[{"data":1,"prerenderedAt":236},["ShallowReactive",2],{"component:bss138:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":197,"related":198,"equivalentSlugs":235},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":46,"parametricAttributes":49,"gotchas":152,"datasheetUrl":17,"documentationSources":171,"applicationCircuits":180,"equivalents":185,"mountedOnBoards":186,"seo":187},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-11-03",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Gemini (independent documentary review against onsemi BSS138\u002FD Rev. 7; verified pinout, SOT-23 package, absolute maximums, electrical parametric limits, gotchas, six-locale localization sidecars, and catalog release validation; owner publication GO, no physical bench signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fdownload\u002Fdata-sheet\u002Fpdf\u002Fbss138-d.pdf","bss138","BSS138","power_mosfet",[22],"onsemi","active","onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nível lógico em SOT-23 (CASE 318-08), pinagem G-S-D; limite absoluto VDSS de 50 V e corrente contínua ID de 220 mA em TA = 25°C.","O BSS138 é um transistor de efeito de campo de nível lógico de enriquecimento de canal N para pequenos sinais padrão da indústria produzido pela onsemi (datasheet BSS138\u002FD, Rev. 7, abril de 2024). Acondicionado no encapsulamento de montagem em superfície SOT-23 (TO-236AB \u002F CASE 318-08), o dispositivo apresenta pinagem G-S-D: pino 1 gate (G), pino 2 source (S) e pino 3 drain (D). As classificações máximas absolutas a TA = 25°C especificam tensão de ruptura dreno-fonte VDSS de 50V, tensão contínua dreno-gate VDGR de 50V (RGS \u003C= 1 MΩ), tensão contínua gate-source VGSS de ±20V (pico não repetitivo ±40V para tp \u003C 50 µs), corrente contínua de dreno ID de 220mA, corrente pulsada IDM de 880mA e dissipação total de potência PD de 360mW (redução de 2.8 mW\u002F°C acima de 25°C; resistência térmica junção-ambiente RthetaJA = 350°C\u002FW em área mínima de cobre). As características elétricas garantem tensão mínima de ruptura dreno-fonte BVDSS = 50V em VGS = 0V, ID = 250 µA. A tensão de limiar de gate VGS(th) varia de 0.8V mín., 1.3V típ. a 1.5V máx. com VDS = VGS, ID = 1.0 mA, representando o início da condução do canal. A resistência estática em condução RDS(on) é garantida em 1.4 Ω típ., 3.5 Ω máx. com VGS = 10V, ID = 0.22 A, e 1.9 Ω típ., 6.0 Ω máx. com VGS = 4.5V, ID = 0.22 A. Os tempos de comutação são rápidos: retardo de ativação td(on) = 2.5 ns típ. (20 ns máx.), tempo de subida tr = 9 ns típ. (20 ns máx.), retardo de desligamento td(off) = 20 ns típ. (50 ns máx.) e tempo de descida tf = 7 ns típ. (20 ns máx.) sob VDD = 30V, ID = 0.22 A, VGS = 10V e RGEN = 50 Ω. A capacitância de entrada Ciss é de 27 pF típ. (50 pF máx.) a VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0 MHz. O diodo de corpo integrado possui corrente contínua direta máxima IS de 0.22 A e tensão direta VSD de 0.8V típ., 1.4V máx. em VGS = 0V, IS = 0.22 A.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"SOT-23",3,350,[32,39,43],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"G","passive",false,"none","Terminal de gate (Gate, pino 1, terminal inferior esquerdo do SOT-23 \u002F CASE 318-08; entrada de alta impedância, limite absoluto VGSS de ±20V contínuo, ±40V pico para tp \u003C 50 µs)",{"pinNumber":40,"pinName":41,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":42},2,"S","Terminal de source (Source, pino 2, terminal inferior direito do SOT-23 \u002F CASE 318-08; referência comum para os potenciais de gate e dreno)",{"pinNumber":29,"pinName":44,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":45},"D","Terminal de drain (Drain, pino 3, terminal superior central do SOT-23 \u002F CASE 318-08; limite absoluto VDSS de 50V, corrente contínua ID de 220 mA em TA = 25°C)",{"storageTempMinC":47,"storageTempMaxC":48},-55,150,[50,57,64,70,76,83,89,95,101,106,111,118,122,125,129,133,138,142,148],{"symbol":51,"name":52,"typicalValue":53,"minValue":54,"unit":55,"testCondition":56},"BVDSS","Tensão de ruptura dreno-fonte","—",50,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":58,"name":59,"typicalValue":60,"minValue":61,"maxValue":62,"unit":55,"testCondition":63},"VGS_th","Tensão de limiar gate-source",1.3,0.8,1.5,"VDS = VGS, ID = 1.0 mA, TJ = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":53,"maxValue":67,"unit":68,"testCondition":69},"IDSS","Corrente de dreno com tensão de gate zero",0.5,"µA","VDS = 50 V, VGS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":53,"maxValue":73,"unit":74,"testCondition":75},"IGSS","Corrente de fuga gate-corpo",100,"nA","VGS = ±20 V, VDS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":79,"maxValue":80,"unit":81,"testCondition":82},"RDS_on_10V","Resistência dreno-fonte em condução a 10V",1.4,3.5,"Ω","VGS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":84,"name":85,"typicalValue":86,"maxValue":87,"unit":81,"testCondition":88},"RDS_on_4_5V","Resistência dreno-fonte em condução a 4.5V",1.9,6,"VGS = 4.5 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":30,"minValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"gFS","Transcondutância direta",170,"mS","VDS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":98,"maxValue":54,"unit":99,"testCondition":100},"Ciss","Capacitância de entrada",27,"pF","VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":104,"maxValue":105,"unit":99,"testCondition":100},"Coss","Capacitância de saída",11,25,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":109,"maxValue":110,"unit":99,"testCondition":100},"Crss","Capacitância de transferência reversa",4,8,{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":114,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"td_on","Tempo de retardo de ativação",2.5,20,"ns","Condições de ensaio: VDD = 30 V, ID = 0.22 A, VGS = 10 V, RGEN = 50 Ω, TJ = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":121,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tr","Tempo de subida",9,{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":115,"maxValue":54,"unit":116,"testCondition":117},"td_off","Tempo de retardo de desligamento",{"symbol":126,"name":127,"typicalValue":128,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tf","Tempo de descida",7,{"symbol":130,"name":131,"typicalValue":53,"maxValue":54,"unit":55,"testCondition":132},"VDSS","Tensão dreno-fonte máxima absoluta","TA = 25°C",{"symbol":134,"name":135,"typicalValue":53,"maxValue":136,"unit":137,"testCondition":132},"ID_cont","Corrente de dreno contínua máxima absoluta",220,"mA",{"symbol":139,"name":140,"typicalValue":53,"maxValue":141,"unit":137,"testCondition":132},"IDM","Corrente de dreno pulsada máxima absoluta",880,{"symbol":143,"name":144,"typicalValue":53,"maxValue":145,"unit":146,"testCondition":147},"PD","Dissipação total de potência máxima absoluta",360,"mW","TA = 25°C; redução de 2.8 mW\u002F°C acima de 25°C",{"symbol":149,"name":150,"typicalValue":61,"maxValue":79,"unit":55,"testCondition":151},"VSD","Tensão direta do diodo de corpo","VGS = 0 V, IS = 0.22 A, TJ = 25°C",[153,158,162,167],{"title":154,"severity":155,"description":156,"mitigationStrategy":157},"Orientação de source e drain em conversores de nível bidirecionais I2C","critical","Nos circuitos conversores de nível lógico bidirecionais I2C tradicionais (NXP AN10441), o terminal de source do MOSFET deve ser conectado à linha de menor tensão de alimentação (ex.: 3.3V) com seu gate conectado a essa mesma tensão de 3.3V, enquanto o dreno fica voltado para o barramento de maior tensão (ex.: 5V). Como o transistor possui um diodo de corpo intrínseco orientado do source para o drain, inverter source e drain coloca o anodo no barramento de 5V e o catodo no de 3.3V. Isso polariza diretamente o diodo sempre que o lado de 3.3V estiver com tensão inferior, causando fuga descontrolada de corrente de 5V para 3.3V e travando o barramento em nível baixo.","Posicione o BSS138 estritamente com o Source (pino 2) no lado de menor tensão (VCC_low) e o Drain (pino 3) no lado de maior tensão (VCC_high). O Gate (pino 1) é ligado diretamente a VCC_low. Utilize resistores de pull-up externos em ambos os lados para estabelecer o nível alto em repouso.",{"title":159,"severity":155,"description":160,"mitigationStrategy":161},"Resistência em condução para pequenos sinais (RDS(on) até 6.0 Ω) impede comutação de potência","O BSS138 é projetado para comutação de sinais lógicos e translação de níveis em alta velocidade, não para acionamento de cargas de potência. O datasheet BSS138\u002FD estabelece resistência de condução de até 3.5 Ω a VGS = 10V e até 6.0 Ω a VGS = 4.5V (com ID = 0.22 A). Uma corrente de 150 mA em um canal de 6.0 Ω provoca queda de 0.9V no transistor e gera 135 mW de potência dissipada. Em um invólucro miniatura SOT-23 com resistência térmica RthetaJA = 350°C\u002FW sobre pad mínimo, isso eleva a temperatura de junção em mais de 47°C sobre o ambiente.","Restrinja o BSS138 a sinais digitais de baixa corrente, linhas de comunicação e circuitos de pull-up (ID \u003C 50 mA). Para comutação de potência, controle de motores ou relés com corrente acima de 100 mA, escolha um MOSFET de baixo RDS(on) como IRLZ44N, 2N7000 ou um TrenchFET de potência moderno.",{"title":163,"severity":164,"description":165,"mitigationStrategy":166},"Acionamento com lógica inferior a 3.3V e ausência de garantia de baixa resistência","warning","Embora a tensão de limiar de gate VGS(th) esteja entre 0.8V e 1.5V (em ID = 1.0 mA), esse limiar marca apenas o início da condução do canal. O datasheet do BSS138 da onsemi fornece especificações de RDS(on) apenas para VGS = 10V (\u003C= 3.5 Ω) e VGS = 4.5V (\u003C= 6.0 Ω); a fabricante não garante resistência com acionamento em 1.8V, 2.5V ou 3.3V. Ao converter sinais entre domínios de 1.8V e 3.3V, a margem de overdrive de gate (VGS - VGS(th)) nos piores transistores pode ser de apenas 0.3V, resultando em maior resistência e lentidão nos tempos de subida em barramentos I2C capacitivos.","Para domínios lógicos de 1.8V ou 2.5V, calcule a constante de tempo RC considerando uma resistência efetiva de canal maior (~15–30 Ω). Se os tempos de subida violarem o padrão I2C Fast-mode (400 kHz), reduza o valor dos resistores de pull-up ou use circuitos integrados tradutores dedicados (como PCA9306 ou TXS0102).",{"title":168,"severity":164,"description":169,"mitigationStrategy":170},"Condução parasitária do diodo de corpo durante oscilações negativas ou na sequência de alimentação","O diodo de corpo integrado entre o source (anodo) e o drain (catodo) possui tensão de condução direta de 0.8V típ., 1.4V máx. Se as linhas de barramento apresentarem picos indutivos abaixo do potencial de terra ou se a alimentação de maior tensão for desligada com a inferior ativa, haverá corrente parasitária pelo diodo. Ao desenergizar a fonte de 5V para o terra, colocar a linha de 3.3V em nível alto poderá realimentar a barra de 5V através do resistor de pull-up e do canal condutor.","Verifique o sequenciamento de inicialização em sistemas com múltiplas tensões. Garanta a descarga segura dos capacitores de desacoplamento e evite acionar sinais em pinos de circuitos integrados desligados. Ao conduzir cargas indutivas ou cabos longos, adicione diodos Schottky de proteção para absorver oscilações negativas.",[172],{"title":173,"url":17,"type":174,"authority":175,"publisher":22,"documentNumber":176,"revision":177,"releaseDate":178,"language":179},"BSS138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor","datasheet","primary","BSS138\u002FD","Rev. 7","2024-04","EN",[181],{"title":182,"schematicSlug":183,"topology":184},"Conversor de nível lógico bidirecional I2C de 3.3V para 5V com BSS138","bss138-bidirectional-i2c-level-shifter","Tradutor de nível de tensão bidirecional com MOSFET de canal N com porta fixada em 3.3V, fonte no barramento de 3.3V e resistores pull-up discretos.",[],[],{"canonicalUrl":188,"metaTitle":189,"metaDescription":190,"primarySearchCluster":191,"structuredDataSchema":196},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Fbss138","BSS138 Transistor MOSFET N-CH: Pinagem | CircuitBase","Pinagem do onsemi BSS138 SOT-23 MOSFET N-CH (G-S-D), limites 50V VDSS e 220mA ID, regras de conversor de nível I2C bidirecional e resistência RDS(on) no datasheet.",[192,193,194,195],"bss138 pinagem","bss138 folha de dados","bss138 sot-23","bss138 conversor nivel logico","Product",null,[199,208,218,227],{"id":200,"slug":200,"mpn":201,"primaryCategory":20,"manufacturers":202,"shortDescription":203,"packages":204,"packageTypes":207,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[22],"MOSFET de canal N onsemi 2N7000 em TO-92 (CASE 135AN), pinagem S-G-D; limites absolutos: VDSS de 60 V e ID contínua de 200 mA a TC = 25°C.",[205],{"packageType":206,"pinCount":29},"TO-92",[206],{"id":209,"slug":209,"mpn":210,"primaryCategory":20,"manufacturers":211,"shortDescription":213,"packages":214,"packageTypes":217,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[212],"Infineon Technologies","MOSFET de potência de canal N e nível lógico Infineon IRLZ44NPbF em TO-220AB, com pinagem G-D-S e aba ligada ao dreno; a resistência em condução é especificada em condições distintas de acionamento da porta de 4 V, 5 V e 10 V.",[215],{"packageType":216,"pinCount":29},"TO-220AB",[216],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":221,"manufacturers":222,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":226,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"Transistor de junção bipolar NPN de silício de pequenos sinais para uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e limites máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[225],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{"id":228,"slug":228,"mpn":229,"primaryCategory":221,"manufacturers":230,"shortDescription":231,"packages":232,"packageTypes":234,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[233],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{},1793836421983]