[{"data":1,"prerenderedAt":196},["ShallowReactive",2],{"component:1n4148:pt":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":154,"related":155,"equivalentSlugs":195},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":42,"parametricAttributes":47,"gotchas":111,"datasheetUrl":17,"documentationSources":126,"applicationCircuits":136,"equivalents":137,"mountedOnBoards":142,"seo":143},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary review against Vishay 81857 Rev. 1.6; owner publication GO; LLM localization review; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.vishay.com\u002Fdocs\u002F81857\u002F1n4148.pdf","1n4148","1N4148","diode_rectifier",[22],"Vishay","active","Diodo de chaveamento axial Vishay 1N4148 em DO-35. Faixa preta do cátodo, limite de tensão reversa contínua de 75 V e recuperação reversa máxima de 4 ns nas condições de ensaio especificadas.","Esta referência cobre Vishay 1N4148, códigos de pedido 1N4148-TAP e 1N4148TR, usando a folha de dados 81857 Rev. 1.6 (07-Nov-2024). É um diodo de chaveamento epitaxial planar de silício em encapsulamento axial DO-35 (DO-204AH). A faixa preta identifica o cátodo; o CircuitBase numera o cátodo K como terminal 1 e o ânodo A como terminal 2 neste catálogo. São terminais passivos, não entradas GPIO com especificação de tolerância lógica a 5 V.\n\nDiferencie o limite absoluto de tensão reversa contínua de 75 V do limite absoluto de tensão reversa de pico repetitiva de 100 V. A tensão de ruptura é especificada separadamente com mínimo de 100 V a IR = 100 µA, tp\u002FT = 0.01 e tp = 0.3 ms. Os limites absolutos não são pontos de operação recomendados.\n\nA TA = 25°C, a queda direta máxima é 1 V com IF = 10 mA. A capacitância máxima é 4 pF com VR = 0 V, f = 1 MHz e VHF = 50 mV. A recuperação reversa é no máximo 4 ns com IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 × IR e RL = 100 Ω; o ensaio separado de 8 ns usa IF = IR = 10 mA e iR = 1 mA. Nenhum desses tempos é uma garantia incondicional de chaveamento.\n\nA dissipação é especificada em 500 mW com l = 4 mm e TL \u003C= 25°C, ou 440 mW com l = 4 mm e TL = 45°C. RthJA = 350 °C\u002FW exige l = 4 mm e TL constante. O limite de temperatura de junção é 175°C; o armazenamento vai de -65 a +150°C. Avalie as condições elétricas e térmicas reais sem tratar um limite do encapsulamento como corrente garantida do circuito.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"DO-35",2,350,[32,39],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"K","passive",false,"none","Cátodo K, identificado pela faixa preta no corpo. O terminal 1 segue a convenção de numeração do catálogo CircuitBase; é um terminal passivo do diodo.",{"pinNumber":29,"pinName":40,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":41},"A","Ânodo A, oposto à faixa preta do cátodo. O terminal 2 segue a convenção de numeração do catálogo CircuitBase; a corrente convencional direta flui de A para K.",{"powerDissipationMaxW":43,"operatingTempMaxC":44,"storageTempMinC":45,"storageTempMaxC":46},0.5,175,-65,150,[48,55,59,63,68,72,76,80,85,89,95,101,106],{"symbol":49,"name":50,"typicalValue":51,"maxValue":52,"unit":53,"testCondition":54},"V_RRM","Tensão reversa de pico repetitiva","—",100,"V","TA = 25°C",{"symbol":56,"name":57,"typicalValue":51,"maxValue":58,"unit":53,"testCondition":54},"V_R","Tensão reversa contínua",75,{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":51,"minValue":52,"unit":53,"testCondition":62},"V_BR","Tensão de ruptura","IR = 100 µA, tp\u002FT = 0.01, tp = 0.3 ms, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":51,"maxValue":66,"unit":67,"testCondition":54},"I_F","Corrente direta contínua",300,"mA",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":51,"maxValue":46,"unit":67,"testCondition":71},"I_F_AV","Corrente direta média","VR = 0, TA = 25°C",{"symbol":73,"name":74,"typicalValue":51,"maxValue":75,"unit":67,"testCondition":54},"I_FRM","Corrente direta de pico repetitiva",500,{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":51,"maxValue":29,"unit":40,"testCondition":79},"I_FSM_1us","Corrente de surto direta não repetitiva (1 µs)","tp = 1 µs, TA = 25°C",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":51,"maxValue":75,"unit":83,"testCondition":84},"P_tot","Dissipação de potência máxima","mW","l = 4 mm, TL \u003C= 25°C",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":51,"maxValue":33,"unit":53,"testCondition":88},"V_F","Queda de tensão direta","IF = 10 mA, TA = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":51,"maxValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"I_R","Corrente de fuga reversa",0.025,"µA","VR = 20 V, TA = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":51,"maxValue":98,"unit":99,"testCondition":100},"t_rr_4ns","Tempo de recuperação reversa (teste de 4 ns)",4,"ns","IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Ω, TA = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":51,"maxValue":104,"unit":99,"testCondition":105},"t_rr_8ns","Tempo de recuperação reversa (teste de 8 ns)",8,"IF = IR = 10 mA, iR = 1 mA, TA = 25°C",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":51,"maxValue":98,"unit":109,"testCondition":110},"C_D","Capacitância do diodo","pF","VR = 0 V, f = 1 MHz, VHF = 50 mV, TA = 25°C",[112,117,122],{"title":113,"severity":114,"description":115,"mitigationStrategy":116},"Os limites de corrente e potência exigem suas condições especificadas","critical","A TA = 25°C, os limites absolutos são IF = 300 mA contínuos, IF(AV) = 150 mA com VR = 0 e IFRM = 500 mA de pico repetitivo. Eles descrevem condições diferentes. Ptot = 500 mW exige l = 4 mm e TL \u003C= 25°C; Ptot = 440 mW é especificado a TL = 45°C com o mesmo comprimento de terminais. RthJA = 350 °C\u002FW pressupõe l = 4 mm e TL constante.","Compare a forma de onda real, a dissipação, a temperatura dos terminais e o projeto térmico com os limites aplicáveis. Mantenha a temperatura de junção dentro do limite absoluto de 175°C; não deduza uma corrente garantida do circuito a partir de um único limite de corrente ou potência.",{"title":118,"severity":119,"description":120,"mitigationStrategy":121},"A tensão reversa contínua não é o limite de pico repetitivo","warning","A folha de dados especifica VR = 75 V e VRRM = 100 V como limites absolutos distintos. A tensão mínima de ruptura de 100 V, ensaiada separadamente, não torna 100 V uma recomendação de tensão contínua de operação. A faixa preta do corpo marca K; os números de terminal do catálogo são uma convenção de apresentação.","Identifique a faixa do cátodo e compare a forma de onda reversa real com os limites contínuo e de pico repetitivo apropriados. Esses terminais passivos não possuem especificação de tolerância a 5 V do tipo GPIO.",{"title":123,"severity":119,"description":124,"mitigationStrategy":125},"O limite de corrente de surto de 2 A corresponde a um pulso de 1 µs","Vishay 81857 Rev. 1.6 especifica IFSM = 2 A com tp = 1 µs e TA = 25°C. Não especifica um limite de corrente de surto de 1 A durante 1 s. Esse limite absoluto de pulso curto não permite corrente contínua nem repetitiva.","Avalie o pulso pretendido e as condições térmicas com os dados aplicáveis do fabricante. Não extrapole o limite de 1 µs para um pulso mais longo permitido, uma frequência de repetição ou uma capacidade de absorção de energia no grampeamento.",[127],{"title":128,"url":17,"type":129,"authority":130,"publisher":131,"documentNumber":132,"revision":133,"releaseDate":134,"language":135},"1N4148 Small Signal Fast Switching Diodes Datasheet","datasheet","primary","Vishay Semiconductors","81857","1.6","2024-11-07","EN",[],[138],{"equivalentMpn":139,"manufacturer":22,"compatibilityType":140,"parameterDifferences":141},"1N914","pin_to_pin_drop_in","Vishay 81857 cita explicitamente 1N914 como diodo eletricamente equivalente. Verifique a peça e o encapsulamento do fabricante selecionados para a aplicação pretendida; a afirmação não estabelece geometria de silício idêntica nem todas as condições de ensaio.",[],{"canonicalUrl":144,"metaTitle":145,"metaDescription":146,"primarySearchCluster":147,"structuredDataSchema":153},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F1n4148","Vishay 1N4148: pinagem DO-35, folha de dados e condições de ensaio","Identificação do cátodo por faixa no Vishay 1N4148 DO-35, limites reversos contínuo de 75 V e de pico repetitivo de 100 V, e especificações de corrente, recuperação e térmicas com suas condições.",[148,149,150,151,152],"pinagem do 1n4148","folha de dados 1n4148","1n4148 especificacoes","1n4148 faixa de catodo","1n4148 tempo de recuperacao reversa","Product",null,[156,165,177,187],{"id":157,"slug":157,"mpn":158,"primaryCategory":20,"manufacturers":159,"shortDescription":160,"packages":161,"packageTypes":164,"voltage":-1},"1n4007","1N4007",[22],"Retificador Vishay 1N4007 DO-41 com VRRM máximo de 1000 V e IF(AV) de 1 A a TA = 75°C, terminais de 9.5 mm e carga resistiva ou indutiva de 60 Hz.",[162],{"packageType":163,"pinCount":29},"DO-41",[163],{"id":166,"slug":166,"mpn":167,"primaryCategory":168,"manufacturers":169,"shortDescription":171,"packages":172,"packageTypes":176,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A","bipolar_transistor",[170],"Central Semiconductor","Transistor NPN de comutação Central Semiconductor 2N2222A em TO-18; limites absolutos: VCEO de 40 V e IC contínua de 800 mA a TA = 25°C.",[173],{"packageType":174,"pinCount":175},"TO-18",3,[174],{"id":178,"slug":178,"mpn":179,"primaryCategory":168,"manufacturers":180,"shortDescription":182,"packages":183,"packageTypes":186,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[181],"onsemi","Transistor de junção bipolar NPN de silício de pequenos sinais para uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e limites máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[184],{"packageType":185,"pinCount":175},"TO-92",[185],{"id":188,"slug":188,"mpn":189,"primaryCategory":168,"manufacturers":190,"shortDescription":191,"packages":192,"packageTypes":194,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[181],"Transistor bipolar de junção PNP de silício para pequenos sinais de uso geral em encapsulamento TO-92 com pinagem E-B-C e valores máximos absolutos de 40V VCEO e 200mA IC.",[193],{"packageType":185,"pinCount":175},[185],{},1793836419989]