[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3906:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":145,"datasheetUrl":17,"documentationSources":160,"applicationCircuits":169,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent manufacturer documentary\u002Ftechnical\u002Fpackage and full-five-locale LLM semantic review; owner publication GO; no bench or native-human claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3906-d.pdf","2n3906","2N3906","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.","O **2N3906** é um clássico transistor de junção bipolar (BJT) PNP de silício para pequenos sinais fabricado pela onsemi (número de publicação `2N3906\u002FD`, rev. 4, fevereiro de 2010). Acondicionado no encapsulamento through-hole TO-92 (Case 29-11, Issue AM, Style 1) com pinagem **E-B-C**, atua como o par complementar direto do NPN 2N3904.\n\n### Física de operação e convenções\nEm operação direta ativa convencional de um PNP, as tensões de base e de coletor são negativas em relação ao emissor ($V_{BE} \u003C 0$, $V_{CE} \u003C 0$). As tabelas do datasheet apresentam magnitudes positivas ($|V_{CE}|$, $|V_{BE}|$, $|V_{(BR)}|$).\n\n### Valores máximos absolutos ($T_A = 25°C$)\n- **Tensão coletor-emissor ($V_{CEO}$):** 40 V\n- **Tensão coletor-base ($V_{CBO}$):** 40 V\n- **Tensão emissor-base ($V_{EBO}$):** 5,0 V\n- **Corrente contínua de coletor ($I_C$):** 200 mA\n- **Dissipação total ($P_D$):** 625 mW a $T_A = 25°C$ (com redução de 5,0 mW\u002F°C acima de 25°C); especificação explícita de 250 mW a $T_A = 60°C$; 1,5 W a $T_C = 25°C$ (redução de 12 mW\u002F°C)\n- **Temperatura de junção operacional ($T_J$):** -55°C a +150°C\n- **Resistência térmica:** $θ_{JA} = 200°C\u002FW$ junção–ambiente e $θ_{JC} = 83,3°C\u002FW$ junção–encapsulamento (máximos da folha de dados)\n\n### Características elétricas e dinâmicas ($T_A = 25°C$)\n- **Tensões de ruptura:** $V_{(BR)CEO} ≥ 40$ V ($I_C = 1,0$ mA), $V_{(BR)CBO} ≥ 40$ V ($I_C = 10$ µA), $V_{(BR)EBO} ≥ 5,0$ V ($I_E = 10$ µA)\n- **Ganho de corrente ($h_{FE}$):** 100 a 300 com $I_C = 10$ mA e $|V_{CE}| = 1,0$ V\n- **Tensão de saturação coletor-emissor ($|V_{CE(sat)}|$):** $≤ 0,25$ V com $I_C = 10$ mA e $I_B = 1,0$ mA\n- **Frequência de transição ($f_T$):** $≥ 250$ MHz com $I_C = 10$ mA, $|V_{CE}| = 20$ V e $f = 100$ MHz\n\n> **Nota da folha de dados:** As condições de teste pulsadas ($t_p ≤ 300$ µs, ciclo de trabalho $≤ 2,0%$) aplicam-se especificamente onde há a Nota 2: $V_{(BR)CEO}$ e as características de condução ($h_{FE}$ e saturação), não universalmente a $V_{(BR)CBO}$, $V_{(BR)EBO}$ ou $f_T$.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Terminal de emissor (pino 1, terminal esquerdo com a face plana para a frente e terminais voltados para baixo)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Terminal de controle de base (pino 2, terminal central; requer resistor limitador de corrente de base externo)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Terminal de coletor (pino 3, terminal direito com a face plana para a frente e terminais voltados para baixo)",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,150,[52,59,63,68,73,80,85,90,95,100,105,109,115,121,126,132,136,140],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)CEO","Tensão de ruptura coletor-emissor V(BR)CEO","—",40,"V","IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":62},"V(BR)CBO","Tensão de ruptura coletor-base V(BR)CBO","IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":55,"minValue":66,"unit":57,"testCondition":67},"V(BR)EBO","Tensão de ruptura emissor-base V(BR)EBO",5,"IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":55,"maxValue":30,"unit":71,"testCondition":72},"IC_max","Corrente contínua de coletor","mA","Regime contínuo máximo (aplicam-se limites simultâneos de PD e TJ)",{"symbol":74,"name":75,"typicalValue":55,"minValue":76,"maxValue":77,"unit":78,"testCondition":79},"hFE_10mA","Ganho de corrente contínua hFE a 10mA",100,300,"ratio","IC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":55,"minValue":83,"unit":78,"testCondition":84},"hFE_1mA","Ganho de corrente contínua hFE a 1mA",80,"IC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":55,"minValue":88,"unit":78,"testCondition":89},"hFE_50mA","Ganho de corrente contínua hFE a 50mA",60,"IC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":91,"name":92,"typicalValue":55,"maxValue":93,"unit":57,"testCondition":94},"VCE_sat_10mA","Tensão de saturação coletor-emissor |VCE(sat)| a 10mA",0.25,"IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"maxValue":98,"unit":57,"testCondition":99},"VCE_sat_50mA","Tensão de saturação coletor-emissor |VCE(sat)| a 50mA",0.4,"IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (ensaio de pulso: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"minValue":103,"maxValue":104,"unit":57,"testCondition":94},"VBE_sat_10mA","Tensão de saturação base-emissor |VBE(sat)| a 10mA",0.65,0.85,{"symbol":106,"name":107,"typicalValue":55,"maxValue":108,"unit":57,"testCondition":99},"VBE_sat_50mA","Tensão de saturação base-emissor |VBE(sat)| a 50mA",0.95,{"symbol":110,"name":111,"typicalValue":55,"minValue":112,"unit":113,"testCondition":114},"fT","Produto ganho-largura de banda",250,"MHz","IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":116,"name":117,"typicalValue":55,"maxValue":118,"unit":119,"testCondition":120},"Cobo","Capacitância de saída do coletor",4.5,"pF","VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":122,"name":123,"typicalValue":55,"maxValue":124,"unit":119,"testCondition":125},"Cibo","Capacitância de entrada do emissor",10,"VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":127,"name":128,"typicalValue":55,"maxValue":129,"unit":130,"testCondition":131},"NF","Figura de ruído",4,"dB","IC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":135},"VCEO","Tensão coletor–emissor máxima absoluta (magnitude)","Valores máximos, p. 1; magnitude de estresse distinta do mínimo V(BR)CEO sob suas condições de medição.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":66,"unit":57,"testCondition":139},"VEBO","Tensão reversa emissor–base máxima absoluta (magnitude)","Valores máximos, p. 1; magnitude de estresse reverso emissor–base distinta do mínimo V(BR)EBO sob suas condições de medição.",{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":143,"testCondition":144},"TJ","Faixa de temperatura da junção","°C","Temperatura da junção em operação, valores máximos, p. 1; não é uma faixa de temperatura ambiente de operação.",[146,151,155],{"title":147,"severity":148,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Estresse reverso emissor–base (limite absoluto VEBO = 5.0V)","critical","A junção base–emissor tem tensão reversa máxima absoluta VEBO = 5.0V. Separadamente, a tensão de ruptura medida V(BR)EBO é de pelo menos 5.0V a IE = 10 µA, IC = 0 e TA = 25°C; esse ensaio de ruptura não é uma condição recomendada de operação. Em multivibradores astáveis de acoplamento cruzado ou circuitos de chaveamento capacitivo, transientes podem polarizar reversamente a junção base–emissor (tornando a base positiva em relação ao emissor, VBE = VB - VE > 0). Ultrapassar o limite de estresse reverso pode danificar o dispositivo ou afetar sua confiabilidade.","Avalie o pico real de tensão reversa VBE durante a operação do circuito. Caso os transitórios reversos possam se aproximar ou exceder 5.0V, instale um diodo de grampeamento antiparalelo na junção base-emissor (como o 1N4148 com anodo na base e catodo no emissor para PNP) ou um diodo de bloqueio em série na base, verificando se a solução de proteção não prejudica a temporização, a partida ou a corrente direta.",{"title":152,"severity":148,"description":153,"mitigationStrategy":154},"Verificação da disposição dos terminais TO-92 (pinagem E-B-C)","Olhando para a face plana do encapsulamento TO-92 com os terminais apontados para baixo, a pinagem do onsemi 2N3906 é Pino 1 = Emissor, Pino 2 = Base, Pino 3 = Coletor (E-B-C, Case 29-11, Style 1). Outros transistores de pequenos sinais em TO-92 utilizam configurações diferentes (como C-B-E ou E-C-B). A inversão dos terminais resulta em funcionamento incorreto e potencial operação no modo ativo reverso com ganho de corrente severamente degradado, tensão de saturação alterada e limites de tensão reduzidos.","Sempre verifique a disposição física exata dos terminais no datasheet do fabricante (onsemi 2N3906\u002FD Style 1) e na serigrafia da placa antes de soldar ou montar. Nunca presuma que transistores em TO-92 compartilhem pinagens intercambiáveis entre diferentes part numbers ou fabricantes.",{"title":156,"severity":157,"description":158,"mitigationStrategy":159},"Acionamento de base PNP e requisitos de deslocamento de nível no lado alto","warning","Para operação ativa direta e saturada de um PNP, a base deve ter potencial inferior ao emissor (VBE = VB - VE \u003C 0). A folha de dados da onsemi caracteriza as magnitudes da tensão de saturação coletor–emissor (|VCE(sat)| \u003C= 0.25V a IC = 10mA, IB = 1.0mA; e \u003C= 0.4V a IC = 50mA, IB = 5.0mA) com ganho forçado IC \u002F IB = 10 sob ensaio pulsado (tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%, TA = 25°C). Apenas o hFE da região ativa não garante esses limites de saturação. Acionamento insuficiente da base pode deixar maior tensão coletor–emissor e maior dissipação; a região real depende da carga e do acionamento. Além disso, no chaveamento de lado alto a partir de alimentação superior à lógica de controle, ligar a base diretamente a uma saída lógica pode polarizar diretamente a estrutura de proteção superior dessa saída para a alimentação lógica mais baixa.","Dimensione o acionamento da base conforme a carga, a velocidade de chaveamento e a tensão de saturação requerida, usando os limites condicionados pertinentes da folha de dados; curvas típicas não estabelecem limites universais garantidos. Verifique se o driver consegue drenar a corrente de base necessária ao ligar e remover a carga armazenada da base ao desligar, dentro dos próprios limites de tensão e corrente. Ao chavear alimentação positiva superior ao nível lógico (por exemplo 12V com lógica de 3.3V ou 5V), verifique os limites de tensão do driver em corte e use um deslocador de nível devidamente especificado (como NPN ou estágio de dreno aberto com resistor de pull-up base–emissor referenciado à alimentação positiva) para obter o corte completo.",[161],{"title":162,"url":17,"type":163,"authority":164,"publisher":22,"documentNumber":165,"revision":166,"releaseDate":167,"language":168},"2N3906 General Purpose Transistors PNP Silicon","datasheet","primary","2N3906\u002FD","Rev. 4","2010-02","EN",[],[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3906","2N3906 PNP BJT: pinagem, especificações e datasheet | CircuitBase","Especificações técnicas completas do transistor onsemi 2N3906 PNP, pinagem TO-92 (E-B-C), limites absolutos de 40V VCEO e 200mA IC, ganho hFE e características de saturação.",[177,178,179,180],"2n3906 pinagem","2n3906 datasheet transistor","2n3906 especificações pnp","2n3906 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[22],"Transistor de junção bipolar NPN de silício de pequenos sinais para uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e limites máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Transistor NPN de comutação Central Semiconductor 2N2222A em TO-18; limites absolutos: VCEO de 40 V e IC contínua de 800 mA a TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"MOSFET de canal N onsemi 2N7000 em TO-92 (CASE 135AN), pinagem S-G-D; limites absolutos: VDSS de 60 V e ID contínua de 200 mA a TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nível lógico em SOT-23 (CASE 318-08), pinagem G-S-D; limite absoluto VDSS de 50 V e corrente contínua ID de 220 mA em TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420742]