[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3906:tr":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":145,"datasheetUrl":17,"documentationSources":160,"applicationCircuits":169,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent manufacturer documentary\u002Ftechnical\u002Fpackage and full-five-locale LLM semantic review; owner publication GO; no bench or native-human claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3906-d.pdf","2n3906","2N3906","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","E-B-C bacak dizilimine sahip TO-92 kılıfında, 40V VCEO ve 200mA IC mutlak maksimum değerlerine sahip genel amaçlı küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörü.","**2N3906**, onsemi tarafından üretilen klasik küçük sinyal PNP silikon bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT) (Yayın Sipariş Numarası `2N3906\u002FD`, Rev. 4, Şubat 2010). E-B-C bacak dizilimine sahip Through-Hole TO-92 kılıfında (Case 29-11, Issue AM, Style 1) üretilmiş olup, NPN 2N3904'ün doğrudan tamamlayıcı eşidir.\n\n### Çalışma Fiziği ve Kutuplama Kuralları\nStandart ileri aktif PNP çalışmasında beyz ve kollektör gerilimleri emetöre göre negatiftir ($V_{BE} \u003C 0$, $V_{CE} \u003C 0$). Veri sayfası tablolarında pozitif genlikler ($|V_{CE}|$, $|V_{BE}|$, $|V_{(BR)}|$) listelenir.\n\n### Mutlak Maksimum Değerler ($T_A = 25°C$)\n- **Kollektör-Emetör Gerilimi ($V_{CEO}$):** 40 V\n- **Kollektör-Beyz Gerilimi ($V_{CBO}$):** 40 V\n- **Emetör-Beyz Gerilimi ($V_{EBO}$):** 5,0 V\n- **Sürekli Kollektör Akımı ($I_C$):** 200 mA\n- **Toplam Güç Harcaması ($P_D$):** $T_A = 25°C$'de 625 mW (25°C üzerinde 5,0 mW\u002F°C düşüm); $T_A = 60°C$'de 250 mW; $T_C = 25°C$'de 1,5 W (12 mW\u002F°C düşüm)\n- **Çalışma Jonksiyon Sıcaklığı ($T_J$):** -55°C ile +150°C arası\n- **Termal Direnç:** $θ_{JA} = 200°C\u002FW$ jonksiyon–ortam ve $θ_{JC} = 83,3°C\u002FW$ jonksiyon–kılıf (veri sayfasındaki maksimumlar)\n\n### Temel Elektriksel ve Dinamik Özellikler ($T_A = 25°C$)\n- **Kırılma Gerilimleri:** $V_{(BR)CEO} ≥ 40$ V ($I_C = 1,0$ mA), $V_{(BR)CBO} ≥ 40$ V ($I_C = 10$ µA), $V_{(BR)EBO} ≥ 5,0$ V ($I_E = 10$ µA)\n- **DC Akım Kazancı ($h_{FE}$):** $I_C = 10$ mA ve $|V_{CE}| = 1,0$ V'ta 100 ile 300 arası\n- **Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi ($|V_{CE(sat)}|$):** $I_C = 10$ mA ve $I_B = 1,0$ mA'da $≤ 0,25$ V\n- **Geçiş Frekansı ($f_T$):** $I_C = 10$ mA, $|V_{CE}| = 20$ V, $f = 100$ MHz'te $≥ 250$ MHz\n\n> **Veri Sayfası Notu:** Darbe koşulu ($t_p ≤ 300$ µs, görev döngüsü $≤ 2,0%$) yalnızca Not 2 ile işaretli parametrelere ($V_{(BR)CEO}$, $h_{FE}$ ve doyum) uygulanır; $V_{(BR)CBO}$, $V_{(BR)EBO}$ veya $f_T$ için genel değildir.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Emetör terminali (1. bacak, düz yüzey öne ve bacaklar aşağı bakarken sol bacak)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Beyz kontrol terminali (2. bacak, orta bacak; harici beyz akımı sınırlama direnci gerektirir)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Kollektör terminali (3. bacak, düz yüzey öne ve bacaklar aşağı bakarken sağ bacak)",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,150,[52,59,63,68,73,80,85,90,95,100,105,109,115,121,126,132,136,140],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)CEO","Kollektör-Emetör Kırılma Gerilimi V(BR)CEO","—",40,"V","IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (Darbe Testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%)",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":62},"V(BR)CBO","Kollektör-Beyz Kırılma Gerilimi V(BR)CBO","IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":55,"minValue":66,"unit":57,"testCondition":67},"V(BR)EBO","Emetör-Beyz Kırılma Gerilimi V(BR)EBO",5,"IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":55,"maxValue":30,"unit":71,"testCondition":72},"IC_max","Sürekli Kollektör Akımı","mA","Sürekli sınır değer (eşzamanlı PD ve TJ sınırları geçerlidir)",{"symbol":74,"name":75,"typicalValue":55,"minValue":76,"maxValue":77,"unit":78,"testCondition":79},"hFE_10mA","DC Akım Kazancı hFE (10mA)",100,300,"ratio","IC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%)",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":55,"minValue":83,"unit":78,"testCondition":84},"hFE_1mA","DC Akım Kazancı hFE (1mA)",80,"IC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%)",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":55,"minValue":88,"unit":78,"testCondition":89},"hFE_50mA","DC Akım Kazancı hFE (50mA)",60,"IC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (Darbe Testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%)",{"symbol":91,"name":92,"typicalValue":55,"maxValue":93,"unit":57,"testCondition":94},"VCE_sat_10mA","Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi |VCE(sat)| (10mA)",0.25,"IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%)",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"maxValue":98,"unit":57,"testCondition":99},"VCE_sat_50mA","Kollektör-Emetör Doyum Gerilimi |VCE(sat)| (50mA)",0.4,"IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (Darbe Testi: tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"minValue":103,"maxValue":104,"unit":57,"testCondition":94},"VBE_sat_10mA","Beyz-Emetör Doyum Gerilimi |VBE(sat)| (10mA)",0.65,0.85,{"symbol":106,"name":107,"typicalValue":55,"maxValue":108,"unit":57,"testCondition":99},"VBE_sat_50mA","Beyz-Emetör Doyum Gerilimi |VBE(sat)| (50mA)",0.95,{"symbol":110,"name":111,"typicalValue":55,"minValue":112,"unit":113,"testCondition":114},"fT","Akım Kazancı Bant Genişliği Çarpımı",250,"MHz","IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":116,"name":117,"typicalValue":55,"maxValue":118,"unit":119,"testCondition":120},"Cobo","Kollektör Çıkış Kapasitansı",4.5,"pF","VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":122,"name":123,"typicalValue":55,"maxValue":124,"unit":119,"testCondition":125},"Cibo","Emetör Giriş Kapasitansı",10,"VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":127,"name":128,"typicalValue":55,"maxValue":129,"unit":130,"testCondition":131},"NF","Gürültü Faktörü",4,"dB","IC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":135},"VCEO","Mutlak Maksimum Kollektör–Emitör Gerilimi (Büyüklük)","Maksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen ölçüm koşullarındaki V(BR)CEO minimumundan farklı bir zorlanma büyüklüğüdür.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":66,"unit":57,"testCondition":139},"VEBO","Mutlak Maksimum Ters Emitör–Beyz Gerilimi (Büyüklük)","Maksimum Sınırlar, s. 1; belirtilen ölçüm koşullarındaki V(BR)EBO minimumundan farklı ters emitör–beyz zorlanma büyüklüğüdür.",{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":143,"testCondition":144},"TJ","Jonksiyon Sıcaklığı Aralığı","°C","Çalışma jonksiyon sıcaklığı, Maksimum Sınırlar, s. 1; ortam çalışma sıcaklığı aralığı değildir.",[146,151,155],{"title":147,"severity":148,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Ters Emitör–Beyz Zorlanması (Mutlak VEBO Sınırı = 5.0V)","critical","Beyz–emitör jonksiyonunun mutlak maksimum ters gerilim sınırı VEBO = 5.0V’dir. Ayrı olarak ölçülen V(BR)EBO kırılma gerilimi IE = 10 µA, IC = 0 ve TA = 25°C koşulunda en az 5.0V’dir; bu kırılma testi önerilen çalışma koşulu değildir. Çapraz bağlı kararsız multivibratörlerde veya kapasitif anahtarlama devrelerinde geçişler jonksiyonu ters polarabilir (beyzi emitöre göre pozitif yaparak, VBE = VB - VE > 0). Ters zorlanma sınırının aşılması aygıta zarar verebilir veya güvenilirliğini etkileyebilir.","Devre çalışması sırasında gerçek tepe ters VBE gerilimini değerlendirin. Ters gerilim darbeleri 5.0V sınırına yaklaşıyor veya aşıyorsa, beyz-emetör jonksiyonuna ters paralel bir kenetleme diyotu (PNP için anodu beyze, katodu emetöre bağlı 1N4148 gibi) veya beyz hattına seri bir bloklama diyotu ekleyin; kenetleme çözümünün zamanlamayı, başlama koşullarını veya ileri sürmeyi bozmadığını doğrulayın.",{"title":152,"severity":148,"description":153,"mitigationStrategy":154},"TO-92 Bacak Dizilimi Doğrulaması (E-B-C Bacak Yapısı)","Bacaklar aşağı bakacak şekilde TO-92 kılıfının düz yüzeyine bakıldığında onsemi 2N3906 bacak dizilimi 1. Bacak = Emitör, 2. Bacak = Beyz, 3. Bacak = Kollektör (E-B-C, Case 29-11, Style 1) şeklindedir. Diğer küçük sinyal TO-92 transistörler farklı dizilimler kullanabilir (C-B-E veya E-C-B gibi). Bacakların karıştırılması devrenin hatalı çalışmasına neden olabilir; polarma koşullarına bağlı olarak farklı kazanç ve gerilim sınırlarıyla ters aktif çalışma oluşabilir.","Lehimleme veya devre tahtası kurumu öncesinde bacak dizilimini daima üretici veri sayfasından (onsemi 2N3906\u002FD Style 1) ve PCB baskısından doğrulayın. Farklı parça numaraları veya üreticiler arasındaki TO-92 transistörlerin birbirinin yerine doğrudan geçebilen bacak dizilimine sahip olduğunu asla varsaymayın.",{"title":156,"severity":157,"description":158,"mitigationStrategy":159},"PNP Beyz Sürme ve Yüksek Taraf Seviye Kaydırma Gereksinimleri","warning","PNP transistörün ileri aktif ve doyum bölgelerinde çalışması için beyz potansiyeli emitörün altında olmalıdır (VBE = VB - VE \u003C 0). onsemi veri sayfası kollektör–emitör doyum gerilimi büyüklüklerini (|VCE(sat)| \u003C= 0.25V, IC = 10mA, IB = 1.0mA’da; ve \u003C= 0.4V, IC = 50mA, IB = 5.0mA’da) zorlanmış beta IC \u002F IB = 10 ile darbe test koşullarında belirtir (tp \u003C= 300 µs, görev döngüsü \u003C= 2.0%, TA = 25°C). Aktif bölge hFE değeri tek başına bu doyum sınırlarını garanti etmez. Yetersiz beyz sürüşü daha yüksek kollektör–emitör gerilimi ve güç kaybı bırakabilir; gerçek çalışma bölgesi yüke ve sürüşe bağlıdır. Ayrıca kontrol mantığından yüksek bir pozitif hattan yüksek taraf anahtarlamasında beyzin doğrudan mantık çıkışına bağlanması, sürücünün üst koruma yapısını daha düşük mantık beslemesine doğru ileri polarabilir.","Beyz sürüşünü yük akımına, anahtarlama hızına ve gereken doyum gerilimine göre, veri sayfasındaki ilgili koşullu sınırları kullanarak boyutlandırın; tipik eğriler evrensel garantili sınırlar oluşturmaz. Sürücünün kendi gerilim ve akım sınırları içinde açılışta gereken beyz akımını çekebildiğini ve kapanışta depolanan beyz yükünü uzaklaştırabildiğini doğrulayın. Mantık seviyesinden yüksek bir pozitif hattı anahtarlarken (örneğin 3.3V veya 5V mantık ile 12V besleme), sürücünün kapalı durum gerilim sınırlarını kontrol edin ve tam kesim için uygun değerlerde bir seviye kaydırıcı kullanın (pozitif hatta bağlı beyz–emitör yukarı çekme dirençli NPN veya açık savak katı gibi).",[161],{"title":162,"url":17,"type":163,"authority":164,"publisher":22,"documentNumber":165,"revision":166,"releaseDate":167,"language":168},"2N3906 General Purpose Transistors PNP Silicon","datasheet","primary","2N3906\u002FD","Rev. 4","2010-02","EN",[],[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3906","2N3906 PNP BJT: Bacak Dizilimi, Özellikler ve Veri Sayfası | CircuitBase","onsemi 2N3906 PNP transistör teknik özellikleri, TO-92 bacak dizilimi (E-B-C), 40V VCEO ve 200mA IC mutlak sınırları, hFE kazancı ve doyum parametreleri.",[177,178,179,180],"2n3906 bacak dizilimi","2n3906 transistör veri sayfası","2n3906 pnp özellikleri","2n3906 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[22],"TO-92 kılıfında E-B-C bacak dizilimine ve 40V VCEO ile 200mA IC mutlak maksimum sınırlarına sahip genel amaçlı küçük sinyal NPN silikon bipolar jonksiyon transistörü.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Central Semiconductor 2N2222A NPN anahtarlama transistörü, TO-18; mutlak sınırlar: VCEO 40 V ve TA = 25°C koşulunda sürekli IC 800 mA.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"onsemi 2N7000 N-kanallı MOSFET, TO-92 (CASE 135AN), S-G-D bacak dizilimi; mutlak sınırlar: VDSS 60 V ve TC = 25°C koşulunda sürekli ID 200 mA.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: SOT-23 (CASE 318-08) kılıfta lojik seviye N-kanal MOSFET, G-S-D pin dizilimi; 50 V mutlak VDSS sınırı ve TA = 25°C ortamda 220 mA sürekli ID akım limiti.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420788]