Op-Amp'lar ve KarşılaştırıcılarÜretimden kaldırıldı

LMC6482AIM/NOPB

Üretici: Texas Instruments

Değerlerin alındığı veri sayfası: Texas Instruments, revizyon SNOS674J, Eylül 2024

SOIC-8 kılıfında çift CMOS raydan raya işlemsel yükselteç; belirtilen koşullarda 20 fA tipik giriş kutuplama akımı ve 82 dB tipik CMRR sunar. Önerilen toplam besleme aralığı 3.0 V–15.5 V değerindedir.

KılıflarSOIC-8
Besleme gerilimi3 – 15.5 V

Teknik İnceleme

01

Teknik İnceleme

Belirtilen ortak mod testleri V+ = 5 V ve 15 V, V- = 0 V ve CMRR >= 50 dB koşullarındadır. LMC6482, tek veya simetrik besleme devrelerinde 3,0 V ila 15,5 V önerilen toplam besleme aralığında VS = (V+) - (V-) raydan raya giriş ortak mod aralığı ve raydan raya çıkış salınımı sunan Texas Instruments üretimi çift CMOS işlemsel yükselteçtir. 25°C sıcaklıkta giriş ortak mod aralığı tipik olarak her iki besleme rayının 0,25 V ötesine kadar uzanır ((V-) - 0,25 V <= VCM <= (V+) + 0,25 V); test sınırları (V-) - 0,3 V ila (V+) + 0,3 V aralığını kapsar. -40°C ila 85°C tam sıcaklık aralığında ortak mod sınırı V- ile V+ arasında belirtilmiş olup CMRR >= 50 dB seviyesini korur. Giriş sinyalleri besleme raylarına ulaştığında faz terslenmesi meydana gelmez. Besleme raylarında faz terslenmesi olmaması, giriş gerilimi ve akım sınırlarını ortadan kaldırmaz.

Çıkış katı, 100 kΩ hafif yük altında her iki besleme rayının 20 mV yakınına kadar salınım yapar. Ilımlı dirençli yük altında (V+ = 5 V iken orta ray 2.5 V noktasına bağlı RL = 2 kΩ, TJ = 25°C), yüksek seviye salınım VOH >= 4,8 V (tipik 4,9 V) ve düşük seviye salınım VOL <= 0,18 V (tipik 0,1 V) değerine ulaşır; tam sıcaklık aralığında sınırlar VOH >= 4,7 V ve VOL <= 0,24 V seviyesindedir. Bunlar koşullara bağlı değerlerdir; çıkışa giren herhangi bir akımda sıfır volt çıkış garantisi değildir.

Tipik GBW 15 V besleme geriliminde 1.5 MHz, tipik değişim hızı belirtilen 15 V ve 10 V adım testinde 1.3 V/µs, tipik faz payı ise 5 V tablo koşullarında 50° değerindedir. Açık döngülü karşılaştırıcı performansı tanımlanmamıştır. Cihaz tipik olarak VS = 15 V ve birim kazançta 100 pF yükü doğrudan salınımsız sürebilir; gerçek kapasitif yük kararlılığı devre koşullarına bağlıdır. Giriş kutuplama akımı büyüklüğü 25°C sıcaklıkta tipik 20 fA, belirtilen 5 V test koşullarında TA = -40°C–85°C aralığında maksimum 4.0 pA değerindedir. Koruma halkaları ve temiz yerleşim, yüksek empedanslı devrelerde yüzey kaçak hatalarını sınırlamaya yardımcı olur.

Texas Instruments Paket Opsiyon Eki (5-Mar-2026 tarihli) uyarınca, tüp ambalajlı LMC6482AIM/NOPB sipariş kodu Üretimden Kalkmış (Obsolete) olarak sınıflandırılmış olup, makara ambalajlı LMC6482AIMX/NOPB ve PDIP tüp LMC6482AIN/NOPB Aktif üretimdedir. SOIC kılıf üst yüzeyinde LMC6482AIM işaretini taşır.

Kılıf Pin Dizilimi ve Alternatif İşlevler

SOIC-8 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.

İnteraktif pin dizilim şemasıÜst

LMC6482AIM/NOPB: SOIC-8 paket gösterimiSOIC-8 paketi için etkileşimli pin dizilimi ve pin işlevleri.1: OUT_A2: IN_A_NEG3: IN_A_POS4: V_MINUS8: V_PLUS7: OUT_B6: IN_B_NEG5: IN_B_POS

Paket çizimi, ölçülendirilmiş mekanik çizim değildir.

8 / 8 pin
#Pin adıTür5V toleranslıAlternatif işlevler / ayrıntılar
OUT_Aanalog out—
Kanal A çıkış ucu (100 kΩ yük altında rayların 20 mV yakınına kadar raydan raya salınım)
IN_A_NEGanalog inHayır
Kanal A eviren giriş ucu (-)
IN_A_POSanalog inHayır
Kanal A evirmeyen giriş ucu (+)
V_MINUSpower in—
Negatif besleme gerilimi ucu (tek kaynakta 0 V toprağa, çift kaynakta negatif raya bağlanır)
IN_B_POSanalog inHayır
Kanal B evirmeyen giriş ucu (+)
IN_B_NEGanalog inHayır
Kanal B eviren giriş ucu (-)
OUT_Banalog out—
Kanal B çıkış ucu (100 kΩ yük altında rayların 20 mV yakınına kadar raydan raya salınım)
V_PLUSpower in—
Pozitif besleme gerilimi ucu (önerilen toplam çalışma aralığı VS = (V+) - (V-) 3,0 V ila 15,5 V, mutlak maksimum diferansiyel 16,0 V)

Temel Özellikler

Parametrik özellikler

ParametreMin.TipikMaks.BirimTest koşulu
Giriş Dengesizlik Gerilimi Büyüklüğü (A Sınıfı)(|VOS|)—0.110.75mVVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C (A sınıfı)
Ortalama Giriş Dengesizlik Gerilimi Sürüklenme Büyüklüğü(|TCVOS|)—1—µV/°CVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TA = -40°C to 85°C
Giriş Kutuplama Akımı Büyüklüğü(|IB|)—0.024pAVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ; TJ = 25°C için tipik değer, TA = -40°C–85°C aralığında maksimum
Giriş Dengesizlik Akımı Büyüklüğü(|IOS|)—0.012pAVS = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ; TJ = 25°C için tipik değer, TA = -40°C–85°C aralığında maksimum
Ortak Mod Bastırma Oranı (CMRR)(CMRR)7082—dBV+ = 5 V, V- = 0 V, 0 V <= VCM <= 5 V, VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C (A sınıfı)
Pozitif Güç Kaynağı Bastırma Oranı (+PSRR)(+PSRR)7082—dB5 V <= V+ <= 15 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C (A sınıfı)
Yüksek Seviye Çıkış Gerilim Salınımı(VOH)4.84.9—VV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = 2.5 V, RL = 2 kΩ to 2.5 V, TJ = 25°C
Düşük Seviye Çıkış Gerilim Salınımı(VOL)—0.10.18VV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = 2.5 V, RL = 2 kΩ to 2.5 V, TJ = 25°C
Kazanç Bant Genişliği Çarpımı (GBW)(GBW)—1.5—MHzV+ = 15 V, V- = 0 V, VCM = VO = 7.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C
Yükselme Hızı (Slew Rate)(SR)11.3—V/µsV+ = 15 V, V- = 0 V, 10 V adım, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C; A sınıfı, pozitif ve negatif değişim hızlarının daha yavaş olanı (dipnot 2)
Yükselteç Başına Besleme Akımı(IS)—500700µAV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C; yükselteç başına
Giriş Gerilimi Gürültü Yoğunluğu (1 kHz)(en)—37—nV/√HzV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = 1 V, VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, f = 1 kHz, TJ = 25°C
Faz Payı(phi_m)—50—degV+ = 5 V, V- = 0 V, VCM = VO = 2.5 V, RL > 1 MΩ, TJ = 25°C
Önerilen jonksiyon sıcaklığı(TJ_rec)-40—85°CBölüm 5.3: jonksiyon sıcaklığı aralığıdır, ortam sıcaklığı sınırı değildir
Mutlak maksimum jonksiyon sıcaklığı(TJ_abs)——150°CBölüm 5.1: mutlak zorlanma sınırı; bu koşullarda işlevsel çalışma anlamına gelmez
Çıkış pini akımı mutlak maksimum büyüklüğü(|IO_abs|)——30mABölüm 5.1: mutlak ±30 mA zorlanma sınırıdır, doğrusal sürme kapasitesi değildir; uzun süreli aşırı akım güvenilirliği etkiler; V+ > 13 V olduğunda çıkışı V+ hattına kısa devre etmeyin

Mutlak Maksimum Değerler

Maks. besleme gerilimi (VDD/VCC)16 V
Depolama sıcaklığı-65 – 150 °C
ESD dayanımı (HBM)1500 V
Termal direnç θJA (SOIC-8)128.9 °C/W
Termal direnç θJC (SOIC-8)68.6 °C/W

Donanım Mühendisliği Uyarıları

Üretimden önce bilinmesi gereken gerçek donanım uyarıları, PCB yerleşim kısıtları ve silikon hataları.

Uyarı

Negatif Ray (GND) Yakınında Akım Çekerken Çıkış Gerilimi Artışı

Çıkış salınımı dışarı verilen veya çıkışa giren akıma, beslemeye ve sıcaklığa bağlıdır. V+ = 5 V, V- = 0 V ve 2.5 V noktasına bağlı 2 kΩ yükte VOL, 25°C sıcaklıkta tipik 0.1 V ve maksimum 0.18 V değerindedir; TA = -40°C–85°C aralığındaki maksimum 0.24 V olur. Raydan raya özelliği, her yükte sıfır volt çıkış anlamına gelmez.

Önlem

Gerekli çıkış aralığını ve yük akımını belirleyip koşulları belirtilmiş çıkış salınımı özellikleriyle hata bütçesini kontrol edin. Farklı bir besleme veya harici çıkış kutuplama düzenini toplam besleme, giriş ve ortak mod, akım, termal ve kararlılık sınırları açısından doğrulayın; yalnızca besleme rayını değiştirmek ofseti veya diğer hataları ortadan kaldırmaz.

Uyarı

Kapasitif Yük Altında Faz Payı Azalması

Harici kapasitif yüklerin sürülmesi, op-amp'ın açık döngü çıkış empedansı ile etkileşime girerek faz payını düşüren ek bir kutup oluşturur. Entegre tipik olarak VS = 15 V ve birim kazançta 100 pF değerine kadar kapasitif yükleri doğrudan salınımsız sürebilse de, daha büyük kapasitif yükler veya düşük besleme gerilimi kazanç tepeleşmesine, çınlamaya veya kararsızlığa neden olabilir.

Önlem

TI Şekil 7-8, geri besleme döngüsü dışında 330 pF yükle 300 Ω seri yalıtım direncini gösterir. Şekil 7-10, 330 pF yük için 300 Ω direnç ve 100 pF AC geri besleme kondansatörünü gösterir. Bunlar uygulama örnekleridir, evrensel bileşen değerleri değildir: gerçek devre ve istenen darbe yanıtı için kompanzasyonu seçip doğrulayın.

Uyarı

Femtoamper Giriş Akımını Aşan PCB Yüzey Kaçakları

25°C sıcaklıkta yalnızca 20 fA tipik giriş kutuplama akımına sahip olan cihazda, baskı devre kartındaki parazitik yüzey kaçakları yerel kutuplama akımını katbekat aşabilir (örneğin 10^12 Ω kaçak direncinden geçen 5 V gerilim, tipik akımın 250 katı olan 5 pA akım enjekte eder). Lehim akısı (flux) kalıntıları, yüzey iyonik kirliliği ve nem kart yalıtımını bozar.

Önlem

Yüksek empedanslı giriş yollarını PCB'nin üst ve alt katmanlarında girişlerle aynı potansiyele bağlı koruma halkaları (guard ring) ile çevreleyin (örneğin gerilim izleyicide eviren geri besleme düğümüne bağlayın). Lehim akısı kalıntılarını tamamen temizleyin veya hassas elektrometre uygulamalarında PTFE ayaklar ve havada kablolama kullanın.

Resmi Dokümantasyon ve Kaynak Datasheetler

Yarı iletken üreticisi veri sayfaları, hata bültenleri (errata) ve uygulama notları.

Bu sayfanın doğru kalmasına yardım edin

Veri sayfasıyla uyuşmayan bir pin, kılıf veya parametre mi buldunuz? Bildirin.

GitHub'da bu sayfanın önceden doldurulduğu herkese açık bir form açar; ücretsiz bir GitHub hesabı gerekir. Bildirimler ve onaylar nasıl işler

İlgili bileşenler