[{"data":1,"prerenderedAt":219},["ShallowReactive",2],{"component:2n7000:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":180,"related":181,"equivalentSlugs":218},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":46,"parametricAttributes":49,"gotchas":143,"datasheetUrl":17,"documentationSources":158,"applicationCircuits":167,"equivalents":168,"mountedOnBoards":169,"seo":170},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-14",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent documentary review against exact manufacturer PDFs and current product rows; source-relative package verification and LLM localization review; owner publication GO, no bench or native-human signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fdownload\u002Fdata-sheet\u002Fpdf\u002Fnds7002a-d.pdf","2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"onsemi","active","MOSFET de canal N onsemi 2N7000 em TO-92 (CASE 135AN), pinagem S-G-D; limites absolutos: VDSS de 60 V e ID contínua de 200 mA a TC = 25°C.","O 2N7000 é um transistor de efeito de campo de canal N de enriquecimento (MOSFET) para pequenos sinais padrão da indústria fabricado pela onsemi (folha de dados NDS7002A\u002FD, Rev. 11, março de 2025). Fabricado com tecnologia proprietária DMOS de alta densidade de células, o 2N7000 em embalagem bulk é apresentado em encapsulamento through-hole TO-92 (CASE 135AN) com pinagem S-G-D (pino 1 fonte\u002FSource, pino 2 porta\u002FGate, pino 3 dreno\u002FDrain). Os valores máximos absolutos a TC = 25°C especificam tensão dreno-fonte de 60 V, tensão contínua dreno-porta de 60 V (RGS \u003C= 1 MΩ), tensão contínua porta-fonte de ±20 V (pico não repetitivo de ±40 V para tp \u003C 50 ms), corrente contínua de dreno de 200 mA, corrente pulsada de dreno de 500 mA e dissipação total de 400 mW (redução de 3,2 mW\u002F°C acima de 25°C; RthetaJA = 312,5°C\u002FW). As características elétricas garantem tensão de ruptura dreno-fonte mínima BVDSS = 60 V testada com VGS = 0 V, ID = 10 µA. A tensão de limiar porta-fonte VGS(th) varia de 0,8 V mín., 2,1 V típ. a 3,0 V máx. em VDS = VGS, ID = 1,0 mA, representando apenas o início da condução do canal e não uma condução plena de baixa resistência ôhmica. A resistência estática no estado condutor RDS(on) é especificada em 1,2 Ω típ. e 5,0 Ω máx. com VGS = 10 V, ID = 500 mA, e em 1,8 Ω típ. e 5,3 Ω máx. com VGS = 4,5 V, ID = 75 mA. Os tempos de comutação ton e toff são garantidos em \u003C= 10 ns máx. nas condições de circuito de teste especificadas (VDD = 15 V, RL = 25 Ω, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RGEN = 25 Ω). A capacitância de entrada Ciss é de 20 pF típ. e 50 pF máx. com VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1,0 MHz. A onsemi não publica valores garantidos de tensão direta ou de recuperação reversa do diodo intrínseco para a versão 2N7000.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"TO-92",3,312.5,[32,39,43],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"S","passive",false,"none","Terminal de fonte (Source, pino 1, terminal em linha 1 de CASE 135AN; págs. 1 e 8: pino 1 Source)",{"pinNumber":40,"pinName":41,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":42},2,"G","Terminal de porta (Gate, pino 2, terminal em linha 2 de CASE 135AN; entrada de controle de alta impedância, VGS(th) de 0,8 V mín., 2,1 V típ. a 3,0 V máx. a 1 mA)",{"pinNumber":29,"pinName":44,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":45},"D","Terminal de dreno (Drain, pino 3, terminal em linha 3 de CASE 135AN; págs. 1 e 8: pino 3 Drain)",{"storageTempMinC":47,"storageTempMaxC":48},-55,150,[50,57,63,69,74,80,84,91,97,104,111,116,120,125,128,132,138],{"symbol":51,"name":52,"typicalValue":53,"minValue":54,"unit":55,"testCondition":56},"BVDSS","Tensão de ruptura dreno-fonte","—",60,"V","VGS = 0 V, ID = 10 µA, TC = 25°C",{"symbol":58,"name":59,"typicalValue":60,"minValue":61,"maxValue":29,"unit":55,"testCondition":62},"VGS_th","Tensão de limiar porta-fonte","2.1",0.8,"VDS = VGS, ID = 1.0 mA, TC = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":53,"maxValue":66,"unit":67,"testCondition":68},"IGSS","Módulo da corrente de fuga porta-corpo",10,"nA","VDS = 0 V, VGS = +15 V (IGSSF) ou -15 V (IGSSR), TC = 25°C; módulo dos limites com sinal +10\u002F-10 nA",{"symbol":70,"name":71,"typicalValue":53,"maxValue":33,"unit":72,"testCondition":73},"IDSS","Corrente de dreno com tensão de porta zero","µA","VDS = 48 V, VGS = 0 V, TC = 25°C",{"symbol":75,"name":76,"typicalValue":53,"maxValue":77,"unit":78,"testCondition":79},"ID_cont","Corrente contínua de dreno máxima absoluta",200,"mA","TC = 25°C",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":53,"maxValue":83,"unit":78,"testCondition":79},"IDM","Corrente pulsada de dreno máxima absoluta",500,{"symbol":85,"name":86,"typicalValue":87,"maxValue":88,"unit":89,"testCondition":90},"RDS_on_10V","Resistência no estado condutor dreno-fonte a 10 V","1.2",5,"Ω","VGS = 10 V, ID = 500 mA, TC = 25°C",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":94,"maxValue":95,"unit":89,"testCondition":96},"RDS_on_4_5V","Resistência no estado condutor dreno-fonte a 4,5 V","1.8",5.3,"VGS = 4.5 V, ID = 75 mA, TC = 25°C",{"symbol":98,"name":99,"typicalValue":100,"minValue":101,"unit":102,"testCondition":103},"gfs","Transcondutância direta","320",100,"mS","VDS = 10 V, ID = 200 mA, TC = 25°C",{"symbol":105,"name":106,"typicalValue":107,"maxValue":108,"unit":109,"testCondition":110},"Ciss","Capacitância de entrada","20",50,"pF","VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, TC = 25°C",{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":114,"maxValue":115,"unit":109,"testCondition":110},"Coss","Capacitância de saída","11",25,{"symbol":117,"name":118,"typicalValue":119,"maxValue":88,"unit":109,"testCondition":110},"Crss","Capacitância de transferência reversa","4.0",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":53,"maxValue":66,"unit":123,"testCondition":124},"ton","Tempo de ligação","ns","Condições de ensaio: VDD = 15 V, RL = 25 Ω, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RGEN = 25 Ω, TC = 25°C",{"symbol":126,"name":127,"typicalValue":53,"maxValue":66,"unit":123,"testCondition":124},"toff","Tempo de desligamento",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":53,"maxValue":54,"unit":55,"testCondition":131},"VDSS","Tensão dreno-fonte máxima absoluta","Limite absoluto de esforço; TC = 25°C salvo indicação em contrário",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":53,"maxValue":135,"unit":136,"testCondition":137},"PD","Dissipação total máxima absoluta",400,"mW","TC = 25°C; redução de 3.2 mW\u002F°C acima de 25°C (tabela de máximos absolutos)",{"symbol":139,"name":140,"typicalValue":53,"minValue":47,"maxValue":48,"unit":141,"testCondition":142},"TJ","Faixa absoluta de temperatura de junção","°C","Limites absolutos de temperatura de junção, não uma faixa de operação à temperatura ambiente",[144,149,153],{"title":145,"severity":146,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Dispersão da tensão de limiar de porta (0,8 V–3,0 V) e limitações no acionamento direto com lógica de 3,3 V","critical","O 2N7000 especifica uma ampla dispersão da tensão de limiar porta-fonte de VGS(th) = 0,8 V mín., 2,1 V típ. e 3,0 V máx. avaliada com VDS = VGS, ID = 1,0 mA (TC = 25°C). Este limiar indica unicamente o início da condução do canal (1 mA) e não garante baixa resistência ôhmica. Quando acionado diretamente por um GPIO de microcontrolador de 3,3 V, dispositivos com limiar próximo ao limite superior de 3,0 V operam com tensão de porta acima do limiar mínima (VGS - VGS(th) ~ 0,3 V). A folha de dados NDS7002A\u002FD não especifica limite garantido de RDS(on) a 3,3 V; a resistência no estado condutor é garantida apenas a VGS = 4,5 V (\u003C= 5,3 Ω a 75 mA) e VGS = 10 V (\u003C= 5,0 Ω a 500 mA). Acionar cargas com tensão de porta marginal pode provocar elevada resistência de canal, quedas severas de tensão e dissipação térmica excessiva.","Verifique VGS em relação à fonte considerando a dispersão do limiar. Para lógica de 3,3 V ou menos, escolha um MOSFET com RDS(on) garantida na tensão real de acionamento ou um driver de porta adequado. Verifique a VGS de saída mínima e máxima, incluindo transitórios, frente às condições de ensaio de resistência e ao máximo absoluto contínuo porta-fonte de ±20 V; a alimentação do driver, sozinha, não estabelece um acionamento seguro.",{"title":150,"severity":146,"description":151,"mitigationStrategy":152},"Condições de teste de caracterização versus corrente contínua máxima absoluta de dreno","Em NDS7002A\u002FD, RDS(on) \u003C= 5,0 Ω e os tempos ton, toff \u003C= 10 ns são caracterizados com ID = 500 mA e VGS = 10 V. Esse ponto de ensaio não autoriza operação contínua a 500 mA; as linhas de resistência e comutação do 2N7000 não especificam largura de pulso nem ciclo de trabalho. A corrente contínua máxima absoluta é 200 mA a TC = 25°C, e a pulsada IDM é 500 mA. Operar continuamente a 500 mA excede o máximo absoluto e pode danificar o dispositivo ou afetar sua confiabilidade.","Trate 200 mA a TC = 25°C como um limite absoluto, não como corrente de operação recomendada. Escolha uma corrente menor e verifique dissipação e temperatura de junção no ambiente térmico real; a folha de dados indica RthetaJA = 312,5°C\u002FW e PD = 400 mW a TC = 25°C, com redução de 3,2 mW\u002F°C acima de 25°C.",{"title":154,"severity":155,"description":156,"mitigationStrategy":157},"Ausência de especificações garantidas do diodo intrínseco e precauções com cargas indutivas","warning","A folha de dados NDS7002A\u002FD fornece especificações garantidas de corrente direta contínua (IS), corrente pulsada (ISM) e tensão direta (VSD) unicamente para os modelos SMD (2N7002 e NDS7002A); ela não define limites para o 2N7000 through-hole. Em circuitos de comutação low-side com cargas indutivas (relés, solenoides, bobinas), desligar o MOSFET faz com que o indutor eleve positivamente o potencial do dreno acima da alimentação, polarizando reversamente o diodo parasita interno. O diodo interno é incapaz de grampear esse transiente indutivo positivo, expondo o MOSFET a uma ruptura destrutiva por sobretensão acima dos 60 V de VDSS.","Use um diodo externo de roda livre em paralelo com a carga indutiva (cátodo no positivo da alimentação e ânodo no dreno do MOSFET) ou um supressor de transitórios adequado. Selecione corrente, tensão reversa, energia de pulso e características de recuperação para a carga e comutação reais; um código genérico de diodo não comprova adequação.",[159],{"title":160,"url":17,"type":161,"authority":162,"publisher":22,"documentNumber":163,"revision":164,"releaseDate":165,"language":166},"2N7000, 2N7002, NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor","datasheet","primary","NDS7002A\u002FD","Rev. 11","2025-03","EN",[],[],[],{"canonicalUrl":171,"metaTitle":172,"metaDescription":173,"primarySearchCluster":174,"structuredDataSchema":179},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n7000","2N7000 MOSFET Canal N: Pinagem, Datasheet e Especificações | CircuitBase","Características do onsemi 2N7000: pinagem TO-92 (S-G-D), limites absolutos de VDS de 60 V e ID de 200 mA e limitações do acionamento de porta.",[175,176,177,178],"2n7000 pinagem","2n7000 folha de dados mosfet","2n7000 to-92","2n7000 logica 3.3v","Product",null,[182,191,201,210],{"id":183,"slug":183,"mpn":184,"primaryCategory":20,"manufacturers":185,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nível lógico em SOT-23 (CASE 318-08), pinagem G-S-D; limite absoluto VDSS de 50 V e corrente contínua ID de 220 mA em TA = 25°C.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"SOT-23",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":196,"packages":197,"packageTypes":200,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[195],"Infineon Technologies","MOSFET de potência de canal N e nível lógico Infineon IRLZ44NPbF em TO-220AB, com pinagem G-D-S e aba ligada ao dreno; a resistência em condução é especificada em condições distintas de acionamento da porta de 4 V, 5 V e 10 V.",[198],{"packageType":199,"pinCount":29},"TO-220AB",[199],{"id":202,"slug":202,"mpn":203,"primaryCategory":204,"manufacturers":205,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":209,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"Transistor de junção bipolar NPN de silício de pequenos sinais para uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e limites máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[208],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":211,"slug":211,"mpn":212,"primaryCategory":204,"manufacturers":213,"shortDescription":214,"packages":215,"packageTypes":217,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[216],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{},1793836420955]