[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3904:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":52,"gotchas":141,"datasheetUrl":17,"documentationSources":156,"applicationCircuits":165,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3903-d.pdf","2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.","onsemi 2N3904 — це кремнієвий малосигнальний біполярний NPN-транзистор у вивідному корпусі TO-92 (Case 29, Style 1), у якому виводи 1–2–3 відповідають емітеру–базі–колектору. Даташит (2N3903\u002FD, серпень 2021, ред. 9) наводить абсолютні граничні параметри VCEO = 40 V, постійний IC = 200 mA та PD = 625 mW при TA = 25°C зі зниженням на 5.0 mW\u002F°C вище 25°C. Ці граничні параметри не є безумовними робочими можливостями; їх слід дотримуватися разом з обмеженнями температури переходу та реальними тепловими умовами. TJ = −55…+150°C — діапазон температури переходу, а не довкілля. Наведені теплові опори 200°C\u002FW перехід–довкілля та 83.3°C\u002FW перехід–корпус є максимальними значеннями. Окремо вимірювана напруга пробою V(BR)CEO має мінімум 40 V при IC = 1.0 mA та IB = 0. За TA = 25°C hFE нормовано в межах 100–300 при IC = 10 mA та VCE = 1.0 V, а VCE(sat) — не більше 0.2 V при IC = 10 mA та IB = 1.0 mA; для цих рядків пробою, підсилення та насичення діють відповідні умови імпульсного тесту: тривалість імпульсу ≤300 µs та коефіцієнт заповнення ≤2%. Добуток підсилення за струмом на смугу частот fT становить щонайменше 300 MHz при IC = 10 mA, VCE = 20 V та частоті вимірювання f = 100 MHz (TA = 25°C). Звертайтеся до умов у таблиці параметрів: межі підсилення й насичення залежать від струму, температури та керування базою.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Вивід емітера (вивід 1, лівий вивід плоскою стороною до себе і виводами донизу)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Керуючий вивід бази (вивід 2, центральний вивід; потребує зовнішнього струмообмежувального резистора бази)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Вивід колектора (вивід 3, правий вивід плоскою стороною до себе і виводами донизу)",{"powerDissipationMaxW":49,"storageTempMinC":50,"storageTempMaxC":51},0.625,-55,150,[53,60,65,70,75,82,87,91,96,101,106,111,117,122,128,132,136],{"symbol":54,"name":55,"typicalValue":56,"minValue":57,"unit":58,"testCondition":59},"V(BR)CEO","Напруга пробою колектор-емітер","—",40,"V","IC = 1.0 мА, IB = 0, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":61,"name":62,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":58,"testCondition":64},"V(BR)CBO","Напруга пробою колектор-база",60,"IC = 10 мкА, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":56,"minValue":68,"unit":58,"testCondition":69},"V(BR)EBO","Напруга пробою емітер-база",6,"IE = 10 мкА, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":56,"maxValue":30,"unit":73,"testCondition":74},"IC","Постійний струм колектора","mA","Абсолютний максимальний постійний струм колектора (граничні параметри, с. 1); одночасно дотримуйтеся обмежень потужності розсіювання та температури переходу.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":56,"minValue":78,"maxValue":79,"unit":80,"testCondition":81},"hFE_10mA","Коефіцієнт підсилення струму hFE при 10мА",100,300,"ratio","IC = 10 мА, VCE = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":83,"name":84,"typicalValue":56,"minValue":85,"unit":80,"testCondition":86},"hFE_1mA","Коефіцієнт підсилення струму hFE при 1мА",70,"IC = 1.0 мА, VCE = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":88,"name":89,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":80,"testCondition":90},"hFE_50mA","Коефіцієнт підсилення струму hFE при 50мА","IC = 50 мА, VCE = 1.0 В, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":56,"maxValue":94,"unit":58,"testCondition":95},"VCE_sat_10mA","Напруга насичення колектор-емітер при 10мА",0.2,"IC = 10 мА, IB = 1.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":56,"maxValue":99,"unit":58,"testCondition":100},"VCE_sat_50mA","Напруга насичення колектор-емітер при 50мА",0.3,"IC = 50 мА, IB = 5.0 мА, TA = 25°C (імпульсний тест: tp \u003C= 300 мкс, коефіцієнт заповнення \u003C= 2.0%)",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":56,"minValue":104,"maxValue":105,"unit":58,"testCondition":95},"VBE_sat","Напруга насичення база-емітер",0.65,0.85,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":56,"minValue":79,"unit":109,"testCondition":110},"fT","Гранична частота коефіцієнта підсилення","MHz","IC = 10 мА, VCE = 20 В, f = 100 МГц, TA = 25°C",{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":56,"maxValue":114,"unit":115,"testCondition":116},"Cobo","Вихідна ємність колектора",4,"pF","VCB = 5.0 В, f = 1.0 МГц, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":118,"name":119,"typicalValue":56,"maxValue":120,"unit":115,"testCondition":121},"Cibo","Вхідна ємність емітера",8,"VEB = 0.5 В, f = 1.0 МГц, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":56,"maxValue":125,"unit":126,"testCondition":127},"NF","Коефіцієнт шуму",5,"dB","IC = 100 мкА, VCE = 5.0 В, RS = 1.0 кОм, f = 1.0 кГц, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":56,"maxValue":57,"unit":58,"testCondition":131},"VCEO","Абсолютна максимальна напруга колектор–емітер","Граничні параметри, с. 1; межа електричного навантаження, відмінна від мінімуму V(BR)CEO, виміряного за наведених умов тесту.",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":56,"maxValue":68,"unit":58,"testCondition":135},"VEBO","Абсолютна максимальна напруга емітер–база","Граничні параметри, с. 1; межа зворотної напруги емітер–база, відмінна від мінімуму V(BR)EBO, виміряного за наведених умов тесту.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":56,"minValue":50,"maxValue":51,"unit":139,"testCondition":140},"TJ","Діапазон температури переходу","°C","Робоча температура переходу, граничні параметри, с. 1; це не допустимий діапазон робочої температури довкілля.",[142,147,151],{"title":143,"severity":144,"description":145,"mitigationStrategy":146},"Перевіряйте точну розпіновку емітер–база–колектор корпусу TO-92","critical","Якщо плоска грань корпусу onsemi TO-92 повернута до спостерігача, а виводи спрямовані вниз, виводи 1–2–3 відповідають емітеру–базі–колектору (E-B-C). Інші моделі чи виробники можуть використовувати інше розташування виводів. Перестановка емітера та колектора може порушити роботу схеми; залежно від умов зміщення можливий інверсний активний режим з іншими коефіцієнтом підсилення та граничними напругами. Перевіряйте креслення конкретного компонента й корпусу, а не припускайте однакову розпіновку іншого транзистора.","Завжди перевіряйте фізичне розташування виводів за документацією виробника та шовкографією друкованої плати перед монтажем. Переконайтеся, що емітер, база й колектор відповідають з'єднанням символу на схемі.",{"title":148,"severity":144,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Зворотна напруга емітер–база в астабільних мультивібраторах з перехресним зв'язком","Даташит наводить VEBO = 6.0 V як абсолютну максимальну зворотну напругу емітер–база (с. 1). Окремо V(BR)EBO нормовано як щонайменше 6.0 V при IE = 10 µA, IC = 0 та TA = 25°C (с. 2); тест пробою не є рекомендованим робочим режимом. В астабільному мультивібраторі з перехресним зв'язком і заземленими емітерами спад напруги колектора може через конденсатор змістити протилежну базу до від'ємної напруги. Для ідеалізованого миттєвого переходу зі сталою напругою конденсатора VB(after) = VB(before) + VC(after) − VC(before). Отже, напруга бази після стрибка враховує її напругу до перемикання; сам стрибок напруги колектора не є кінцевою зворотною VBE. Реальні рівні колектора залежать від падіння напруги на навантаженні, керування транзистором і стану схеми. Оцінюйте найгіршу зворотну VBE конкретної схеми відносно абсолютної межі VEBO; з цього даташиту не випливає універсальний поріг напруги живлення 5–6 V. Надмірна зворотна напруга може спричинити пробій, зниження підсилення або зміну часових параметрів.","Якщо аналіз конкретної схеми виявляє надмірну зворотну напругу, розгляньте зустрічно-паралельний обмежувальний діод база–емітер (катод до бази, анод до емітера\u002Fземлі) або іншу топологію. Перевірте струм обмеження, часзадаючі кола, запуск та граничні напруги компонентів у зміненій схемі. Обмежувальний діод або послідовний діод у колі бази є зміною конструкції, яка потребує перевірки, а не автоматично підтвердженим засобом усунення проблеми.",{"title":152,"severity":153,"description":154,"mitigationStrategy":155},"Вимоги до струму бази BJT для насичення на відміну від підсилення","warning","hFE активного режиму не гарантує табличних меж VCE(sat). Тести насичення onsemi використовують форсований коефіцієнт IC \u002F IB = 10: при IC = 10 mA та IB = 1.0 mA нормовано VCE(sat) ≤0.2 V, а при IC = 50 mA та IB = 5.0 mA — VCE(sat) ≤0.3 V за TA = 25°C, тривалості імпульсу ≤300 µs та коефіцієнта заповнення ≤2%. Ці межі стосуються наведених умов тесту. Вибір струму бази лише за hFE активного режиму може дати недостатнє керування для потрібного навантаження, залишаючи підвищену напругу колектор–емітер і більші втрати; реальний режим залежить від навантажувальної прямої схеми та керування.","Розраховуйте керування базою для реального навантаження колектора та перевіряйте відповідні умови насичення, напруги, температури й імпульсів. Табличні тести використовують IC \u002F IB = 10; вони не встановлюють універсального гарантованого діапазону форсованого коефіцієнта 10–20. Перевірте, чи здатний драйвер подавати потрібний струм бази та відводити заряд бази під час закривання в межах власних обмежень напруги й струму. Якщо відповідне керування базою недоступне, оцініть MOSFET або буфер за вимогами конкретної схеми, а не лише за позначенням логічного рівня.",[157],{"title":158,"url":17,"type":159,"authority":160,"publisher":22,"documentNumber":161,"revision":162,"releaseDate":163,"language":164},"2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon","datasheet","primary","2N3903\u002FD","Rev. 9","2021-08","EN",[166],{"title":167,"schematicSlug":168,"topology":169},"Схема автоматичного скидання й завантаження ESP32 (DTR\u002FRTS)","esp32-auto-reset-flashing-circuit","Q1 і Q2: перехресно ввімкнені NPN-ключі, що тягнуть EN та IO0 до низького рівня",[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3904","2N3904 NPN BJT: цоколівка, технічні характеристики та даташит | CircuitBase","Повні технічні характеристики транзистора onsemi 2N3904 NPN, цоколівка TO-92 (E-B-C), граничні параметри 40В VCEO і 200мА IC, коефіцієнт підсилення hFE та напруга насичення.",[177,178,179,180],"2n3904 цоколівка","2n3904 технічний опис транзистора","2n3904 характеристики npn","2n3904 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Central Semiconductor 2N2222A — перемикальний NPN-транзистор у TO-18; абсолютні межі: VCEO 40 В і постійний IC 800 мА за TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"onsemi 2N7000 — MOSFET з індукованим N-каналом у TO-92 (CASE 135AN), S-G-D; абсолютні межі: VDSS 60 В і постійний ID 200 мА за TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138 — польовий транзистор MOSFET з індукованим N-каналом у SOT-23 (CASE 318-08), цоколівка G-S-D; граничні параметри: VDSS 50 V і постійний ID 220 mA за TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420422]