = 1.0мА; та \u003C= 0.4В при IC = 50мА, IB = 5.0мА) нормовано за форсованого коефіцієнта IC \u002F IB = 10 в імпульсних умовах (tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%, TA = 25°C). Саме hFE активного режиму не гарантує цих меж насичення. Недостатній струм керування базою може залишати підвищену напругу колектор–емітер і збільшені втрати; фактичний режим залежить від навантаження та керування. Крім того, у схемі верхнього ключа з напругою живлення вищою за напругу керуючої логіки пряме підключення бази до логічного виходу може змістити верхню захисну структуру виходу драйвера у прямому напрямку до нижчої шини логічного живлення.","Розраховуйте керування базою за струмом навантаження, швидкістю перемикання та потрібною напругою насичення з урахуванням відповідних нормованих меж даташиту; типові графіки не встановлюють універсальних гарантованих меж. Перевірте, чи може драйвер відводити потрібний струм бази під час відкривання та видаляти накопичений заряд бази під час закривання в межах власних обмежень напруги й струму. Для комутації додатної шини з напругою вищою за логічну (наприклад 12В при логіці 3.3В або 5В) перевірте допустиму напругу драйвера у вимкненому стані та застосовуйте відповідно нормований каскад зсуву рівня (наприклад NPN-транзистор або каскад із відкритим стоком і резистором підтяжки база–емітер до додатної шини) для повного закривання.",[161],{"title":162,"url":17,"type":163,"authority":164,"publisher":22,"documentNumber":165,"revision":166,"releaseDate":167,"language":168},"2N3906 General Purpose Transistors PNP Silicon","datasheet","primary","2N3906\u002FD","Rev. 4","2010-02","EN",[],[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3906","2N3906 PNP BJT: цоколівка, технічні характеристики та даташит | CircuitBase","Повні технічні характеристики транзистора onsemi 2N3906 PNP, цоколівка TO-92 (E-B-C), граничні параметри 40В VCEO і 200мА IC, коефіцієнт підсилення hFE та напруга насичення.",[177,178,179,180],"2n3906 цоколівка","2n3906 технічний опис транзистора","2n3906 характеристики pnp","2n3906 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[22],"Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Central Semiconductor 2N2222A — перемикальний NPN-транзистор у TO-18; абсолютні межі: VCEO 40 В і постійний IC 800 мА за TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420704]