[{"data":1,"prerenderedAt":196},["ShallowReactive",2],{"component:1n4148:uk":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":154,"related":155,"equivalentSlugs":195},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":42,"parametricAttributes":47,"gotchas":111,"datasheetUrl":17,"documentationSources":126,"applicationCircuits":136,"equivalents":137,"mountedOnBoards":142,"seo":143},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary review against Vishay 81857 Rev. 1.6; owner publication GO; LLM localization review; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.vishay.com\u002Fdocs\u002F81857\u002F1n4148.pdf","1n4148","1N4148","diode_rectifier",[22],"Vishay","active","Аксіальний комутаційний діод Vishay 1N4148 у корпусі DO-35. Чорна смуга катода, гранична постійна зворотна напруга 75 V та максимальний час зворотного відновлення 4 ns за заданих умов випробувань.","Цей опис стосується Vishay 1N4148 з кодами замовлення 1N4148-TAP та 1N4148TR за даташитом 81857 Rev. 1.6 (07-Nov-2024). Це кремнієвий епітаксійно-планарний комутаційний діод в аксіальному корпусі DO-35 (DO-204AH). Чорна смуга позначає катод; у цьому каталозі CircuitBase нумерує катод K як вивід 1, а анод A як вивід 2. Це пасивні виводи, а не входи GPIO з параметром толерантності логічного рівня до 5 V.\n\nРозрізняйте абсолютну межу постійної зворотної напруги 75 V та абсолютну межу повторюваної пікової зворотної напруги 100 V. Напруга пробою окремо задана як мінімум 100 V за IR = 100 µA, tp\u002FT = 0.01 та tp = 0.3 ms. Абсолютні граничні параметри не є рекомендованими робочими точками.\n\nЗа TA = 25°C максимальне пряме падіння напруги становить 1 V при IF = 10 mA. Максимальна ємність становить 4 pF за VR = 0 V, f = 1 MHz та VHF = 50 mV. Час зворотного відновлення не перевищує 4 ns за IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 × IR та RL = 100 Ω; окремий тест 8 ns використовує IF = IR = 10 mA та iR = 1 mA. Жоден із цих часів не є безумовною гарантією перемикання.\n\nПотужність розсіювання нормується як 500 mW за l = 4 mm і TL \u003C= 25°C або 440 mW за l = 4 mm і TL = 45°C. Заданий RthJA = 350 °C\u002FW потребує l = 4 mm та сталої TL. Межа температури кристала становить 175°C; діапазон зберігання — від -65 до +150°C. Оцінюйте фактичні електричні й теплові умови, не сприймаючи параметр корпусу як гарантований струм схеми.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"DO-35",2,350,[32,39],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"K","passive",false,"none","Катод K, позначений чорною смугою на корпусі. Вивід 1 — прийнята в каталозі CircuitBase умовна нумерація; це пасивний вивід діода.",{"pinNumber":29,"pinName":40,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":41},"A","Анод A, з протилежного боку від чорної смуги катода. Вивід 2 — прийнята в каталозі CircuitBase умовна нумерація; за прямого зміщення умовний струм тече від A до K.",{"powerDissipationMaxW":43,"operatingTempMaxC":44,"storageTempMinC":45,"storageTempMaxC":46},0.5,175,-65,150,[48,55,59,63,68,72,76,80,85,89,95,101,106],{"symbol":49,"name":50,"typicalValue":51,"maxValue":52,"unit":53,"testCondition":54},"V_RRM","Повторювана пікова зворотна напруга","—",100,"V","TA = 25°C",{"symbol":56,"name":57,"typicalValue":51,"maxValue":58,"unit":53,"testCondition":54},"V_R","Постійна зворотна напруга блокування",75,{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":51,"minValue":52,"unit":53,"testCondition":62},"V_BR","Напруга пробою","IR = 100 µA, tp\u002FT = 0.01, tp = 0.3 ms, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":51,"maxValue":66,"unit":67,"testCondition":54},"I_F","Постійний прямий струм",300,"mA",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":51,"maxValue":46,"unit":67,"testCondition":71},"I_F_AV","Середній випрямлений прямий струм","VR = 0, TA = 25°C",{"symbol":73,"name":74,"typicalValue":51,"maxValue":75,"unit":67,"testCondition":54},"I_FRM","Повторюваний піковий прямий струм",500,{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":51,"maxValue":29,"unit":40,"testCondition":79},"I_FSM_1us","Неповторюваний піковий прямий ударний струм (1 µs)","tp = 1 µs, TA = 25°C",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":51,"maxValue":75,"unit":83,"testCondition":84},"P_tot","Максимальна розсіювана потужність","mW","l = 4 mm, TL \u003C= 25°C",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":51,"maxValue":33,"unit":53,"testCondition":88},"V_F","Пряме падіння напруги","IF = 10 mA, TA = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":51,"maxValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"I_R","Зворотний струм витоку",0.025,"µA","VR = 20 V, TA = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":51,"maxValue":98,"unit":99,"testCondition":100},"t_rr_4ns","Час зворотного відновлення (тест 4 нс \u002F 4 ns)",4,"ns","IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Ω, TA = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":51,"maxValue":104,"unit":99,"testCondition":105},"t_rr_8ns","Час зворотного відновлення (тест 8 нс \u002F 8 ns)",8,"IF = IR = 10 mA, iR = 1 mA, TA = 25°C",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":51,"maxValue":98,"unit":109,"testCondition":110},"C_D","Бар'єрна ємність діода","pF","VR = 0 V, f = 1 MHz, VHF = 50 mV, TA = 25°C",[112,117,122],{"title":113,"severity":114,"description":115,"mitigationStrategy":116},"Граничні струм і потужність потребують дотримання заданих умов","critical","За TA = 25°C абсолютні граничні параметри становлять IF = 300 mA постійного струму, IF(AV) = 150 mA за VR = 0 та IFRM = 500 mA повторюваного пікового струму. Вони описують різні умови. Ptot = 500 mW потребує l = 4 mm і TL \u003C= 25°C; Ptot = 440 mW задано за TL = 45°C з тією самою довжиною виводів. RthJA = 350 °C\u002FW передбачає l = 4 mm та сталу TL.","Звірте фактичну форму сигналу, потужність розсіювання, температуру виводів і теплове компонування з відповідними граничними параметрами. Утримуйте температуру кристала в межах абсолютного ліміту 175°C; не виводьте гарантований струм схеми з одного струмового чи потужнісного параметра.",{"title":118,"severity":119,"description":120,"mitigationStrategy":121},"Постійна зворотна напруга не дорівнює повторюваній піковій","warning","Даташит задає VR = 75 V та VRRM = 100 V як різні абсолютні межі. Окремо випробуваний мінімум напруги пробою 100 V не робить 100 V рекомендованою постійною робочою напругою. Чорна смуга на корпусі позначає K; номери виводів у каталозі є умовним способом відображення.","Визначте катод за смугою та звірте фактичну форму зворотної напруги з відповідними постійною й повторюваною піковою межами. Ці пасивні виводи не мають параметра толерантності до 5 V за типом GPIO.",{"title":123,"severity":119,"description":124,"mitigationStrategy":125},"Параметр ударного струму 2 A стосується імпульсу 1 µs","Vishay 81857 Rev. 1.6 задає IFSM = 2 A за tp = 1 µs та TA = 25°C. У ньому не задано ударний струм 1 A тривалістю 1 s. Цей абсолютний параметр короткого імпульсу не є дозволом на постійний або повторюваний струм.","Оцініть запланований імпульс і теплові умови за відповідними даними виробника. Не екстраполюйте параметр 1 µs на допустиму більшу тривалість, частоту повторення чи здатність обмежувати енергію імпульсу.",[127],{"title":128,"url":17,"type":129,"authority":130,"publisher":131,"documentNumber":132,"revision":133,"releaseDate":134,"language":135},"1N4148 Small Signal Fast Switching Diodes Datasheet","datasheet","primary","Vishay Semiconductors","81857","1.6","2024-11-07","EN",[],[138],{"equivalentMpn":139,"manufacturer":22,"compatibilityType":140,"parameterDifferences":141},"1N914","pin_to_pin_drop_in","Vishay 81857 прямо називає 1N914 електрично еквівалентним діодом. Перевірте вибраний виріб виробника та корпус для запланованого застосування; це твердження не підтверджує ідентичності геометрії кремнію чи всіх умов випробувань.",[],{"canonicalUrl":144,"metaTitle":145,"metaDescription":146,"primarySearchCluster":147,"structuredDataSchema":153},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F1n4148","Vishay 1N4148: розпіновка DO-35, даташит і умови випробувань","Позначення катода смугою у Vishay 1N4148 DO-35, постійна зворотна межа 75 V і повторювана пікова 100 V, а також струмові, часові й теплові параметри із заданими умовами.",[148,149,150,151,152],"1n4148 цоколівка","1n4148 даташит","1n4148 характеристики","1n4148 смуга катода","1n4148 час зворотного відновлення","Product",null,[156,165,177,187],{"id":157,"slug":157,"mpn":158,"primaryCategory":20,"manufacturers":159,"shortDescription":160,"packages":161,"packageTypes":164,"voltage":-1},"1n4007","1N4007",[22],"Випрямний діод Vishay 1N4007 DO-41: максимум VRRM 1000 V; IF(AV) 1 A за TA = 75°C, довжини виводів 9.5 mm та резистивного або індуктивного навантаження 60 Hz.",[162],{"packageType":163,"pinCount":29},"DO-41",[163],{"id":166,"slug":166,"mpn":167,"primaryCategory":168,"manufacturers":169,"shortDescription":171,"packages":172,"packageTypes":176,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A","bipolar_transistor",[170],"Central Semiconductor","Central Semiconductor 2N2222A — перемикальний NPN-транзистор у TO-18; абсолютні межі: VCEO 40 В і постійний IC 800 мА за TA = 25°C.",[173],{"packageType":174,"pinCount":175},"TO-18",3,[174],{"id":178,"slug":178,"mpn":179,"primaryCategory":168,"manufacturers":180,"shortDescription":182,"packages":183,"packageTypes":186,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[181],"onsemi","Кремнієвий біполярний NPN-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[184],{"packageType":185,"pinCount":175},"TO-92",[185],{"id":188,"slug":188,"mpn":189,"primaryCategory":168,"manufacturers":190,"shortDescription":191,"packages":192,"packageTypes":194,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[181],"Кремнієвий біполярний PNP-транзистор загального призначення для підсилення малих сигналів у корпусі TO-92 з цоколівкою E-B-C та граничними параметрами 40В VCEO і 200мА IC.",[193],{"packageType":185,"pinCount":175},[185],{},1793836419921]