[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3904:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":52,"gotchas":141,"datasheetUrl":17,"documentationSources":156,"applicationCircuits":165,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3903-d.pdf","2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Transistor de junção bipolar NPN de silício de pequenos sinais para uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e limites máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.","O onsemi 2N3904 é um transistor bipolar NPN de silício de pequenos sinais em encapsulamento de montagem passante TO-92 (Case 29, Style 1), com pinos 1–2–3 atribuídos a emissor–base–coletor. A folha de dados (2N3903\u002FD, agosto de 2021, rev. 9) lista os máximos absolutos VCEO = 40 V, IC contínuo = 200 mA e PD = 625 mW a TA = 25°C, com redução de PD em 5.0 mW\u002F°C acima de 25°C. Esses limites de estresse não são capacidades de operação incondicionais e devem ser observados junto com a temperatura da junção e as condições térmicas reais. TJ = −55 a +150°C é uma faixa de temperatura da junção, não de operação ambiente. As resistências térmicas listadas, 200°C\u002FW junção–ambiente e 83.3°C\u002FW junção–encapsulamento, são valores máximos. Separadamente, a tensão de ruptura medida V(BR)CEO tem mínimo de 40 V a IC = 1.0 mA e IB = 0. A TA = 25°C, hFE é especificado entre 100–300 a IC = 10 mA e VCE = 1.0 V, e VCE(sat) é no máximo 0.2 V a IC = 10 mA e IB = 1.0 mA; essas linhas de ruptura, ganho e saturação têm as condições aplicáveis de ensaio pulsado: largura de pulso ≤300 µs e ciclo de operação ≤2%. O produto ganho de corrente–largura de banda fT é de pelo menos 300 MHz a IC = 10 mA, VCE = 20 V e frequência de medição f = 100 MHz (TA = 25°C). Consulte as condições das linhas de parâmetros, sem tratar limites de ganho ou saturação como independentes de corrente, temperatura ou acionamento da base.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Terminal de emissor (pino 1, terminal esquerdo com a face plana para a frente e terminais para baixo)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Terminal de controle de base (pino 2, terminal central; requer um resistor externo de limitação de corrente de base)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Terminal de coletor (pino 3, terminal direito com a face plana para a frente e terminais para baixo)",{"powerDissipationMaxW":49,"storageTempMinC":50,"storageTempMaxC":51},0.625,-55,150,[53,60,65,70,75,82,87,91,96,101,106,111,117,122,128,132,136],{"symbol":54,"name":55,"typicalValue":56,"minValue":57,"unit":58,"testCondition":59},"V(BR)CEO","Tensão de ruptura coletor-emissor","—",40,"V","IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":61,"name":62,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":58,"testCondition":64},"V(BR)CBO","Tensão de ruptura coletor-base",60,"IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":56,"minValue":68,"unit":58,"testCondition":69},"V(BR)EBO","Tensão de ruptura emissor-base",6,"IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":56,"maxValue":30,"unit":73,"testCondition":74},"IC","Corrente contínua de coletor","mA","Corrente contínua de coletor máxima absoluta (valores máximos, p. 1); observe simultaneamente os limites de dissipação e temperatura da junção.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":56,"minValue":78,"maxValue":79,"unit":80,"testCondition":81},"hFE_10mA","Ganho de corrente contínua hFE a 10mA",100,300,"ratio","IC = 10 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":83,"name":84,"typicalValue":56,"minValue":85,"unit":80,"testCondition":86},"hFE_1mA","Ganho de corrente contínua hFE a 1mA",70,"IC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":88,"name":89,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":80,"testCondition":90},"hFE_50mA","Ganho de corrente contínua hFE a 50mA","IC = 50 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":56,"maxValue":94,"unit":58,"testCondition":95},"VCE_sat_10mA","Tensão de saturação coletor-emissor a 10mA",0.2,"IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":56,"maxValue":99,"unit":58,"testCondition":100},"VCE_sat_50mA","Tensão de saturação coletor-emissor a 50mA",0.3,"IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (teste pulsado: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabalho \u003C= 2.0%)",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":56,"minValue":104,"maxValue":105,"unit":58,"testCondition":95},"VBE_sat","Tensão de saturação base-emissor",0.65,0.85,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":56,"minValue":79,"unit":109,"testCondition":110},"fT","Produto ganho-largura de banda","MHz","IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":56,"maxValue":114,"unit":115,"testCondition":116},"Cobo","Capacitância de saída do coletor",4,"pF","VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":118,"name":119,"typicalValue":56,"maxValue":120,"unit":115,"testCondition":121},"Cibo","Capacitância de entrada do emissor",8,"VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":56,"maxValue":125,"unit":126,"testCondition":127},"NF","Figura de ruído",5,"dB","IC = 100 µA, VCE = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":56,"maxValue":57,"unit":58,"testCondition":131},"VCEO","Tensão coletor–emissor máxima absoluta","Valores máximos, p. 1; limite de estresse distinto do mínimo V(BR)CEO medido nas condições de ensaio indicadas.",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":56,"maxValue":68,"unit":58,"testCondition":135},"VEBO","Tensão emissor–base máxima absoluta","Valores máximos, p. 1; limite de estresse reverso emissor–base distinto do mínimo V(BR)EBO medido nas condições de ensaio indicadas.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":56,"minValue":50,"maxValue":51,"unit":139,"testCondition":140},"TJ","Faixa de temperatura da junção","°C","Temperatura da junção em operação, valores máximos, p. 1; não é uma classificação de temperatura ambiente de operação.",[142,147,151],{"title":143,"severity":144,"description":145,"mitigationStrategy":146},"Verifique a pinagem exata emissor–base–coletor do TO-92","critical","Com a face plana do encapsulamento onsemi TO-92 voltada para o observador e os terminais para baixo, os pinos 1–2–3 são emissor–base–coletor (E-B-C). Outros códigos de peça ou fabricantes podem usar disposições diferentes. Trocar emissor e coletor pode causar operação incorreta; dependendo da polarização, pode ocorrer operação ativa reversa com limites de ganho e tensão diferentes. Verifique o componente exato e o desenho do encapsulamento em vez de presumir que outro transistor compartilha essa pinagem.","Sempre confirme a disposição física dos pinos com a folha de dados do fabricante e a serigrafia da placa antes da soldagem. Assegure que emissor, base e coletor correspondam às conexões do diagrama esquemático.",{"title":148,"severity":144,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Estresse reverso emissor–base em multivibradores astáveis com acoplamento cruzado","A folha de dados lista VEBO = 6.0 V como tensão reversa emissor–base máxima absoluta (p. 1). Separadamente, V(BR)EBO é especificada como pelo menos 6.0 V a IE = 10 µA, IC = 0 e TA = 25°C (p. 2); o ensaio de ruptura não é uma condição recomendada de operação. Em um astável com acoplamento cruzado e emissores aterrados, a queda da tensão de um coletor pode levar capacitivamente a base oposta a tensão negativa. Para uma transição instantânea idealizada com tensão do capacitor inalterada, VB(after) = VB(before) + VC(after) − VC(before). Assim, a tensão de base após o degrau inclui a tensão de base anterior ao chaveamento; o degrau do coletor isoladamente não é a VBE reversa final. Os níveis reais do coletor dependem das quedas de tensão da carga, do acionamento do transistor e do estado do circuito. Avalie a pior VBE reversa no circuito específico em relação ao limite absoluto VEBO; esta folha de dados não estabelece um limiar universal de alimentação de 5–6 V. Estresse reverso excessivo pode causar ruptura, degradar o ganho ou alterar a temporização.","Avalie um diodo de grampeamento base–emissor em antiparalelo (cátodo na base, ânodo no emissor\u002Fterra) ou outra topologia quando a análise do circuito real identificar estresse reverso excessivo. Verifique a corrente de grampeamento, os caminhos de temporização, a partida e os limites de tensão dos componentes no circuito resultante. Um grampeador ou um arranjo de diodo em série com a base é uma alteração de projeto que exige verificação, não uma solução de substituição direta validada automaticamente.",{"title":152,"severity":153,"description":154,"mitigationStrategy":155},"Requisito de corrente de base para saturação frente ao ganho ativo","warning","O hFE da região ativa não garante os limites tabelados de VCE(sat). Os ensaios de saturação da onsemi utilizam ganho forçado IC \u002F IB = 10: IC = 10 mA com IB = 1.0 mA resulta em VCE(sat) ≤0.2 V, e IC = 50 mA com IB = 5.0 mA resulta em VCE(sat) ≤0.3 V, a TA = 25°C com largura de pulso ≤300 µs e ciclo de operação ≤2%. Esses limites se aplicam às condições de ensaio indicadas. Escolher a corrente de base somente pelo hFE da região ativa pode fornecer acionamento insuficiente para a carga pretendida e deixar uma tensão coletor–emissor e dissipação maiores; a região real depende da reta de carga e do acionamento do circuito.","Dimensione o acionamento da base para a carga real do coletor e verifique as condições pertinentes de saturação, tensão, temperatura e pulso. Os ensaios tabelados usam IC \u002F IB = 10; não estabelecem uma faixa universal garantida de ganho forçado de 10–20. Verifique se o driver pode fornecer a corrente de base necessária e remover a carga da base durante o desligamento, dentro dos próprios limites de tensão e corrente. Se o acionamento adequado não estiver disponível, avalie um MOSFET ou buffer segundo os requisitos reais do circuito, sem depender apenas da classificação de nível lógico.",[157],{"title":158,"url":17,"type":159,"authority":160,"publisher":22,"documentNumber":161,"revision":162,"releaseDate":163,"language":164},"2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon","datasheet","primary","2N3903\u002FD","Rev. 9","2021-08","EN",[166],{"title":167,"schematicSlug":168,"topology":169},"Circuito de reset automático e boot do ESP32 (DTR\u002FRTS)","esp32-auto-reset-flashing-circuit","Q1 e Q2: chaves NPN acopladas em cruz que puxam EN e IO0 para nível baixo",[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3904","Transistor NPN 2N3904: pinagem, especificações e datasheet | CircuitBase","Especificações técnicas completas do transistor NPN onsemi 2N3904, pinagem TO-92 (E-B-C), limites absolutos de 40V VCEO e 200mA IC, ganho hFE e parâmetros de saturação.",[177,178,179,180],"2n3904 pinagem","2n3904 folha de dados do transistor","2n3904 especificações npn","2n3904 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Transistor NPN de comutação Central Semiconductor 2N2222A em TO-18; limites absolutos: VCEO de 40 V e IC contínua de 800 mA a TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"MOSFET de canal N onsemi 2N7000 em TO-92 (CASE 135AN), pinagem S-G-D; limites absolutos: VDSS de 60 V e ID contínua de 200 mA a TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nível lógico em SOT-23 (CASE 318-08), pinagem G-S-D; limite absoluto VDSS de 50 V e corrente contínua ID de 220 mA em TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420458]