[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:irlz44n:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":179,"related":180,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":139,"datasheetUrl":17,"documentationSources":154,"applicationCircuits":162,"equivalents":167,"mountedOnBoards":168,"seo":169},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.infineon.com\u002Fassets\u002Frow\u002Fpublic\u002Fdocuments\u002F24\u002F49\u002Finfineon-irlz44npbf-datasheet-en.pdf","irlz44n","IRLZ44NPbF","power_mosfet",[22],"Infineon Technologies","active","MOSFET de potência de canal N e nível lógico Infineon IRLZ44NPbF em TO-220AB, com pinagem G-D-S e aba ligada ao dreno; a resistência em condução é especificada em condições distintas de acionamento da porta de 4 V, 5 V e 10 V.","O Infineon IRLZ44NPbF é um MOSFET de potência HEXFET de canal N e nível lógico documentado na folha de dados rev. 2.1, 2026-08-12. Seu encapsulamento de montagem passante TO-220AB (PG-TO220-3-U05) tem porta, dreno e fonte nos pinos 1, 2 e 3, com a aba de montagem ligada ao dreno. A tensão de ruptura dreno–fonte V(BR)DSS é especificada como pelo menos 55 V a VGS = 0 V, ID = 250 µA e TJ = 25°C. Os limites absolutos de corrente contínua de dreno são 47 A a TC = 25°C e 33 A a TC = 100°C, ambos a VGS = 10 V; o limite absoluto de dissipação de 110 W também exige TC = 25°C. Esses limites de estresse à temperatura do encapsulamento não garantem temperatura ambiente, corrente de placa ou cargas acionadas por GPIO. A faixa absoluta TJ = −55 a +175°C se refere à junção, não ao ambiente; as resistências térmicas listadas de 1.4°C\u002FW junção–encapsulamento e 62°C\u002FW junção–ambiente são máximas. O limiar de porta VGS(th) = 1.0–2.0 V é ensaiado a ID = 250 µA e VDS = VGS (TJ = 25°C); não estabelece condução de corrente de carga útil nem um limiar de entrada digital. Separadamente, RDS(on) máximo é 22 mΩ a VGS = 10 V e ID = 25 A, 25 mΩ a VGS = 5 V e ID = 25 A, e 35 mΩ a VGS = 4 V e ID = 21 A, todos a TJ = 25°C com largura de pulso ≤300 µs e ciclo de operação ≤2%. Use as tabelas com suas condições e o projeto térmico e de acionamento real ao avaliar uma aplicação de chaveamento.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"pitchMm":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-220AB",3,2.54,62,1.4,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"G","passive",false,"none","Terminal de porta; as tensões são referidas à fonte. VGS(th) = 1.0–2.0 V a ID = 250 µA, VDS = VGS e TJ = 25°C é um ensaio de limiar, não uma garantia de acionamento de carga útil nem um limiar lógico digital. Limite absoluto VGS: ±16 V.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"D","Terminal de dreno (conectado internamente à aba metálica do invólucro TO-220)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"S","Terminal de fonte e referência de VGS; ligado ao terra apenas em uma topologia apropriada de chaveamento de lado baixo, não é inerentemente um pino de terra.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,175,[52,59,65,70,75,81,86,91,95,100,106,110,114,120,124,128,134],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)DSS","Tensão de ruptura dreno-fonte","—",55,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":63,"testCondition":64},"ID_25C","Corrente contínua de dreno a 25°C",47,"A","Corrente contínua de dreno máxima absoluta, VGS = 10 V, TC = 25°C (p. 1); temperatura do encapsulamento, não ambiente nem capacidade de corrente da placa.",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":55,"maxValue":68,"unit":63,"testCondition":69},"ID_100C","Corrente contínua de dreno a 100°C",33,"Corrente contínua de dreno máxima absoluta, VGS = 10 V, TC = 100°C (p. 1); temperatura do encapsulamento, não ambiente nem capacidade de corrente da placa.",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":55,"maxValue":73,"unit":63,"testCondition":74},"IDM","Corrente pulsada de dreno",160,"Corrente pulsada repetitiva de dreno máxima absoluta; largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção (nota 1, p. 2; veja Figura 11). Não permite essa corrente continuamente.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":78,"unit":79,"testCondition":80},"RDS_ON_10V","Resistência no estado ligado RDS(on) a 10V",0.022,"Ω","VGS = 10 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2%)",{"symbol":82,"name":83,"typicalValue":55,"maxValue":84,"unit":79,"testCondition":85},"RDS_ON_5V","Resistência no estado ligado RDS(on) a 5V",0.025,"VGS = 5.0 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2%)",{"symbol":87,"name":88,"typicalValue":55,"maxValue":89,"unit":79,"testCondition":90},"RDS_ON_4V","Resistência no estado ligado RDS(on) a 4V",0.035,"VGS = 4.0 V, ID = 21 A, TJ = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":55,"minValue":35,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":94},"VGS_TH","Tensão de limiar de porta","VDS = VGS, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"minValue":98,"unit":46,"testCondition":99},"gfs","Transcondutância direta",21,"VDS = 25 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"maxValue":103,"unit":104,"testCondition":105},"Qg","Carga total de porta",48,"nC","ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; largura de pulso ≤300 µs, ciclo de operação ≤2% (nota 4, p. 2; Figuras 6 e 13).",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":55,"maxValue":109,"unit":104,"testCondition":105},"Qgs","Carga porta-fonte",8.6,{"symbol":111,"name":112,"typicalValue":55,"maxValue":113,"unit":104,"testCondition":105},"Qgd","Carga porta-dreno (Miller)",25,{"symbol":115,"name":116,"typicalValue":117,"unit":118,"testCondition":119},"Ciss","Capacitância de entrada",1700,"pF","VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":123,"unit":118,"testCondition":119},"Coss","Capacitância de saída",400,{"symbol":125,"name":126,"typicalValue":127,"unit":118,"testCondition":119},"Crss","Capacitância de transferência reversa",150,{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":131,"unit":132,"testCondition":133},"PD","Dissipação de potência máxima absoluta",110,"W","TC = 25°C, limite máximo absoluto (p. 1); temperatura do encapsulamento, não ambiente. Fator de redução linear: 0.71 W\u002F°C.",{"symbol":135,"name":136,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":137,"testCondition":138},"TJ","Faixa de temperatura da junção","°C","Temperatura da junção em operação, limites máximos absolutos (p. 1); não é uma faixa de temperatura ambiente de operação.",[140,145,149],{"title":141,"severity":142,"description":143,"mitigationStrategy":144},"Limite absoluto de tensão porta–fonte: ±16 V","critical","O limite absoluto de tensão porta–fonte do IRLZ44NPbF é VGS = ±16 V (p. 1). É um limite de estresse, não um limiar físico de ruptura da porta garantido. Transientes de chaveamento, acoplamento pela capacitância porta–dreno e oscilações podem alterar VGS em relação ao nó de fonte; avalie excursões positivas e negativas no circuito real. Exceder o limite absoluto pode danificar o dispositivo.","Avalie a tensão de acionamento e a proteção contra transientes em relação à fonte, incluindo ambas as polaridades e a tolerância do grampeador, para manter VGS real dentro do limite absoluto. Se um grampeador porta–fonte for utilizado, verifique sua tensão, capacidade de pulso e efeito sobre o acionamento normal; coloque a proteção e o caminho de retorno da porta próximos ao dispositivo. Não presuma que um barramento de alimentação ruidoso seja uma saída adequada de driver de porta.",{"title":146,"severity":142,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Carga de porta e perdas dinâmicas sob acionamento direto por microcontrolador","Os máximos RDS(on) são 22 mΩ a VGS = 10 V \u002F ID = 25 A, 25 mΩ a VGS = 5 V \u002F ID = 25 A e 35 mΩ a VGS = 4 V \u002F ID = 21 A, todos a TJ = 25°C com largura de pulso ≤300 µs e ciclo de operação ≤2% (p. 2, nota 4). São ensaios condicionados, não uma promessa de condução plena para qualquer carga ou estado térmico. A folha de dados não especifica um limite RDS(on) com acionamento da porta de 3.3 V. A carga total de porta Qg é no máximo 48 nC a ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V e TJ = 25°C, com as mesmas condições pulsadas da nota 4. Ciss = 1700 pF é um valor típico a VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz e TJ = 25°C, não uma capacitância de entrada fixa nem máxima. A capacidade real do driver de fornecer e drenar corrente e sua impedância de saída afetam os tempos de transição da porta e as perdas; esta folha de dados do MOSFET não estabelece uma capacidade universal de corrente GPIO.","Avalie a tensão real de saída do driver em relação à fonte, sua capacidade de carga e descarga, a frequência de chaveamento e as condições térmicas frente aos ensaios aplicáveis de resistência e carga. Atingir 4 V ou 5 V por si só não garante uma corrente de carga específica nem perdas aceitáveis. Quando necessário, avalie um driver de porta ou buffer capaz de fornecer e drenar os picos de corrente requeridos e verifique os tempos de transição e a dissipação de chaveamento no circuito resultante.",{"title":150,"severity":151,"description":152,"mitigationStrategy":153},"Aba metálica conectada eletricamente ao dreno","warning","No invólucro TO-220AB, a aba metálica é conectada internamente ao pino 2 (dreno). Em topologia de chave de lado baixo, o dreno comuta entre o terra e a tensão de alimentação da carga. Parafusar a aba diretamente em um chassi aterrado sem isolamento elétrico contorna o MOSFET, ligando a carga permanentemente ao terra e provocando sua ativação indesejada.","Ao fixar o transistor a um dissipador comum ou chassi aterrado, utilize sempre uma interface termicamente condutora e eletricamente isolante juntamente com uma arruela isolante com ressalto (bucha isolante) para isolar o parafuso em relação à aba.",[155],{"title":156,"url":17,"type":157,"authority":158,"publisher":22,"revision":159,"releaseDate":160,"language":161},"IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet","datasheet","primary","Rev. 2.1","2026-08-12","EN",[163],{"title":164,"schematicSlug":165,"topology":166},"Chave DC de lado baixo com MOSFET de nível lógico IRLZ44N","irlz44n-logic-level-low-side-switch","Chave de potência de canal N de nível lógico no lado baixo com resistor de amortecimento de gate de 100 Ω, resistor pull-down de 10 kΩ, diodo flyback para grampeamento indutivo e barramento desacoplado de 12V\u002F24V para controle direto por microcontrolador.",[],[],{"canonicalUrl":170,"metaTitle":171,"metaDescription":172,"primarySearchCluster":173,"structuredDataSchema":178},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Firlz44n","IRLZ44N MOSFET de Potência de Nível Lógico: Pinagem e Specs | CircuitBase","Folha de dados Infineon IRLZ44NPbF e pinagem G-D-S TO-220AB: resistência em condução condicionada, carga de porta, limite de estresse porta–fonte ±16 V e limites térmicos de encapsulamento\u002Fjunção.",[174,175,176,177],"irlz44n pinagem","irlz44n folha de dados","irlz44n mosfet nivel logico","irlz44n to-220","Product",null,[181,191,200,211],{"id":182,"slug":182,"mpn":183,"primaryCategory":20,"manufacturers":184,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[185],"onsemi","MOSFET de canal N onsemi 2N7000 em TO-92 (CASE 135AN), pinagem S-G-D; limites absolutos: VDSS de 60 V e ID contínua de 200 mA a TC = 25°C.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"TO-92",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":195,"packages":196,"packageTypes":199,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[185],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nível lógico em SOT-23 (CASE 318-08), pinagem G-S-D; limite absoluto VDSS de 50 V e corrente contínua ID de 220 mA em TA = 25°C.",[197],{"packageType":198,"pinCount":29},"SOT-23",[198],{"id":201,"slug":201,"mpn":202,"primaryCategory":203,"manufacturers":204,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":210,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[205],"Vishay","Retificador Vishay 1N4007 DO-41 com VRRM máximo de 1000 V e IF(AV) de 1 A a TA = 75°C, terminais de 9.5 mm e carga resistiva ou indutiva de 60 Hz.",[208],{"packageType":209,"pinCount":42},"DO-41",[209],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":203,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[205],"Diodo de chaveamento axial Vishay 1N4148 em DO-35. Faixa preta do cátodo, limite de tensão reversa contínua de 75 V e recuperação reversa máxima de 4 ns nas condições de ensaio especificadas.",[217],{"packageType":218,"pinCount":42},"DO-35",[218],{},1793836422448]