[{"data":1,"prerenderedAt":257},["ShallowReactive",2],{"component:2n2222:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":216,"related":217,"equivalentSlugs":256},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":19,"mpn":20,"slug":19,"primaryCategory":21,"manufacturers":22,"lifecycleStatus":24,"shortDescription":25,"deepTechnicalOverview":26,"packages":27,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":171,"datasheetUrl":17,"documentationSources":186,"applicationCircuits":199,"equivalents":204,"mountedOnBoards":205,"seo":206},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-14",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent documentary review against exact manufacturer PDFs and current product rows; source-relative package verification and LLM localization review; owner publication GO, no bench or native-human signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17,18],"https:\u002F\u002Fcentral.aeminc.com\u002Fdatasheets\u002F2N2221A.PDF","https:\u002F\u002Fcentral.aeminc.com\u002Fdocs\u002FENGINEERING\u002FPDD\u002FTO_18_PD.PDF","2n2222","2N2222A","bipolar_transistor",[23],"Central Semiconductor","active","Transistor NPN de comutação Central Semiconductor 2N2222A em TO-18; limites absolutos: VCEO de 40 V e IC contínua de 800 mA a TA = 25°C.","Esta página cobre apenas Central Semiconductor 2N2222A em TO-18 segundo a folha de dados 2N2221A.PDF, R5 (5 de dezembro de 2013). As características elétricas se aplicam a TA = 25°C, salvo indicação contrária, e apenas nas condições completas de ensaio. Máximos absolutos são limites de esforço, não condições recomendadas. No desenho do fabricante E1 fica à esquerda, B2 acima do centro, C3 à direita e a aba embaixo à esquerda; isso descreve a orientação do desenho sem afirmar uma vista superior ou inferior confirmada separadamente. A linha exata do catálogo consta como Active; o aviso anexo PDN01195 abrange outros tipos listados. Não transfira essas especificações para outros fabricantes ou variantes plásticas.",[28],{"packageType":29,"pinCount":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-18",3,350,97,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"E","passive",false,"none","Emissor, terminal 1: à esquerda no desenho do fabricante, o mais próximo da aba inferior esquerda. Preserve a orientação do desenho.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"B","Base, terminal 2: acima do centro no desenho do fabricante, a 90° de cada terminal 1 e 3.",{"pinNumber":30,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"C","Coletor, terminal 3: à direita no desenho do fabricante. O desenho citado não confirma conexão elétrica interna à carcaça metálica.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-65,200,[52,59,64,69,75,79,84,88,93,96,103,107,112,118,123,128,131,136,140,144,147,150,155,160,166],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"BVCBO","Tensão de ruptura coletor-base","—",75,"V","IC = 10 µA, TA = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":62,"unit":57,"testCondition":63},"BVCEO","Tensão de ruptura coletor-emissor",40,"IC = 10 mA, TA = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":55,"minValue":67,"unit":57,"testCondition":68},"BVEBO","Tensão de ruptura emissor-base",6,"IE = 10 µA, TA = 25°C",{"symbol":70,"name":71,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":73,"testCondition":74},"ICBO","Corrente de corte de coletor",10,"nA","VCB = 60 V, TA = 25°C",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":73,"testCondition":78},"IEBO","Corrente de corte de emissor","VEB = 3.0 V, TA = 25°C",{"symbol":80,"name":81,"typicalValue":55,"maxValue":82,"unit":57,"testCondition":83},"VCE_sat_150","Tensão de saturação coletor-emissor a 150 mA",0.3,"IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":85,"name":86,"typicalValue":55,"maxValue":35,"unit":57,"testCondition":87},"VCE_sat_500","Tensão de saturação coletor-emissor a 500 mA","IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C",{"symbol":89,"name":90,"typicalValue":55,"minValue":91,"maxValue":92,"unit":57,"testCondition":83},"VBE_sat_150","Tensão de saturação base-emissor a 150 mA",0.6,1.2,{"symbol":94,"name":95,"typicalValue":55,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":87},"VBE_sat_500","Tensão de saturação base-emissor a 500 mA",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":55,"minValue":99,"maxValue":100,"unit":101,"testCondition":102},"hFE_150","Ganho de corrente contínua a 150 mA",100,300,"ratio","VCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C",{"symbol":104,"name":105,"typicalValue":55,"minValue":62,"unit":101,"testCondition":106},"hFE_500","Ganho de corrente contínua a 500 mA","VCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C",{"symbol":108,"name":109,"typicalValue":55,"minValue":100,"unit":110,"testCondition":111},"fT","Produto ganho-largura de banda","MHz","VCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":113,"name":114,"typicalValue":55,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"Cob","Capacitância de saída",8,"pF","VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":55,"maxValue":121,"unit":116,"testCondition":122},"Cib","Capacitância de entrada",25,"VEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C",{"symbol":124,"name":125,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":126,"testCondition":127},"td","Tempo de atraso","ns","VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":121,"unit":126,"testCondition":127},"tr","Tempo de subida",{"symbol":132,"name":133,"typicalValue":55,"maxValue":134,"unit":126,"testCondition":135},"ts","Tempo de armazenamento",225,"VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":139,"unit":126,"testCondition":135},"tf","Tempo de descida",60,{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":143},"VCBO_abs","Limite absoluto de tensão coletor-base","TA = 25°C",{"symbol":145,"name":146,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":57,"testCondition":143},"VCEO_abs","Limite absoluto de tensão coletor-emissor",{"symbol":148,"name":149,"typicalValue":55,"maxValue":67,"unit":57,"testCondition":143},"VEBO_abs","Limite absoluto de tensão reversa emissor-base",{"symbol":151,"name":152,"typicalValue":55,"maxValue":153,"unit":154,"testCondition":143},"IC_abs","Limite absoluto de corrente contínua de coletor",800,"mA",{"symbol":156,"name":157,"typicalValue":55,"maxValue":158,"unit":159,"testCondition":143},"PD_TA_abs","Limite absoluto de dissipação à temperatura ambiente",500,"mW",{"symbol":161,"name":162,"typicalValue":55,"maxValue":163,"unit":164,"testCondition":165},"PD_TC_abs","Limite absoluto de dissipação à temperatura de carcaça",1.8,"W","TC = 25°C",{"symbol":167,"name":168,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":169,"testCondition":170},"TJ_abs","Limites absolutos de temperatura de junção em operação","°C","Limites de esforço de temperatura de junção, não uma faixa de temperatura ambiente de operação",[172,177,181],{"title":173,"severity":174,"description":175,"mitigationStrategy":176},"Corrente máxima absoluta de coletor (800 mA) versus dissipação térmica ao ar livre no TO-18","critical","IC = 800 mA é um limite absoluto, não uma corrente de operação termicamente segura. Com IC = 500 mA e IB = 50 mA, os dois máximos de tensão dão um limite conservador das perdas de condução P = IC·VCE + IB·VBE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, acima de 500 mW a TA = 25°C antes das perdas de comutação. Isso não é uma dissipação medida nem afirma a ocorrência simultânea dos dois máximos.","Estime a dissipação média e confira o caminho térmico real com margem: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA ao ar livre ou TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC com temperatura de carcaça controlada e considerando o caminho térmico externo. O limite de 1,8 W exige TC = 25°C, não apenas um dissipador instalado. Não existe limiar universal de corrente para instalar um dissipador.",{"title":178,"severity":174,"description":179,"mitigationStrategy":180},"Baixa tensão de ruptura reversa emissor-base (6,0 V) em multivibradores e circuitos indutivos","O limite absoluto VEBO = 6,0 V e a característica separada de ruptura mínima BVEBO ≥ 6,0 V com IE = 10 µA são especificações diferentes. Um ensaio de ruptura não autoriza avalanche repetitiva; a folha de dados não fornece essa capacidade. Os transientes capacitivos da base devem permanecer dentro do limite de tensão reversa.","Confira a forma de onda real emissor-base na partida e na comutação. O diodo limitador reverso de um NPN tem ânodo em E e cátodo em B; confira corrente de pulso, queda direta, tolerâncias e mudanças na temporização. A indicação de alimentação não comprova proteção; um diodo em série com a base não é um limitador equivalente.",{"title":182,"severity":183,"description":184,"mitigationStrategy":185},"Requisitos de corrente de base para saturação profunda e atrasos de armazenamento","warning","VCE(SAT) é caracterizado com IC = 150 mA, IB = 15 mA e com IC = 500 mA, IB = 50 mA. Esses pontos IC\u002FIB = 10 não são uma regra universal de acionamento. Corrente de base insuficiente pode aumentar VCE e perdas conforme a carga. O limite ts ≤ 225 ns se aplica apenas com VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA e TA = 25°C, não a condições PWM arbitrárias.","Selecione o acionamento de base para a corrente, tensão e temperatura previstas nas condições de caracterização aplicáveis. Confira a capacidade do driver de fornecer e absorver corrente e suas tensões de saída garantidas; o ponto de ensaio de corrente de base de 50 mA pode superar o limite de um GPIO. O desligamento e qualquer circuito de controle de carga exigem verificação própria do circuito.",[187,194],{"title":188,"url":17,"type":189,"authority":190,"publisher":23,"revision":191,"releaseDate":192,"language":193},"2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors","datasheet","primary","R5","2013-12-05","EN",{"title":195,"url":18,"type":189,"authority":196,"publisher":23,"revision":197,"releaseDate":198,"language":193},"Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification","secondary","R0\u002FR4","2020-02-10",[200],{"title":201,"schematicSlug":202,"topology":203},"Driver de relé com BJT NPN 2N2222 \u002F 2N2222A e diodo flyback 1N4007","2n2222-relay-driver-flyback-protection","Chave saturada de lado baixo em emissor comum com transistor NPN, resistor limitador de base, resistor de sangria pull-down de 10 kΩ, diodo flyback antiparalelo 1N4007 e desacoplamento do barramento CC.",[],[],{"canonicalUrl":207,"metaTitle":208,"metaDescription":209,"primarySearchCluster":210,"structuredDataSchema":215},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n2222","2N2222A Transistor NPN: Pinagem, Datasheet e Especificações | CircuitBase","Especificações técnicas completas do transistor de chaveamento NPN 2N2222A da Central Semiconductor, pinagem TO-18 (E-B-C), limites absolutos de 40 V VCEO e 800 mA IC.",[211,212,213,214],"2n2222a pinagem","2n2222a transistor folha de dados","2n2222a to-18","2n2222a chaveamento","Product",null,[218,228,236,247],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":21,"manufacturers":221,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":227,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[222],"onsemi","Transistor de junção bipolar NPN de silício de pequenos sinais para uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e limites máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[225],{"packageType":226,"pinCount":30},"TO-92",[226],{"id":229,"slug":229,"mpn":230,"primaryCategory":21,"manufacturers":231,"shortDescription":232,"packages":233,"packageTypes":235,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[222],"Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[234],{"packageType":226,"pinCount":30},[226],{"id":237,"slug":237,"mpn":238,"primaryCategory":239,"manufacturers":240,"shortDescription":242,"packages":243,"packageTypes":246,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[241],"Vishay","Retificador Vishay 1N4007 DO-41 com VRRM máximo de 1000 V e IF(AV) de 1 A a TA = 75°C, terminais de 9.5 mm e carga resistiva ou indutiva de 60 Hz.",[244],{"packageType":245,"pinCount":42},"DO-41",[245],{"id":248,"slug":248,"mpn":249,"primaryCategory":239,"manufacturers":250,"shortDescription":251,"packages":252,"packageTypes":255,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[241],"Diodo de chaveamento axial Vishay 1N4148 em DO-35. Faixa preta do cátodo, limite de tensão reversa contínua de 75 V e recuperação reversa máxima de 4 ns nas condições de ensaio especificadas.",[253],{"packageType":254,"pinCount":42},"DO-35",[254],{},1793836420241]