[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:irlz44n:tr":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":179,"related":180,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":139,"datasheetUrl":17,"documentationSources":154,"applicationCircuits":162,"equivalents":167,"mountedOnBoards":168,"seo":169},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.infineon.com\u002Fassets\u002Frow\u002Fpublic\u002Fdocuments\u002F24\u002F49\u002Finfineon-irlz44npbf-datasheet-en.pdf","irlz44n","IRLZ44NPbF","power_mosfet",[22],"Infineon Technologies","active","TO-220AB kılıfında G-D-S bacak dizilimli ve drene bağlı montaj sekmeli Infineon IRLZ44NPbF N-kanal lojik seviyeli güç MOSFET’i; iletim direnci ayrı 4 V, 5 V ve 10 V kapı sürüşü test koşullarında belirtilir.","Infineon IRLZ44NPbF, Rev. 2.1, 2026-08-12 bilgi formunda belgelenmiş N-kanal lojik seviyeli HEXFET güç MOSFET’idir. Delik içi montajlı TO-220AB (PG-TO220-3-U05) kılıfında kapı, dren ve kaynak sırasıyla 1, 2 ve 3 numaralı bacaklardadır; montaj sekmesi drene bağlıdır. Dren–kaynak kırılma gerilimi V(BR)DSS, VGS = 0 V, ID = 250 µA ve TJ = 25°C koşulunda en az 55 V olarak belirtilir. Mutlak sürekli dren akımı sınırları TC = 25°C’de 47 A ve TC = 100°C’de 33 A’dır; her ikisi VGS = 10 V koşulundadır. 110 W mutlak güç kaybı sınırı da TC = 25°C gerektirir. Bu kılıf sıcaklığına bağlı zorlanma sınırları ortam sıcaklığı, kart akımı veya GPIO ile sürülen yük garantisi değildir. Mutlak TJ = −55 ila +175°C jonksiyon sıcaklığı aralığı ortam sıcaklığından farklıdır; verilen 1.4°C\u002FW jonksiyon–kılıf ve 62°C\u002FW jonksiyon–ortam termal dirençleri maksimum değerlerdir. VGS(th) = 1.0–2.0 V kapı eşiği, ID = 250 µA ve VDS = VGS koşullarında test edilir (TJ = 25°C); kullanışlı yük akımı iletimini veya dijital giriş anahtarlama eşiğini belirlemez. Ayrı olarak maksimum RDS(on), VGS = 10 V ve ID = 25 A için 22 mΩ, VGS = 5 V ve ID = 25 A için 25 mΩ, VGS = 4 V ve ID = 21 A için 35 mΩ’dur; tümü TJ = 25°C, darbe genişliği ≤300 µs ve görev döngüsü ≤2% koşullarındadır. Anahtarlama uygulamasını değerlendirirken koşulları belirtilmiş tabloları, gerçek termal tasarımı ve kapı sürüşünü esas alın.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"pitchMm":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-220AB",3,2.54,62,1.4,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"G","passive",false,"none","Kapı ucu; gerilimler kaynağa göre tanımlanır. ID = 250 µA, VDS = VGS ve TJ = 25°C koşulundaki VGS(th) = 1.0–2.0 V bir eşik testidir; kullanışlı yük sürüşü garantisi veya dijital lojik eşik değildir. Mutlak VGS sınırı: ±16 V.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"D","Dren güç ucu (TO-220 kılıfının metal montaj sekmesine dahili olarak bağlıdır)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"S","Kaynak ucu ve VGS referansı; yalnızca uygun bir alt kol anahtarlama topolojisinde devre toprağına bağlanır, doğası gereği toprak bacağı değildir.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,175,[52,59,65,70,75,81,86,91,95,100,106,110,114,120,124,128,134],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)DSS","Dren-Kaynak Kırılma Gerilimi","—",55,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":63,"testCondition":64},"ID_25C","25°C'de Sürekli Dren Akımı",47,"A","Mutlak maksimum sürekli dren akımı, VGS = 10 V, TC = 25°C (s. 1); kılıf sıcaklığıdır, ortam sıcaklığı veya kart akım kapasitesi değildir.",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":55,"maxValue":68,"unit":63,"testCondition":69},"ID_100C","100°C'de Sürekli Dren Akımı",33,"Mutlak maksimum sürekli dren akımı, VGS = 10 V, TC = 100°C (s. 1); kılıf sıcaklığıdır, ortam sıcaklığı veya kart akım kapasitesi değildir.",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":55,"maxValue":73,"unit":63,"testCondition":74},"IDM","Darbeli Dren Akımı",160,"Mutlak maksimum tekrarlamalı darbeli dren akımı; darbe genişliği maksimum jonksiyon sıcaklığıyla sınırlıdır (not 1, s. 2; Şekil 11’e bakın). Sürekli akım izni değildir.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":78,"unit":79,"testCondition":80},"RDS_ON_10V","10V'ta İletim Direnci RDS(on)",0.022,"Ω","VGS = 10 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2%)",{"symbol":82,"name":83,"typicalValue":55,"maxValue":84,"unit":79,"testCondition":85},"RDS_ON_5V","5V'ta İletim Direnci RDS(on)",0.025,"VGS = 5.0 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2%)",{"symbol":87,"name":88,"typicalValue":55,"maxValue":89,"unit":79,"testCondition":90},"RDS_ON_4V","4V'ta İletim Direnci RDS(on)",0.035,"VGS = 4.0 V, ID = 21 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":55,"minValue":35,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":94},"VGS_TH","Kapı Eşik Gerilimi","VDS = VGS, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"minValue":98,"unit":46,"testCondition":99},"gfs","İleri Transkondüktans \u002F İleri Geçiş İletkenliği",21,"VDS = 25 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (darbe testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"maxValue":103,"unit":104,"testCondition":105},"Qg","Toplam Kapı Yükü",48,"nC","ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; darbe genişliği ≤300 µs, görev döngüsü ≤2% (not 4, s. 2; Şekil 6 ve 13).",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":55,"maxValue":109,"unit":104,"testCondition":105},"Qgs","Kapı-Kaynak Yükü",8.6,{"symbol":111,"name":112,"typicalValue":55,"maxValue":113,"unit":104,"testCondition":105},"Qgd","Kapı-Dren Miller Yükü",25,{"symbol":115,"name":116,"typicalValue":117,"unit":118,"testCondition":119},"Ciss","Giriş Kapasitansı",1700,"pF","VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":123,"unit":118,"testCondition":119},"Coss","Çıkış Kapasitansı",400,{"symbol":125,"name":126,"typicalValue":127,"unit":118,"testCondition":119},"Crss","Ters Transfer Kapasitansı",150,{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":131,"unit":132,"testCondition":133},"PD","Mutlak Maksimum Güç Kaybı",110,"W","TC = 25°C, mutlak maksimum sınır (s. 1); kılıf sıcaklığıdır, ortam sıcaklığı değildir. Doğrusal azaltma katsayısı: 0.71 W\u002F°C.",{"symbol":135,"name":136,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":137,"testCondition":138},"TJ","Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı","°C","Çalışma jonksiyon sıcaklığı, mutlak maksimum sınırlar (s. 1); ortam çalışma sıcaklığı aralığı değildir.",[140,145,149],{"title":141,"severity":142,"description":143,"mitigationStrategy":144},"Kapı–Kaynak Mutlak Gerilim Sınırı: ±16 V","critical","IRLZ44NPbF mutlak kapı–kaynak gerilimi sınırı VGS = ±16 V’dir (s. 1). Bu bir zorlanma sınırıdır; garantili fiziksel kapı kırılma eşiği değildir. Anahtarlama geçişleri, kapı–dren kapasitansı üzerinden kuplaj ve çınlama, kaynak düğümüne göre VGS’yi değiştirebilir; gerçek devrede hem pozitif hem negatif sapmaları değerlendirin. Mutlak sınırın aşılması aygıta zarar verebilir.","Gerçek VGS’nin mutlak sınır içinde kalması için kapı sürüşü gerilimini ve geçici gerilim korumasını kaynak düğümüne göre, her iki polariteyi ve kenetleme toleransını içerecek şekilde değerlendirin. Kapı–kaynak kenetleyicisi kullanılıyorsa gerilimini, darbe kapasitesini ve normal sürüşe etkisini kontrol edin; korumayı ve kapı dönüş yolunu aygıta yakın yerleştirin. Gürültülü bir besleme hattının uygun kapı sürücüsü çıkışı olduğunu varsaymayın.",{"title":146,"severity":142,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Mikrodenetleyici Sürüşünde Kapı Yükü ve Anahtarlama Kayıpları","Maksimum RDS(on) değerleri VGS = 10 V \u002F ID = 25 A için 22 mΩ, VGS = 5 V \u002F ID = 25 A için 25 mΩ ve VGS = 4 V \u002F ID = 21 A için 35 mΩ’dur; tümü TJ = 25°C, darbe genişliği ≤300 µs ve görev döngüsü ≤2% koşullarında geçerlidir (s. 2, not 4). Bunlar koşullu testlerdir; her yük veya ısıl durum için tam iletim sözü değildir. Bilgi formu 3.3 V kapı sürüşünde bir RDS(on) sınırı belirtmez. Toplam kapı yükü Qg, ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V ve TJ = 25°C’de aynı not 4 darbe koşullarıyla en fazla 48 nC’dir. Ciss = 1700 pF, VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz ve TJ = 25°C koşulunda tipik değerdir; sabit veya maksimum giriş kapasitansı değildir. Sürücünün gerçek akım sağlama\u002Fçekme kapasitesi ve çıkış empedansı, kapı geçiş sürelerini ve anahtarlama kayıplarını etkiler; bu MOSFET bilgi formundan evrensel bir GPIO akım kapasitesi çıkarılamaz.","Sürücünün gerçek çıkış gerilimini kaynağa göre, şarj\u002Fdeşarj kapasitesini, anahtarlama frekansını ve ısıl koşulları ilgili direnç ve kapı yükü testlerine göre değerlendirin. Yalnızca 4 V veya 5 V’a ulaşmak belirli bir yük akımını veya kabul edilebilir kayıpları garanti etmez. Gerektiğinde gerekli tepe akımlarını sağlayabilen ve çekebilen bir kapı sürücüsü veya tamponu değerlendirin; oluşan devrede geçiş sürelerini ve anahtarlama güç kaybını doğrulayın.",{"title":150,"severity":151,"description":152,"mitigationStrategy":153},"Montaj Sekmesinin Dahili Olarak Dren Ucuna Bağlı Olması","warning","TO-220AB kılıfında metal montaj sekmesi dahili olarak pim 2'ye (dren) bağlıdır. Alt kol anahtarlama devresinde dren ucu toprak ile yük gerilimi arasında salınır. Sekmenin elektriksel yalıtım olmadan doğrudan topraklanmış bir soğutucuya bağlanması MOSFET'i devre dışı bırakır, yükün dönüşünü kalıcı olarak toprağa bağlar ve yükün kontrolsüz çalışmasına neden olur.","Transistörü topraklanmış bir soğutucuya veya metal şasiye monte ederken montaj vidasını sekmeden yalıtmak için her zaman termal iletken bir yalıtım pedi ve izolasyonlu omuzlu pul (yalıtım burcu) kullanın.",[155],{"title":156,"url":17,"type":157,"authority":158,"publisher":22,"revision":159,"releaseDate":160,"language":161},"IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet","datasheet","primary","Rev. 2.1","2026-08-12","EN",[163],{"title":164,"schematicSlug":165,"topology":166},"IRLZ44N Mantık Seviyeli N-Kanal MOSFET Alt Kol DC Anahtarı","irlz44n-logic-level-low-side-switch","Mikrodenetleyici kontrolü için kapı sönümleme direnci (100 Ω), 10 kΩ pull-down direnci, endüktif yükler için flyback koruma diyotu ve dekuplajlı 12V\u002F24V güç hattına sahip alt kol N-kanal mantık seviyeli güç anahtarı devresi.",[],[],{"canonicalUrl":170,"metaTitle":171,"metaDescription":172,"primarySearchCluster":173,"structuredDataSchema":178},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Firlz44n","IRLZ44N Mantık Seviyeli Güç MOSFET'i: Bacak Bağlantıları ve Bilgi Formu | CircuitBase","Infineon IRLZ44NPbF bilgi formu ve TO-220AB G-D-S bacak dizilimi: koşullu iletim direnci, kapı yükü, ±16 V kapı–kaynak zorlanma sınırı ve kılıf\u002Fjonksiyon termal sınırları.",[174,175,176,177],"irlz44n bacak baglantilari","irlz44n bilgi formu","irlz44n mantik seviyeli mosfet","irlz44n to-220","Product",null,[181,191,200,211],{"id":182,"slug":182,"mpn":183,"primaryCategory":20,"manufacturers":184,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[185],"onsemi","onsemi 2N7000 N-kanallı MOSFET, TO-92 (CASE 135AN), S-G-D bacak dizilimi; mutlak sınırlar: VDSS 60 V ve TC = 25°C koşulunda sürekli ID 200 mA.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"TO-92",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":195,"packages":196,"packageTypes":199,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[185],"onsemi BSS138: SOT-23 (CASE 318-08) kılıfta lojik seviye N-kanal MOSFET, G-S-D pin dizilimi; 50 V mutlak VDSS sınırı ve TA = 25°C ortamda 220 mA sürekli ID akım limiti.",[197],{"packageType":198,"pinCount":29},"SOT-23",[198],{"id":201,"slug":201,"mpn":202,"primaryCategory":203,"manufacturers":204,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":210,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[205],"Vishay","Vishay 1N4007 DO-41 doğrultucu: maksimum VRRM 1000 V; TA = 75°C, 9.5 mm bacak boyu ve 60 Hz dirençli veya endüktif yük koşullarında IF(AV) 1 A.",[208],{"packageType":209,"pinCount":42},"DO-41",[209],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":203,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[205],"DO-35 kılıflı eksenel Vishay 1N4148 anahtarlama diyotu. Siyah katot bandı, 75 V sürekli ters gerilim sınırı ve belirtilen test koşullarında maksimum 4 ns ters toparlanma süresi.",[217],{"packageType":218,"pinCount":42},"DO-35",[218],{},1793836422500]