[{"data":1,"prerenderedAt":273},["ShallowReactive",2],{"component:pc817:pl":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":227,"related":228,"equivalentSlugs":272},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":26,"shortDescription":27,"deepTechnicalOverview":28,"packages":29,"absoluteMaximums":65,"recommendedOperating":74,"parametricAttributes":79,"gotchas":163,"datasheetUrl":17,"documentationSources":183,"applicationCircuits":191,"equivalents":196,"mountedOnBoards":216,"seo":217},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-11-03",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Gemini (independent documentary review against Sharp Corporation D2-A03101EN; verified pinout, DIP-4 and SMD-4 packages, absolute maximums, electrical parametric limits, gotchas, six-locale localization sidecars, and catalog release validation; owner publication GO, no physical bench signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fglobal.sharp\u002Fproducts\u002Fdevice\u002Flineup\u002Fdata\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002Fpc817xxnsz1b_e.pdf","pc817","PC817","interface_bridge",[22,23,24,25],"Sharp","Everlight Electronics","Lite-On","onsemi","active","Transoptor Sharp PC817 (seria PC817X) z wyjściem fototranzystorowym w obudowach DIP-4 i SMD-4; napięcie izolacji 5000 Vrms, napięcie przebicia kolektor-emiter 80 V oraz współczynnik CTR od 50% do 600%.","Transoptor PC817 (seria PC817X) to standardowy 4-wyprowadzeniowy łącznik transoptorowy ogólnego przeznaczenia produkowany przez Sharp Corporation (karta katalogowa D2-A03101EN). Układ sprzęga optycznie wejściową diodę elektroluminescencyjną GaAs na podczerwień (IRED) z wysokonapięciowym krzemowym fototranzystorem NPN po stronie wyjściowej, zapewniając izolację galwaniczną 5000 Vrms pomiędzy cyfrowymi układami logicznymi a wysokonapięciowymi obwodami przemysłowymi. Nowoczesna seria PC817X charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter (VCEO) 80 V oraz ciągłym prądem kolektora 50 mA, co czyni ją idealnym rozwiązaniem do tłumienia zakłóceń w zasilaczach impulsowych (SMPS), izolacji wejść mikrokontrolerów od zakłóconych linii magistrali 24 V PLC oraz sterowania tranzystorami przekaźników bez tworzenia pętli masy. Współczynnik transferu prądu (CTR) klasyfikowany jest w czterech grupach selekcyjnych: grupa A (80%..160%), grupa B (130%..260%), grupa C (200%..400%) oraz grupa D (300%..600%) przy IF = 5 mA i VCE = 5 V. Układ produkowany jest w 4-wyprowadzeniowych obudowach DIP-4 do montażu przewlekanego oraz SMD-4 do montażu powierzchniowego z rastrem 2.54 mm.",[30,57],{"packageType":31,"pinCount":32,"bodyDimensionsMm":33,"pitchMm":37,"thermalResistanceThetaJA":38,"pins":39},"DIP-4",4,{"length":34,"width":35,"height":36},4.58,6.5,3.5,2.54,350,[40,46,50,54],{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":45},1,"A","passive","none","Anoda wejściowej diody elektroluminescencyjnej GaAs na podczerwień (IRED); podłączać do dodatniego sygnału sterującego przez szeregowy rezystor ograniczający prąd",{"pinNumber":47,"pinName":48,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":49},2,"K","Katoda wejściowej diody GaAs na podczerwień (IRED); zwierać do masy lub sterownika logicznego w celu włączenia prądu wejściowego",{"pinNumber":51,"pinName":52,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":53},3,"E","Zacisk emitera wyjściowego fototranzystora NPN; podłączać do izolowanej masy w układzie ze wspólnym emiterem lub do obciążenia w wtórniku emiterowym",{"pinNumber":32,"pinName":55,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":56},"C","Zacisk kolektora wyjściowego fototranzystora NPN; podciągać do izolowanej szyny zasilania przez zewnętrzny rezystor pull-up (wytrzymuje do 80V VCEO)",{"packageType":58,"pinCount":32,"bodyDimensionsMm":59,"pitchMm":37,"thermalResistanceThetaJA":38,"pins":60},"SMD-4",{"length":34,"width":35,"height":36},[61,62,63,64],{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":45},{"pinNumber":47,"pinName":48,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":49},{"pinNumber":51,"pinName":52,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":53},{"pinNumber":32,"pinName":55,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":44,"description":56},{"supplyVoltageMaxV":66,"inputVoltageMaxV":67,"outputCurrentMaxA":68,"powerDissipationMaxW":69,"operatingTempMinC":70,"operatingTempMaxC":71,"storageTempMinC":72,"storageTempMaxC":73},80,6,0.05,0.2,-30,100,-55,125,{"supplyVoltageMinV":51,"supplyVoltageTypV":75,"supplyVoltageMaxV":76,"ambientTempMinC":77,"ambientTempMaxC":78},5,35,-25,85,[80,86,91,95,101,107,114,121,126,132,137,144,149,154,160],{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":83,"minValue":83,"unit":84,"testCondition":85},"V_iso","Napięcie izolacji",5000,"Vrms","AC 1 min, 40-60% RH",{"symbol":87,"name":88,"typicalValue":66,"minValue":66,"unit":89,"testCondition":90},"V_CEO","Napięcie przebicia kolektor-emiter","V","IC = 0.1 mA, IF = 0",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":67,"minValue":67,"unit":89,"testCondition":94},"V_ECO","Napięcie przebicia emiter-kolektor","IE = 10 µA, IF = 0",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":98,"maxValue":99,"unit":100},"I_F","Ciągły prąd przewodzenia",20,50,"mA",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":104,"maxValue":105,"unit":89,"testCondition":106},"V_F","Napięcie przewodzenia",1.2,1.4,"IF = 20 mA",{"symbol":108,"name":109,"typicalValue":110,"maxValue":111,"unit":112,"testCondition":113},"I_R","Prąd wsteczny","—",10,"µA","VR = 4 V",{"symbol":115,"name":116,"typicalValue":117,"maxValue":118,"unit":119,"testCondition":120},"C_t","Pojemność zacisków",30,250,"pF","V = 0, f = 1 kHz",{"symbol":122,"name":123,"typicalValue":110,"maxValue":71,"unit":124,"testCondition":125},"I_CEO","Prąd ciemny kolektora","nA","VCE = 50 V, IF = 0",{"symbol":127,"name":128,"typicalValue":71,"minValue":99,"maxValue":129,"unit":130,"testCondition":131},"CTR","Współczynnik transferu prądu",600,"%","IF = 5 mA, VCE = 5 V",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":135,"maxValue":69,"unit":89,"testCondition":136},"V_CE(sat)","Napięcie nasycenia kolektor-emiter",0.1,"IF = 20 mA, IC = 1 mA",{"symbol":138,"name":139,"typicalValue":140,"minValue":141,"unit":142,"testCondition":143},"R_ISO","Rezystancja izolacji","1e11","5e10","Ω","DC 500 V, 40-60% RH",{"symbol":145,"name":146,"typicalValue":147,"maxValue":41,"unit":119,"testCondition":148},"C_f","Pojemność sprzężenia wejście-wyjście",0.6,"V = 0, f = 1 MHz",{"symbol":150,"name":151,"typicalValue":66,"unit":152,"testCondition":153},"f_c","Częstotliwość graniczna","kHz","VCE = 5 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω, -3 dB",{"symbol":155,"name":156,"typicalValue":32,"maxValue":157,"unit":158,"testCondition":159},"t_r","Czas narastania",18,"µs","VCE = 2 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω",{"symbol":161,"name":162,"typicalValue":51,"maxValue":157,"unit":158,"testCondition":159},"t_f","Czas opadania",[164,169,173,178],{"title":165,"severity":166,"description":167,"mitigationStrategy":168},"Degradacja współczynnika CTR podczas długotrwałej pracy i podwyższonej temperatury","warning","Współczynnik transferu prądu (CTR) diod podczerwieni GaAs ulega naturalnej degradacji w trakcie eksploatacji (zazwyczaj spadek o 10%..30% po kilku tysiącach godzin w podwyższonej temperaturze) i wykazuje ujemny współczynnik temperaturowy przy wysokiej temperaturze złącza.","Projektuj układy sterowania wejścia z 2- lub 3-krotnym marginesem przetężenia (np. wymuszając IF = 5..10 mA dla wymaganego prądu kolektora IC = 2 mA), aby zachować nasycenie fototranzystora przez cały cykl życia urządzenia.",{"title":170,"severity":166,"description":171,"mitigationStrategy":172},"Niska prędkość przełączania i opóźnienie wyłączania przy wysokich rezystancjach obciążenia","PC817 jest transoptorem ogólnego przeznaczenia o typowych czasach przełączania 3..18 µs; użycie wysokiego rezystora podciągającego (RL >= 10 kΩ) powoli ładuje pasożytniczą pojemność Millera, wydłużając czas wyłączania powyżej 50 µs i ograniczając transmisję cyfrową poniżej 10 kHz.","W przypadku transmisji cyfrowej powyżej 10 kHz lub sygnałów PWM należy obniżyć rezystor podciągający kolektora (1 kΩ..2.2 kΩ) przy większym prądzie diody LED lub zastosować szybkie transoptory logiczne, takie jak 6N137.",{"title":174,"severity":175,"description":176,"mitigationStrategy":177},"Limit napięcia wstecznego wejścia 6 V niszczy diodę IRED przy odwrotnej polaryzacji","critical","Wewnętrzna dioda nadawcza podczerwieni GaAs ma bezwzględne maksymalne napięcie wsteczne VR wynoszące zaledwie 6 V; impulsy odwrotnej polaryzacji na liniach sterujących lub przepięcia zmiennoprądowe prowadzą do przebicia i uszkodzenia złącza LED.","Umieść antyrównoległą diodę zabezpieczającą (np. 1N4148) bezpośrednio między wyprowadzeniami 1 i 2, aby ograniczyć ujemne szpilki napięcia, lub zastosuj szeregową diodę blokującą w obwodach przemysłowych 24 V.",{"title":179,"severity":180,"description":181,"mitigationStrategy":182},"Rozrzut grup współczynnika CTR według oznaczeń literowych (A, B, C, D)","info","Układy PC817 sortowane są według szerokich przedziałów CTR: A (80%..160%), B (130%..260%), C (200%..400%) oraz D (300%..600%). Zastosowanie wariantów niesortowanych lub z inną literą może powodować niedostateczne nasycenie wyjścia lub rozbieżności czasowe pomiędzy partiami produkcyjnymi.","Określ dokładny sufit grupy (np. PC817B lub PC817C) w zestawieniu materiałowym (BOM) i weryfikuj obliczenia obwodu w oparciu o dolną granicę gwarantowanego CTR danej grupy.",[184],{"title":185,"url":17,"type":186,"authority":187,"publisher":188,"documentNumber":189,"releaseDate":190},"Sharp PC817X Series DIP 4pin General Purpose Photocoupler Datasheet","datasheet","primary","Sharp Corporation","D2-A03101EN","2003-09-30",[192],{"title":193,"schematicSlug":194,"topology":195},"PC817: Schemat Izolacji Galwanicznej Logiki","pc817-optocoupler-isolated-logic-interface","Jednokierunkowy cyfrowy izolator logiczny zapewniający separację galwaniczną 5000 Vrms między wejściem obiektowym a mikrokontrolerem, z rezystorem wejściowym 390 Ω, diodą 1N4148 i podciąganiem 4.7 kΩ do izolowanej szyny +5 V.",[197,201,204,207,211],{"equivalentMpn":198,"manufacturer":23,"compatibilityType":199,"parameterDifferences":200},"EL817","pin_to_pin_drop_in","Bezpośredni 4-wyprowadzeniowy zamiennik pin-to-pin o izolacji 5000 Vrms i napięciu VCEO 80 V w porównywalnych grupach selekcyjnych CTR A, B, C, D.",{"equivalentMpn":202,"manufacturer":24,"compatibilityType":199,"parameterDifferences":203},"LTV-817","Bezpośredni 4-wyprowadzeniowy zamiennik pin-to-pin; sprawdź dopuszczalne napięcie VCEO (35 V w standardowej serii LTV-817, 80 V w wersjach LTV-817S\u002FM) pod kątem napięcia pracy układu.",{"equivalentMpn":205,"manufacturer":25,"compatibilityType":199,"parameterDifferences":206},"FOD817","Bezpośredni 4-wyprowadzeniowy zamiennik pin-to-pin o napięciu izolacji 5000 Vrms i dopuszczalnym napięciu VCEO 70 V.",{"equivalentMpn":208,"manufacturer":209,"compatibilityType":199,"parameterDifferences":210},"K1010","Cosmo Electronics","Bezpośredni 4-wyprowadzeniowy zamiennik pin-to-pin o napięciu izolacji 5000 Vrms i napięciu VCEO 80 V.",{"equivalentMpn":212,"manufacturer":213,"compatibilityType":214,"parameterDifferences":215},"4N35","Vishay","functional_requires_bom_change","Obudowa 6-wyprowadzeniowa DIP z wyprowadzoną bazą fototranzystora (pin 6); niższy CTR (typowo 100% przy 10 mA) oraz izolacja 3550 Vrms; wymaga modyfikacji mozaiki ścieżek PCB.",[],{"canonicalUrl":218,"metaTitle":219,"metaDescription":220,"primarySearchCluster":221,"structuredDataSchema":226},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Fpc817","Wyprowadzenia i parametry transoptora PC817","Wyprowadzenia transoptora Sharp PC817: izolacja 5000 Vrms, 80 V VCEO, grupy CTR A-D, obudowy DIP-4 i SMD-4 oraz sprawdzone parametry elektryczne.",[19,222,223,224,225],"transoptor PC817","pinout PC817","datasheet PC817","optoizolator DIP-4","TechArticle",null,[229,245,255,263],{"id":230,"slug":230,"mpn":231,"primaryCategory":20,"manufacturers":232,"shortDescription":234,"packages":235,"packageTypes":239,"voltage":240,"recommendedOperating":244},"ch340g","CH340G",[233],"WCH (Jiangsu Qinheng)","Mostek USB–UART w obudowie SOP-16 z sygnałami modemowymi i zewnętrznym kwarcem 12 MHz, popularny na tanich płytkach zgodnych z Arduino i z ESP8266.",[236],{"packageType":237,"pinCount":238},"SOP-16",16,[237],{"context":241,"min":242,"max":243,"typical":75},"supply",2.9,5.3,{"supplyVoltageMinV":242,"supplyVoltageTypV":75,"supplyVoltageMaxV":243},{"id":246,"slug":246,"mpn":247,"primaryCategory":248,"manufacturers":249,"shortDescription":250,"packages":251,"packageTypes":254,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[25],"Krzemowy tranzystor bipolarny NPN małosygnałowy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 z wyprowadzeniami E-B-C oraz wartościami maksymalnymi 40V VCEO i 200mA IC.",[252],{"packageType":253,"pinCount":51},"TO-92",[253],{"id":256,"slug":256,"mpn":257,"primaryCategory":248,"manufacturers":258,"shortDescription":259,"packages":260,"packageTypes":262,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[25],"Krzemowy tranzystor bipolarny PNP małej mocy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 o wyprowadzeniach E-B-C i wartościach granicznych 40V VCEO oraz 200mA IC.",[261],{"packageType":253,"pinCount":51},[253],{"id":264,"slug":264,"mpn":265,"primaryCategory":266,"manufacturers":267,"shortDescription":268,"packages":269,"packageTypes":271,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[25],"MOSFET z kanałem N onsemi 2N7000 w TO-92 (CASE 135AN), wyprowadzenia S-G-D; absolutne granice VDSS 60 V i ciągłego ID 200 mA przy TC = 25°C.",[270],{"packageType":253,"pinCount":51},[253],{},1793836426485]