[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:irlz44n:pl":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":179,"related":180,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":139,"datasheetUrl":17,"documentationSources":154,"applicationCircuits":162,"equivalents":167,"mountedOnBoards":168,"seo":169},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.infineon.com\u002Fassets\u002Frow\u002Fpublic\u002Fdocuments\u002F24\u002F49\u002Finfineon-irlz44npbf-datasheet-en.pdf","irlz44n","IRLZ44NPbF","power_mosfet",[22],"Infineon Technologies","active","MOSFET mocy Infineon IRLZ44NPbF z kanałem N, sterowany poziomem logicznym, w TO-220AB z wyprowadzeniami G-D-S i wkładką połączoną z drenem; rezystancję włączenia określono w oddzielnych testach sterowania bramki napięciem 4 V, 5 V i 10 V.","Infineon IRLZ44NPbF jest MOSFET-em mocy HEXFET z kanałem N, sterowanym poziomem logicznym, opisanym w nocie katalogowej rew. 2.1, 2026-08-12. Obudowa przewlekana TO-220AB (PG-TO220-3-U05) ma bramkę, dren i źródło na wyprowadzeniach 1, 2 i 3, a wkładka montażowa jest połączona z drenem. Napięcie przebicia dren–źródło V(BR)DSS wynosi co najmniej 55 V przy VGS = 0 V, ID = 250 µA i TJ = 25°C. Bezwzględne graniczne ciągłe prądy drenu wynoszą 47 A przy TC = 25°C i 33 A przy TC = 100°C, oba przy VGS = 10 V; bezwzględna maksymalna moc strat 110 W również wymaga TC = 25°C. Te wartości graniczne przy określonej temperaturze obudowy nie gwarantują temperatury otoczenia, prądu płytki ani obciążenia sterowanego z GPIO. Bezwzględny zakres TJ = −55 do +175°C dotyczy złącza, nie otoczenia; podane rezystancje termiczne 1.4°C\u002FW złącze–obudowa i 62°C\u002FW złącze–otoczenie są maksymalne. Próg bramki VGS(th) = 1.0–2.0 V bada się przy ID = 250 µA i VDS = VGS (TJ = 25°C); nie określa on przewodzenia użytecznego prądu obciążenia ani progu przełączania wejścia cyfrowego. Osobno maksymalna RDS(on) wynosi 22 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 25 A, 25 mΩ przy VGS = 5 V i ID = 25 A oraz 35 mΩ przy VGS = 4 V i ID = 21 A, wszystkie przy TJ = 25°C, szerokości impulsu ≤300 µs i współczynniku wypełnienia ≤2%. Oceniając zastosowanie jako klucz, korzystaj z tabel z warunkami testów oraz rzeczywistego projektu cieplnego i sterowania bramką.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"pitchMm":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-220AB",3,2.54,62,1.4,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"G","passive",false,"none","Wyprowadzenie bramki; napięcia odnosi się do źródła. VGS(th) = 1.0–2.0 V przy ID = 250 µA, VDS = VGS i TJ = 25°C jest testem progu, nie gwarancją sterowania użytecznym obciążeniem ani cyfrowym progiem logicznym. Bezwzględna granica VGS: ±16 V.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"D","Wyprowadzenie drenu (połączone wewnętrznie z metalową wkładką radiatorową obudowy TO-220)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"S","Wyprowadzenie źródła i punkt odniesienia VGS; połączone z masą tylko w odpowiedniej topologii klucza dolnego, nie jest z natury wyprowadzeniem masy.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,175,[52,59,65,70,75,81,86,91,95,100,106,110,114,120,124,128,134],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)DSS","Napięcie przebicia dren-źródło","—",55,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":63,"testCondition":64},"ID_25C","Ciągły prąd drenu przy 25°C",47,"A","Bezwzględny maksymalny ciągły prąd drenu, VGS = 10 V, TC = 25°C (s. 1); temperatura obudowy, nie otoczenia ani zdolność prądowa płytki.",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":55,"maxValue":68,"unit":63,"testCondition":69},"ID_100C","Ciągły prąd drenu przy 100°C",33,"Bezwzględny maksymalny ciągły prąd drenu, VGS = 10 V, TC = 100°C (s. 1); temperatura obudowy, nie otoczenia ani zdolność prądowa płytki.",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":55,"maxValue":73,"unit":63,"testCondition":74},"IDM","Pulsacyjny prąd drenu",160,"Bezwzględny maksymalny powtarzalny impulsowy prąd drenu; szerokość impulsu ograniczona maksymalną temperaturą złącza (uwaga 1, s. 2; zob. rys. 11). Nie jest to dozwolony prąd ciągły.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":78,"unit":79,"testCondition":80},"RDS_ON_10V","Rezystancja włączenia RDS(on) przy 10V",0.022,"Ω","VGS = 10 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2%)",{"symbol":82,"name":83,"typicalValue":55,"maxValue":84,"unit":79,"testCondition":85},"RDS_ON_5V","Rezystancja włączenia RDS(on) przy 5V",0.025,"VGS = 5.0 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2%)",{"symbol":87,"name":88,"typicalValue":55,"maxValue":89,"unit":79,"testCondition":90},"RDS_ON_4V","Rezystancja włączenia RDS(on) przy 4V",0.035,"VGS = 4.0 V, ID = 21 A, TJ = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":55,"minValue":35,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":94},"VGS_TH","Napięcie progowe bramki","VDS = VGS, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"minValue":98,"unit":46,"testCondition":99},"gfs","Transkonduktancja przewodzenia",21,"VDS = 25 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"maxValue":103,"unit":104,"testCondition":105},"Qg","Całkowity ładunek bramki",48,"nC","ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; szerokość impulsu ≤300 µs, współczynnik wypełnienia ≤2% (uwaga 4, s. 2; rys. 6 i 13).",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":55,"maxValue":109,"unit":104,"testCondition":105},"Qgs","Ładunek bramka-źródło",8.6,{"symbol":111,"name":112,"typicalValue":55,"maxValue":113,"unit":104,"testCondition":105},"Qgd","Ładunek bramka-dren (Millera)",25,{"symbol":115,"name":116,"typicalValue":117,"unit":118,"testCondition":119},"Ciss","Pojemność wejściowa",1700,"pF","VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":123,"unit":118,"testCondition":119},"Coss","Pojemność wyjściowa",400,{"symbol":125,"name":126,"typicalValue":127,"unit":118,"testCondition":119},"Crss","Pojemność sprzężenia zwrotnego",150,{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":131,"unit":132,"testCondition":133},"PD","Bezwzględna maksymalna moc strat",110,"W","TC = 25°C, bezwzględna wartość maksymalna (s. 1); temperatura obudowy, nie otoczenia. Współczynnik liniowego obniżania: 0.71 W\u002F°C.",{"symbol":135,"name":136,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":137,"testCondition":138},"TJ","Zakres temperatury złącza","°C","Temperatura złącza podczas pracy, bezwzględne wartości graniczne (s. 1); nie jest to zakres temperatury otoczenia podczas pracy.",[140,145,149],{"title":141,"severity":142,"description":143,"mitigationStrategy":144},"Bezwzględna granica napięcia bramka–źródło: ±16 V","critical","Bezwzględne graniczne napięcie bramka–źródło IRLZ44NPbF wynosi VGS = ±16 V (s. 1). Jest to granica obciążenia, nie gwarantowany fizyczny próg przebicia bramki. Stany przejściowe przełączania, sprzężenie przez pojemność bramka–dren i oscylacje mogą zmieniać VGS względem węzła źródła; oceń dodatnie i ujemne odchylenia w rzeczywistym układzie. Przekroczenie wartości granicznej może uszkodzić element.","Oceń napięcie sterowania bramką i ochronę przed stanami przejściowymi względem źródła, z uwzględnieniem obu polaryzacji i tolerancji ogranicznika, tak aby rzeczywiste VGS pozostawało w granicach bezwzględnych. Jeżeli użyto ogranicznika bramka–źródło, sprawdź jego napięcie, zdolność impulsową i wpływ na normalne sterowanie; umieść ochronę i ścieżkę powrotną bramki blisko elementu. Nie zakładaj, że zaszumiona szyna zasilania jest odpowiednim wyjściem sterownika bramki.",{"title":146,"severity":142,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Ładunek bramki i straty dynamiczne przy bezpośrednim sterowaniu z mikrokontrolera","Maksymalne RDS(on) wynoszą 22 mΩ przy VGS = 10 V \u002F ID = 25 A, 25 mΩ przy VGS = 5 V \u002F ID = 25 A oraz 35 mΩ przy VGS = 4 V \u002F ID = 21 A, wszystkie przy TJ = 25°C, szerokości impulsu ≤300 µs i współczynniku wypełnienia ≤2% (s. 2, uwaga 4). Są to testy w określonych warunkach, a nie obietnica pełnego przewodzenia dla każdego obciążenia lub stanu cieplnego. Nota nie podaje granicy RDS(on) dla sterowania bramką 3.3 V. Całkowity ładunek bramki Qg wynosi maksymalnie 48 nC przy ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V i TJ = 25°C, przy tych samych warunkach impulsowych z uwagi 4. Ciss = 1700 pF jest wartością typową przy VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz i TJ = 25°C, nie stałą ani maksymalną pojemnością wejściową. Rzeczywista zdolność sterownika do dostarczania i odbierania prądu oraz jego impedancja wyjściowa wpływają na czasy przejść bramki i straty przełączania; z noty tego MOSFET-a nie wynika uniwersalna wydajność prądowa GPIO.","Oceń rzeczywiste napięcie wyjściowe sterownika względem źródła, zdolność ładowania i rozładowywania, częstotliwość przełączania i warunki cieplne względem odpowiednich testów rezystancji i ładunku. Samo osiągnięcie 4 V lub 5 V nie gwarantuje określonego prądu obciążenia ani akceptowalnych strat. W razie potrzeby rozważ sterownik bramki lub bufor zdolny do dostarczania i odbierania niezbędnych prądów szczytowych, a następnie zweryfikuj czasy przejść i straty przełączania w uzyskanym układzie.",{"title":150,"severity":151,"description":152,"mitigationStrategy":153},"Wkładka radiatorowa połączona elektrycznie z drenem","warning","W obudowie TO-220AB metalowa wkładka jest połączona elektrycznie z pinem 2 (dren). W układzie klucza dolnego dren przełącza się między masą a napięciem zasilania obciążenia. Przykręcenie wkładki bezpośrednio do uziemionego radiatora lub obudowy bez izolacji elektrycznej omija tranzystor, zwierając powrót obciążenia na stałe do masy i wywołując jego niekontrolowane załączenie.","Przy montażu tranzystora do uziemionego radiatora lub metalowej obudowy zawsze stosuj podkładkę termoprzewodzącą i elektrycznie izolującą oraz podkładkę i tulejkę izolacyjną na śrubę montażową.",[155],{"title":156,"url":17,"type":157,"authority":158,"publisher":22,"revision":159,"releaseDate":160,"language":161},"IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet","datasheet","primary","Rev. 2.1","2026-08-12","EN",[163],{"title":164,"schematicSlug":165,"topology":166},"Klucz DC dolnego stopnia z tranzystorem MOSFET poziomu logicznego IRLZ44N","irlz44n-logic-level-low-side-switch","Układ klucza mocy z tranzystorem N-MOSFET poziomu logicznego po stronie masy z rezystorem bramkowym 100 Ω, rezystorem pull-down 10 kΩ, diodą gaszącą przepięcia indukcyjne i odsprzęganiem zasilania 12V\u002F24V sterowany z mikrokontrolera.",[],[],{"canonicalUrl":170,"metaTitle":171,"metaDescription":172,"primarySearchCluster":173,"structuredDataSchema":178},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Firlz44n","IRLZ44N Logic-Level MOSFET mocy: wyprowadzenia, parametry i nota | CircuitBase","Nota katalogowa Infineon IRLZ44NPbF i wyprowadzenia G-D-S TO-220AB: rezystancja włączenia w określonych warunkach, ładunek bramki, graniczne napięcie bramka–źródło ±16 V i parametry cieplne obudowy\u002Fzłącza.",[174,175,176,177],"irlz44n wyprowadzenia","irlz44n nota katalogowa","irlz44n mosfet logic level","irlz44n to-220","Product",null,[181,191,200,211],{"id":182,"slug":182,"mpn":183,"primaryCategory":20,"manufacturers":184,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[185],"onsemi","MOSFET z kanałem N onsemi 2N7000 w TO-92 (CASE 135AN), wyprowadzenia S-G-D; absolutne granice VDSS 60 V i ciągłego ID 200 mA przy TC = 25°C.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"TO-92",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":195,"packages":196,"packageTypes":199,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[185],"onsemi BSS138: tranzystor MOSFET z kanałem N w obudowie SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; graniczne napięcie VDSS 50 V i ciągły prąd ID 220 mA przy TA = 25°C.",[197],{"packageType":198,"pinCount":29},"SOT-23",[198],{"id":201,"slug":201,"mpn":202,"primaryCategory":203,"manufacturers":204,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":210,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[205],"Vishay","Prostownik Vishay 1N4007 DO-41: maksymalne VRRM 1000 V i IF(AV) 1 A przy TA = 75°C, wyprowadzeniach o długości 9.5 mm i obciążeniu rezystancyjnym lub indukcyjnym 60 Hz.",[208],{"packageType":209,"pinCount":42},"DO-41",[209],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":203,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[205],"Osiowa dioda przełączająca Vishay 1N4148 w DO-35. Czarny pasek katody, granica ciągłego napięcia wstecznego 75 V i maksymalny czas odzyskiwania zdolności zaporowej 4 ns w określonych warunkach pomiaru.",[217],{"packageType":218,"pinCount":42},"DO-35",[218],{},1793836422540]