[{"data":1,"prerenderedAt":236},["ShallowReactive",2],{"component:bss138:tr":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":197,"related":198,"equivalentSlugs":235},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":46,"parametricAttributes":49,"gotchas":152,"datasheetUrl":17,"documentationSources":171,"applicationCircuits":180,"equivalents":185,"mountedOnBoards":186,"seo":187},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-11-03",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Gemini (independent documentary review against onsemi BSS138\u002FD Rev. 7; verified pinout, SOT-23 package, absolute maximums, electrical parametric limits, gotchas, six-locale localization sidecars, and catalog release validation; owner publication GO, no physical bench signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fdownload\u002Fdata-sheet\u002Fpdf\u002Fbss138-d.pdf","bss138","BSS138","power_mosfet",[22],"onsemi","active","onsemi BSS138: SOT-23 (CASE 318-08) kılıfta lojik seviye N-kanal MOSFET, G-S-D pin dizilimi; 50 V mutlak VDSS sınırı ve TA = 25°C ortamda 220 mA sürekli ID akım limiti.","BSS138, onsemi tarafından üretilen endüstri standardı küçük sinyal N-kanal zenginleştirilmiş mod lojik seviye alan etkili transistördür (veri sayfası BSS138\u002FD, Rev. 7, Nisan 2024). Yüzey montaj SOT-23 kılıfta (TO-236AB \u002F CASE 318-08) üretilen eleman G-S-D pin dizilimine sahiptir: pin 1 kapı (G), pin 2 kaynak (S) ve pin 3 savak (D). TA = 25°C ortamdaki mutlak maksimum değerler 50V savak-kaynak delinme gerilimi VDSS, 50V sürekli savak-kapı gerilimi VDGR (RGS \u003C= 1 MΩ), ±20V sürekli kapı-kaynak gerilimi VGSS (tp \u003C 50 µs için ±40V tepe darbe), 220mA sürekli savak akımı ID, 880mA darbeli savak akımı IDM ve 360mW toplam güç kaybı PD (25°C üzerinde 2.8 mW\u002F°C düşüş; minimum lehim alanında eklem-ortam termal direnci RthetaJA = 350°C\u002FW) olarak belirtilmiştir. Elektriksel özellikler VGS = 0V, ID = 250 µA koşulunda minimum BVDSS = 50V savak-kaynak kırılma gerilimini garanti eder. Kapı eşik gerilimi VGS(th), VDS = VGS, ID = 1.0 mA altında 0.8V min., 1.3V tip. ila 1.5V maks. aralığında olup kanalın iletime başlama noktasını gösterir. Statik savak-kaynak iletim direnci RDS(on), VGS = 10V, ID = 0.22 A altında 1.4 Ω tip., 3.5 Ω maks. ve VGS = 4.5V, ID = 0.22 A altında 1.9 Ω tip., 6.0 Ω maks. olarak garanti edilir. Anahtarlama hızları oldukça yüksektir: VDD = 30V, ID = 0.22 A, VGS = 10V ve RGEN = 50 Ω test koşullarında tipik açılma gecikmesi td(on) = 2.5 ns (20 ns maks.), yükselme süresi tr = 9 ns (20 ns maks.), kapanma gecikmesi td(off) = 20 ns (50 ns maks.) ve düşme süresi tf = 7 ns (20 ns maks.) değerindedir. Giriş kapasitansı Ciss, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0 MHz altında 27 pF tipik (50 pF maks.) değerindedir. Entegre gövde diyotu 0.22 A sürekli ileri yön akımı IS ve VGS = 0V, IS = 0.22 A altında 0.8V tip., 1.4V maks. ileri yön gerilimi VSD sunar.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"SOT-23",3,350,[32,39,43],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"G","passive",false,"none","Kapı ucu (Gate, pin 1, SOT-23 \u002F CASE 318-08 sol alt ucu; yüksek empedanslı kapı girişi, mutlak sınır sürekli ±20V, tp \u003C 50 µs tepe darbelerinde ±40V)",{"pinNumber":40,"pinName":41,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":42},2,"S","Kaynak ucu (Source, pin 2, SOT-23 \u002F CASE 318-08 sağ alt ucu; kapı ve savak potansiyelleri için ortak referans ucu)",{"pinNumber":29,"pinName":44,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":45},"D","Savak ucu (Drain, pin 3, SOT-23 \u002F CASE 318-08 üst orta ucu; mutlak sınır VDSS 50V, TA = 25°C için sürekli akım ID 220 mA)",{"storageTempMinC":47,"storageTempMaxC":48},-55,150,[50,57,64,70,76,83,89,95,101,106,111,118,122,125,129,133,138,142,148],{"symbol":51,"name":52,"typicalValue":53,"minValue":54,"unit":55,"testCondition":56},"BVDSS","Savak-Kaynak Delinme Gerilimi","—",50,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":58,"name":59,"typicalValue":60,"minValue":61,"maxValue":62,"unit":55,"testCondition":63},"VGS_th","Kapı Eşik Gerilimi",1.3,0.8,1.5,"VDS = VGS, ID = 1.0 mA, TJ = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":53,"maxValue":67,"unit":68,"testCondition":69},"IDSS","Sıfır Kapı Geriliminde Savak Akımı",0.5,"µA","VDS = 50 V, VGS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":53,"maxValue":73,"unit":74,"testCondition":75},"IGSS","Kapı Gövde Kaçak Akımı",100,"nA","VGS = ±20 V, VDS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":79,"maxValue":80,"unit":81,"testCondition":82},"RDS_on_10V","10V'ta Savak-Kaynak İletim Direnci",1.4,3.5,"Ω","VGS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":84,"name":85,"typicalValue":86,"maxValue":87,"unit":81,"testCondition":88},"RDS_on_4_5V","4.5V'ta Savak-Kaynak İletim Direnci",1.9,6,"VGS = 4.5 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":30,"minValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"gFS","İleri Yön İletkenliği",170,"mS","VDS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":98,"maxValue":54,"unit":99,"testCondition":100},"Ciss","Giriş Kapasitansı",27,"pF","VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":104,"maxValue":105,"unit":99,"testCondition":100},"Coss","Çıkış Kapasitansı",11,25,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":109,"maxValue":110,"unit":99,"testCondition":100},"Crss","Ters Transfer Kapasitansı",4,8,{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":114,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"td_on","Açılma Gecikme Süresi",2.5,20,"ns","Test koşulları: VDD = 30 V, ID = 0.22 A, VGS = 10 V, RGEN = 50 Ω, TJ = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":121,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tr","Yükselme Süresi",9,{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":115,"maxValue":54,"unit":116,"testCondition":117},"td_off","Kapanma Gecikme Süresi",{"symbol":126,"name":127,"typicalValue":128,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tf","Düşme Süresi",7,{"symbol":130,"name":131,"typicalValue":53,"maxValue":54,"unit":55,"testCondition":132},"VDSS","Mutlak Maksimum Savak-Kaynak Gerilimi","TA = 25°C",{"symbol":134,"name":135,"typicalValue":53,"maxValue":136,"unit":137,"testCondition":132},"ID_cont","Mutlak Maksimum Sürekli Savak Akımı",220,"mA",{"symbol":139,"name":140,"typicalValue":53,"maxValue":141,"unit":137,"testCondition":132},"IDM","Mutlak Maksimum Darbeli Savak Akımı",880,{"symbol":143,"name":144,"typicalValue":53,"maxValue":145,"unit":146,"testCondition":147},"PD","Mutlak Maksimum Toplam Güç Harcaması",360,"mW","TA = 25°C; 25°C üzerinde 2.8 mW\u002F°C düşüş",{"symbol":149,"name":150,"typicalValue":61,"maxValue":79,"unit":55,"testCondition":151},"VSD","Gövde Diyotu İleri Yön Gerilimi","VGS = 0 V, IS = 0.22 A, TJ = 25°C",[153,158,162,167],{"title":154,"severity":155,"description":156,"mitigationStrategy":157},"Çift yönlü I2C seviye dönüştürücülerde kaynak ve savak bağlantı yönü","critical","Klasik çift yönlü I2C lojik seviye dönüştürücü devrelerinde (NXP AN10441), MOSFET kaynak ucu düşük gerilimli besleme hattına (örneğin 3.3V) ve kapı ucu da bu 3.3V hattına bağlanmalı; savak ucu ise yüksek gerilimli veri hattına (örneğin 5V) bakmalıdır. MOSFET iç yapısında kaynaktan savağa doğru yönlenmiş bir gövde diyotu bulunduğundan kaynak ve savak uçları ters bağlanırsa anot 5V hattına, katot ise 3.3V hattına bağlanmış olur. 3.3V tarafındaki gerilim düşük kaldığı sürece gövde diyotu sürekli ileri yönde iletime geçer; bu da 5V hattından 3.3V hattına kontrolsüz kaçak akıma yol açarak yüksek gerilimli hattı sürekli lojik sıfırda kilitler.","BSS138 transistörünü kesinlikle Kaynak (Source, pin 2) ucu düşük gerilim tarafına (VCC_low), Savak (Drain, pin 3) ucu yüksek gerilim tarafına (VCC_high) gelecek biçimde yönlendirin. Kapı ucu (Gate, pin 1) doğrudan VCC_low hattına bağlanır. Boşta doğru lojik bir seviyesi sağlamak için her iki hatta harici pull-up dirençleri bağlayın.",{"title":159,"severity":155,"description":160,"mitigationStrategy":161},"Küçük sinyal iletim direnci (6.0 Ω'a varan RDS(on)) güç yüklerinin anahtarlanmasına izin vermez","BSS138, güç yüklerini anahtarlamak için değil; küçük sinyalli lojik seviye dönüşümü ve hızlı dijital anahtarlama amacıyla tasarlanmıştır. BSS138\u002FD veri sayfası, VGS = 10V altında 3.5 Ω ve VGS = 4.5V altında 6.0 Ω'a kadar statik iletim direnci belirtir (ID = 0.22 A koşulunda). 6.0 Ω kanaldan 150 mA akım geçirilmesi transistör üzerinde 0.9V gerilim düşümüne ve 135 mW ısı kaybına yol açar. Minimum lehim alanında RthetaJA = 350°C\u002FW olan küçük bir SOT-23 kılıfta bu durum jonksiyon sıcaklığını ortamın 47°C üzerine çıkararak aşırı termal yüke neden olur.","BSS138 kullanımını düşük akımlı dijital sinyaller, haberleşme hatları ve pull-up devreleri ile sınırlandırın (ID \u003C 50 mA). 100 mA üzerindeki güç anahtarlama, motor kontrolü veya röle sürme uygulamaları için IRLZ44N, 2N7000 veya modern güç TrenchFET MOSFET transistörlerini tercih edin.",{"title":163,"severity":164,"description":165,"mitigationStrategy":166},"3.3V altı lojik seviyeler ve garantilenmemiş düşük gerilimli kapı sürüşü","warning","Kapı eşik gerilimi VGS(th) 0.8V ile 1.5V arasında belirtilmiş olsa da (ID = 1.0 mA için), bu eşik yalnızca kanalın iletime başlama anını ifade eder. onsemi BSS138 veri sayfası yalnızca VGS = 10V (\u003C= 3.5 Ω) ve VGS = 4.5V (\u003C= 6.0 Ω) için garanti iletim direnci verir; 1.8V, 2.5V veya 3.3V seviyeleri için direnç garanti edilmez. 1.8V ve 3.3V sistemler arasında sinyal dönüştürürken sınır toleranstaki parçalarda aşırı kapı gerilimi (VGS - VGS(th)) 0.3V kadar düşük kalabilir; bu da kanal direncini yükselterek kapasitif I2C hatlarında yükselme sürelerini geciktirir.","1.8V veya 2.5V lojik alanları için hat RC zaman sabitini daha yüksek kanal direnci (~15–30 Ω) kabul ederek hesaplayın. Yükselme süreleri I2C Fast-mode (400 kHz) sınırlarını aşıyorsa pull-up direnç değerlerini küçültün veya özel seviye dönüştürücü entegreler (örneğin PCA9306 ya da TXS0102) kullanın.",{"title":168,"severity":164,"description":169,"mitigationStrategy":170},"Negatif gerilim salınımlarında veya besleme sıralamasında parazitik gövde diyotu iletimi","Kaynak (anot) ve savak (katot) arasındaki gövde diyotu 0.8V tip., 1.4V maks. ileri yön iletim gerilimine sahiptir. Veri hatlarında toprak seviyesinin altına inen endüktif salınımlar oluşursa veya yüksek gerilimli besleme kapalıyken düşük gerilim hattı aktif kalırsa, gövde diyotu üzerinden parazitik akım akar. 5V hattının toprağa çekildiği durumlarda 3.3V hattını lojik bire çekmek, pull-up direnci ve kanal üzerinden 5V hattını ters yönde besleyebilir.","Farklı gerilimli gömülü sistemlerde besleme açılma-kapanma sırasını kontrol edin. Dekuplaj kondansatörlerinin güvenli boşalmasını sağlayın ve enerjisiz entegre pinlerine sinyal uygulanmasından kaçının. Endüktif yük veya uzun kablo sürüldüğünde negatif toprak salınımlarını sönümlemek için Schottky koruma diyotları ekleyin.",[172],{"title":173,"url":17,"type":174,"authority":175,"publisher":22,"documentNumber":176,"revision":177,"releaseDate":178,"language":179},"BSS138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor","datasheet","primary","BSS138\u002FD","Rev. 7","2024-04","EN",[181],{"title":182,"schematicSlug":183,"topology":184},"BSS138 ile 3.3V - 5V Çift Yönlü I2C Seviye Dönüştürücü","bss138-bidirectional-i2c-level-shifter","Kapısı 3.3V seviyesine sabitlenmiş, kaynağı 3.3V veri yolunda ve ayrık pull-up dirençli N-kanal MOSFET çift yönlü gerilim seviye dönüştürücüsü.",[],[],{"canonicalUrl":188,"metaTitle":189,"metaDescription":190,"primarySearchCluster":191,"structuredDataSchema":196},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Fbss138","BSS138 N-Kanal MOSFET Pinout ve Veriler | CircuitBase","onsemi BSS138 SOT-23 N-kanal MOSFET pinout (G-S-D), 50V VDSS ve 220mA ID sınırları, çift yönlü I2C seviye dönüştürücü kuralları ve RDS(on) direnç özellikleri.",[192,193,194,195],"bss138 bacak baglantisi","bss138 veri sayfasi","bss138 sot-23","bss138 mantik seviye donusturucu","Product",null,[199,208,218,227],{"id":200,"slug":200,"mpn":201,"primaryCategory":20,"manufacturers":202,"shortDescription":203,"packages":204,"packageTypes":207,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[22],"onsemi 2N7000 N-kanallı MOSFET, TO-92 (CASE 135AN), S-G-D bacak dizilimi; mutlak sınırlar: VDSS 60 V ve TC = 25°C koşulunda sürekli ID 200 mA.",[205],{"packageType":206,"pinCount":29},"TO-92",[206],{"id":209,"slug":209,"mpn":210,"primaryCategory":20,"manufacturers":211,"shortDescription":213,"packages":214,"packageTypes":217,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[212],"Infineon Technologies","TO-220AB kılıfında G-D-S bacak dizilimli ve drene bağlı montaj sekmeli Infineon IRLZ44NPbF N-kanal lojik seviyeli güç MOSFET’i; iletim direnci ayrı 4 V, 5 V ve 10 V kapı sürüşü test koşullarında belirtilir.",[215],{"packageType":216,"pinCount":29},"TO-220AB",[216],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":221,"manufacturers":222,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":226,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"TO-92 kılıfında E-B-C bacak dizilimine ve 40V VCEO ile 200mA IC mutlak maksimum sınırlarına sahip genel amaçlı küçük sinyal NPN silikon bipolar jonksiyon transistörü.",[225],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{"id":228,"slug":228,"mpn":229,"primaryCategory":221,"manufacturers":230,"shortDescription":231,"packages":232,"packageTypes":234,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"E-B-C bacak dizilimine sahip TO-92 kılıfında, 40V VCEO ve 200mA IC mutlak maksimum değerlerine sahip genel amaçlı küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörü.",[233],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{},1793836422018]