[{"data":1,"prerenderedAt":257},["ShallowReactive",2],{"component:2n2222:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":216,"related":217,"equivalentSlugs":256},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":19,"mpn":20,"slug":19,"primaryCategory":21,"manufacturers":22,"lifecycleStatus":24,"shortDescription":25,"deepTechnicalOverview":26,"packages":27,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":171,"datasheetUrl":17,"documentationSources":186,"applicationCircuits":199,"equivalents":204,"mountedOnBoards":205,"seo":206},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-14",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent documentary review against exact manufacturer PDFs and current product rows; source-relative package verification and LLM localization review; owner publication GO, no bench or native-human signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17,18],"https:\u002F\u002Fcentral.aeminc.com\u002Fdatasheets\u002F2N2221A.PDF","https:\u002F\u002Fcentral.aeminc.com\u002Fdocs\u002FENGINEERING\u002FPDD\u002FTO_18_PD.PDF","2n2222","2N2222A","bipolar_transistor",[23],"Central Semiconductor","active","Central Semiconductor 2N2222A — перемикальний NPN-транзистор у TO-18; абсолютні межі: VCEO 40 В і постійний IC 800 мА за TA = 25°C.","Ця сторінка стосується лише Central Semiconductor 2N2222A у TO-18 за технічним описом 2N2221A.PDF, R5 (5 грудня 2013 року). Електричні характеристики діють при TA = 25°C, якщо не зазначено іншого, і лише за повних указаних умов випробування. Абсолютні максимуми є граничними навантаженнями, а не рекомендованими умовами роботи. На кресленні виробника E1 ліворуч, B2 над центром, C3 праворуч, виступ унизу ліворуч; це орієнтація самого креслення без твердження про окремо підтверджений вигляд зверху чи знизу. Саме ця позиція каталогу має статус Active; додане PDN01195 стосується інших перелічених типів. Не переносіть характеристики на вироби інших виробників чи пластикові варіанти.",[28],{"packageType":29,"pinCount":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-18",3,350,97,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"E","passive",false,"none","Емітер, вивід 1: ліворуч на кресленні виробника, найближче до виступу внизу ліворуч. Зберігайте орієнтацію креслення.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"B","База, вивід 2: над центром на кресленні виробника, під кутом 90° до кожного з виводів 1 та 3.",{"pinNumber":30,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"C","Колектор, вивід 3: праворуч на кресленні виробника. Наведене креслення не підтверджує внутрішній електричний зв’язок із металевим корпусом.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-65,200,[52,59,64,69,75,79,84,88,93,96,103,107,112,118,123,128,131,136,140,144,147,150,155,160,166],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"BVCBO","Напруга пробою колектор-база","—",75,"V","IC = 10 µA, TA = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":62,"unit":57,"testCondition":63},"BVCEO","Напруга пробою колектор-емітер",40,"IC = 10 mA, TA = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":55,"minValue":67,"unit":57,"testCondition":68},"BVEBO","Напруга пробою емітер-база",6,"IE = 10 µA, TA = 25°C",{"symbol":70,"name":71,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":73,"testCondition":74},"ICBO","Зворотний струм колектора",10,"nA","VCB = 60 V, TA = 25°C",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":73,"testCondition":78},"IEBO","Зворотний струм емітера","VEB = 3.0 V, TA = 25°C",{"symbol":80,"name":81,"typicalValue":55,"maxValue":82,"unit":57,"testCondition":83},"VCE_sat_150","Напруга насичення колектор-емітер при 150 мА",0.3,"IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":85,"name":86,"typicalValue":55,"maxValue":35,"unit":57,"testCondition":87},"VCE_sat_500","Напруга насичення колектор-емітер при 500 мА","IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C",{"symbol":89,"name":90,"typicalValue":55,"minValue":91,"maxValue":92,"unit":57,"testCondition":83},"VBE_sat_150","Напруга насичення база-емітер при 150 мА",0.6,1.2,{"symbol":94,"name":95,"typicalValue":55,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":87},"VBE_sat_500","Напруга насичення база-емітер при 500 мА",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":55,"minValue":99,"maxValue":100,"unit":101,"testCondition":102},"hFE_150","Коефіцієнт підсилення за постійним струмом при 150 мА",100,300,"ratio","VCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C",{"symbol":104,"name":105,"typicalValue":55,"minValue":62,"unit":101,"testCondition":106},"hFE_500","Коефіцієнт підсилення за постійним струмом при 500 мА","VCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C",{"symbol":108,"name":109,"typicalValue":55,"minValue":100,"unit":110,"testCondition":111},"fT","Гранична частота коефіцієнта підсилення","MHz","VCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":113,"name":114,"typicalValue":55,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"Cob","Вихідна ємність",8,"pF","VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":55,"maxValue":121,"unit":116,"testCondition":122},"Cib","Вхідна ємність",25,"VEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C",{"symbol":124,"name":125,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":126,"testCondition":127},"td","Час затримки","ns","VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":121,"unit":126,"testCondition":127},"tr","Час наростання",{"symbol":132,"name":133,"typicalValue":55,"maxValue":134,"unit":126,"testCondition":135},"ts","Час розсмоктування",225,"VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":139,"unit":126,"testCondition":135},"tf","Час спаду",60,{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":143},"VCBO_abs","Абсолютна межа напруги колектор-база","TA = 25°C",{"symbol":145,"name":146,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":57,"testCondition":143},"VCEO_abs","Абсолютна межа напруги колектор-емітер",{"symbol":148,"name":149,"typicalValue":55,"maxValue":67,"unit":57,"testCondition":143},"VEBO_abs","Абсолютна межа зворотної напруги емітер-база",{"symbol":151,"name":152,"typicalValue":55,"maxValue":153,"unit":154,"testCondition":143},"IC_abs","Абсолютна межа постійного струму колектора",800,"mA",{"symbol":156,"name":157,"typicalValue":55,"maxValue":158,"unit":159,"testCondition":143},"PD_TA_abs","Абсолютна межа розсіювання за температури довкілля",500,"mW",{"symbol":161,"name":162,"typicalValue":55,"maxValue":163,"unit":164,"testCondition":165},"PD_TC_abs","Абсолютна межа розсіювання за температури корпусу",1.8,"W","TC = 25°C",{"symbol":167,"name":168,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":169,"testCondition":170},"TJ_abs","Абсолютні межі робочої температури переходу","°C","Граничні температури переходу, а не робочий діапазон температур довкілля",[172,177,181],{"title":173,"severity":174,"description":175,"mitigationStrategy":176},"Граничний струм колектора (800 мА) проти теплового розсіювання без охолодження в TO-18","critical","IC = 800 mA — абсолютна межа, а не термічно безпечний робочий струм. При IC = 500 mA та IB = 50 mA обидві максимальні напруги дають консервативну межу втрат провідності P = IC·VCE + IB·VBE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, понад 500 mW при TA = 25°C ще без втрат перемикання. Це не виміряні втрати й не твердження про одночасне досягнення обох максимумів.","Оцініть середні втрати та перевірте реальний шлях тепловідведення із запасом: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA у вільному повітрі або TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC за контрольованої температури корпусу з урахуванням зовнішнього теплового шляху. Для межі 1,8 W потрібна TC = 25°C, а не просто встановлений радіатор. Універсального порога струму для радіатора немає.",{"title":178,"severity":174,"description":179,"mitigationStrategy":180},"Низька зворотна напруга пробою переходу емітер-база (6,0 В) у мультивібраторах та імпульсних схемах","Абсолютна межа VEBO = 6,0 V та окрема мінімальна напруга пробою BVEBO ≥ 6,0 V при IE = 10 µA — різні характеристики. Випробування на пробій не дозволяє повторюваний лавинний режим; технічний опис не нормує такої роботи. Ємнісні перехідні процеси бази мають залишатися в межах зворотної напруги.","Перевіряйте реальну напругу емітер-база під час запуску й перемикання. Діод обмеження зворотної напруги NPN має анод на E, катод на B; перевірте імпульсний струм, пряме падіння напруги, допуски та зміну часових параметрів. Саме позначення живлення не доводить захисту; послідовний діод бази не є еквівалентним обмежувачем.",{"title":182,"severity":183,"description":184,"mitigationStrategy":185},"Вимоги до струму бази для глибокого насичення та затримка розсмоктування","warning","VCE(SAT) нормовано при IC = 150 mA, IB = 15 mA та при IC = 500 mA, IB = 50 mA. Ці точки IC\u002FIB = 10 не є універсальним правилом керування. Недостатній струм бази може збільшити VCE та втрати залежно від навантаження. Межа ts ≤ 225 ns діє лише при VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA та TA = 25°C, а не за довільних умов ШІМ.","Обирайте керування базою для потрібних струму, напруги й температури за відповідними умовами випробування. Перевірте здатність драйвера віддавати та поглинати струм і гарантовані вихідні напруги; випробувальний струм бази 50 mA може перевищувати межу GPIO. Вимкнення та будь-яке коло керування зарядом потребують окремої перевірки схеми.",[187,194],{"title":188,"url":17,"type":189,"authority":190,"publisher":23,"revision":191,"releaseDate":192,"language":193},"2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors","datasheet","primary","R5","2013-12-05","EN",{"title":195,"url":18,"type":189,"authority":196,"publisher":23,"revision":197,"releaseDate":198,"language":193},"Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification","secondary","R0\u002FR4","2020-02-10",[200],{"title":201,"schematicSlug":202,"topology":203},"Ключ керування реле на NPN-транзисторі 2N2222 \u002F 2N2222A з демпферним діодом 1N4007","2n2222-relay-driver-flyback-protection","Схема насиченого ключа нижнього плеча зі спільним емітером на NPN-транзисторі з базовим резистором обмеження струму, підтяжкою 10 кОм до землі, зустрічно-паралельним демпферним діодом 1N4007 та розв'язкою шини живлення.",[],[],{"canonicalUrl":207,"metaTitle":208,"metaDescription":209,"primarySearchCluster":210,"structuredDataSchema":215},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n2222","2N2222A NPN транзистор: цоколівка, даташит і характеристики | CircuitBase","Повні технічні характеристики перемикального NPN-транзистора Central Semiconductor 2N2222A, цоколівка TO-18 (E-B-C), граничні межі 40 В VCEO і 800 мА IC.",[211,212,213,214],"2n2222a цоколівка","2n2222a транзистор даташит","2n2222a to-18","2n2222a комутація","Product",null,[218,228,236,247],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":21,"manufacturers":221,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":227,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[222],"onsemi","Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[225],{"packageType":226,"pinCount":30},"TO-92",[226],{"id":229,"slug":229,"mpn":230,"primaryCategory":21,"manufacturers":231,"shortDescription":232,"packages":233,"packageTypes":235,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[222],"Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[234],{"packageType":226,"pinCount":30},[226],{"id":237,"slug":237,"mpn":238,"primaryCategory":239,"manufacturers":240,"shortDescription":242,"packages":243,"packageTypes":246,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[241],"Vishay","Випрямний діод Vishay 1N4007 DO-41: максимум VRRM 1000 V; IF(AV) 1 A за TA = 75°C, довжини виводів 9.5 mm та резистивного або індуктивного навантаження 60 Hz.",[244],{"packageType":245,"pinCount":42},"DO-41",[245],{"id":248,"slug":248,"mpn":249,"primaryCategory":239,"manufacturers":250,"shortDescription":251,"packages":252,"packageTypes":255,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[241],"Аксіальний комутаційний діод Vishay 1N4148 у корпусі DO-35. Чорна смуга катода, гранична постійна зворотна напруга 75 V та максимальний час зворотного відновлення 4 ns за заданих умов випробувань.",[253],{"packageType":254,"pinCount":42},"DO-35",[254],{},1793836420211]