[{"data":1,"prerenderedAt":35},["ShallowReactive",2],{"components:category:power_mosfet:pl":3},[4,16,25],{"id":5,"slug":5,"mpn":6,"primaryCategory":7,"manufacturers":8,"shortDescription":10,"packages":11,"packageTypes":15,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[9],"onsemi","MOSFET z kanałem N onsemi 2N7000 w TO-92 (CASE 135AN), wyprowadzenia S-G-D; absolutne granice VDSS 60 V i ciągłego ID 200 mA przy TC = 25°C.",[12],{"packageType":13,"pinCount":14},"TO-92",3,[13],{"id":17,"slug":17,"mpn":18,"primaryCategory":7,"manufacturers":19,"shortDescription":20,"packages":21,"packageTypes":24,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[9],"onsemi BSS138: tranzystor MOSFET z kanałem N w obudowie SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; graniczne napięcie VDSS 50 V i ciągły prąd ID 220 mA przy TA = 25°C.",[22],{"packageType":23,"pinCount":14},"SOT-23",[23],{"id":26,"slug":26,"mpn":27,"primaryCategory":7,"manufacturers":28,"shortDescription":30,"packages":31,"packageTypes":34,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[29],"Infineon Technologies","MOSFET mocy Infineon IRLZ44NPbF z kanałem N, sterowany poziomem logicznym, w TO-220AB z wyprowadzeniami G-D-S i wkładką połączoną z drenem; rezystancję włączenia określono w oddzielnych testach sterowania bramki napięciem 4 V, 5 V i 10 V.",[32],{"packageType":33,"pinCount":14},"TO-220AB",[33],1793836428012]