[{"data":1,"prerenderedAt":236},["ShallowReactive",2],{"component:bss138:pl":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":197,"related":198,"equivalentSlugs":235},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":46,"parametricAttributes":49,"gotchas":152,"datasheetUrl":17,"documentationSources":171,"applicationCircuits":180,"equivalents":185,"mountedOnBoards":186,"seo":187},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-11-03",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Gemini (independent documentary review against onsemi BSS138\u002FD Rev. 7; verified pinout, SOT-23 package, absolute maximums, electrical parametric limits, gotchas, six-locale localization sidecars, and catalog release validation; owner publication GO, no physical bench signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fdownload\u002Fdata-sheet\u002Fpdf\u002Fbss138-d.pdf","bss138","BSS138","power_mosfet",[22],"onsemi","active","onsemi BSS138: tranzystor MOSFET z kanałem N w obudowie SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; graniczne napięcie VDSS 50 V i ciągły prąd ID 220 mA przy TA = 25°C.","BSS138 to standardowy tranzystor polowy MOSFET z kanałem wzbogacanym typu N o sterowaniu logicznym, przeznaczony do układów małosygnałowych, produkowany przez onsemi (dokumentacja BSS138\u002FD, Rev. 7, kwiecień 2024 r.). Umieszczony w obudowie do montażu powierzchniowego SOT-23 (TO-236AB \u002F CASE 318-08), komponent posiada wyprowadzenia G-S-D: pin 1 bramka (G), pin 2 źródło (S) oraz pin 3 dren (D). Dopuszczalne wartości graniczne przy TA = 25°C określają maksymalne napięcie przebicia dren-źródło VDSS równe 50V, stałe napięcie dren-bramka VDGR równe 50V (RGS \u003C= 1 MΩ), stałe napięcie bramka-źródło VGSS na poziomie ±20V (szczytowe niepowtarzalne ±40V dla tp \u003C 50 µs), stały prąd drenu ID równy 220mA, prąd impulsowy IDM wynoszący 880mA oraz całkowitą moc strat PD równą 360mW (współczynnik obniżenia 2.8 mW\u002F°C powyżej 25°C; rezystancja termiczna złącze-otoczenie RthetaJA = 350°C\u002FW na minimalnym polu lutowniczym). Parametry elektryczne gwarantują minimalne napięcie przebicia dren-źródło BVDSS = 50V przy VGS = 0V, ID = 250 µA. Napięcie progowe bramki VGS(th) mieści się w przedziale od 0.8V min., 1.3V typ. do 1.5V maks. przy VDS = VGS, ID = 1.0 mA, wyznaczając początek przewodzenia kanału. Rezystancja włączenia RDS(on) wynosi gwarantowane 1.4 Ω typ., 3.5 Ω maks. przy VGS = 10V, ID = 0.22 A oraz 1.9 Ω typ., 6.0 Ω maks. przy VGS = 4.5V, ID = 0.22 A. Czasy przełączania są bardzo krótkie: opóźnienie włączenia td(on) = 2.5 ns typ. (20 ns maks.), czas narastania tr = 9 ns typ. (20 ns maks.), opóźnienie wyłączenia td(off) = 20 ns typ. (50 ns maks.) i czas opadania tf = 7 ns typ. (20 ns maks.) przy VDD = 30V, ID = 0.22 A, VGS = 10V oraz RGEN = 50 Ω. Pojemność wejściowa Ciss wynosi 27 pF typ. (50 pF maks.) przy VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0 MHz. Wbudowana dioda podłożowa charakteryzuje się maksymalnym ciągłym prądem przewodzenia IS = 0.22 A oraz napięciem przewodzenia VSD równym 0.8V typ., 1.4V maks. przy VGS = 0V, IS = 0.22 A.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"SOT-23",3,350,[32,39,43],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"G","passive",false,"none","Wyprowadzenie bramki (Gate, pin 1, lewy dolny styk obudowy SOT-23 \u002F CASE 318-08; wejście o wysokiej impedancji, dopuszczalne napięcie VGSS ±20V stałe, ±40V w impulsie tp \u003C 50 µs)",{"pinNumber":40,"pinName":41,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":42},2,"S","Wyprowadzenie źródła (Source, pin 2, prawy dolny styk obudowy SOT-23 \u002F CASE 318-08; wspólny punkt odniesienia dla potencjałów bramki i drenu)",{"pinNumber":29,"pinName":44,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":45},"D","Wyprowadzenie drenu (Drain, pin 3, górny środkowy styk obudowy SOT-23 \u002F CASE 318-08; limit absolutny VDSS 50V, ciągły prąd ID 220 mA przy TA = 25°C)",{"storageTempMinC":47,"storageTempMaxC":48},-55,150,[50,57,64,70,76,83,89,95,101,106,111,118,122,125,129,133,138,142,148],{"symbol":51,"name":52,"typicalValue":53,"minValue":54,"unit":55,"testCondition":56},"BVDSS","Napięcie przebicia dren-źródło","—",50,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":58,"name":59,"typicalValue":60,"minValue":61,"maxValue":62,"unit":55,"testCondition":63},"VGS_th","Napięcie progowe bramka-źródło",1.3,0.8,1.5,"VDS = VGS, ID = 1.0 mA, TJ = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":53,"maxValue":67,"unit":68,"testCondition":69},"IDSS","Prąd zerowy drenu przy zerowym napięciu bramki",0.5,"µA","VDS = 50 V, VGS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":53,"maxValue":73,"unit":74,"testCondition":75},"IGSS","Prąd upływu bramka-podłoże",100,"nA","VGS = ±20 V, VDS = 0 V, TJ = 25°C",{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":79,"maxValue":80,"unit":81,"testCondition":82},"RDS_on_10V","Rezystancja włączenia dren-źródło przy 10V",1.4,3.5,"Ω","VGS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":84,"name":85,"typicalValue":86,"maxValue":87,"unit":81,"testCondition":88},"RDS_on_4_5V","Rezystancja włączenia dren-źródło przy 4.5V",1.9,6,"VGS = 4.5 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":30,"minValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"gFS","Transkonduktancja przewodzenia",170,"mS","VDS = 10 V, ID = 0.22 A, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":98,"maxValue":54,"unit":99,"testCondition":100},"Ciss","Pojemność wejściowa",27,"pF","VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":104,"maxValue":105,"unit":99,"testCondition":100},"Coss","Pojemność wyjściowa",11,25,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":109,"maxValue":110,"unit":99,"testCondition":100},"Crss","Pojemność sprzężenia zwrotnego",4,8,{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":114,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"td_on","Czas opóźnienia włączenia",2.5,20,"ns","Warunki pomiaru: VDD = 30 V, ID = 0.22 A, VGS = 10 V, RGEN = 50 Ω, TJ = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":121,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tr","Czas narastania",9,{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":115,"maxValue":54,"unit":116,"testCondition":117},"td_off","Czas opóźnienia wyłączenia",{"symbol":126,"name":127,"typicalValue":128,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"tf","Czas opadania",7,{"symbol":130,"name":131,"typicalValue":53,"maxValue":54,"unit":55,"testCondition":132},"VDSS","Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-źródło","TA = 25°C",{"symbol":134,"name":135,"typicalValue":53,"maxValue":136,"unit":137,"testCondition":132},"ID_cont","Maksymalny ciągły prąd drenu",220,"mA",{"symbol":139,"name":140,"typicalValue":53,"maxValue":141,"unit":137,"testCondition":132},"IDM","Maksymalny impulsowy prąd drenu",880,{"symbol":143,"name":144,"typicalValue":53,"maxValue":145,"unit":146,"testCondition":147},"PD","Maksymalna całkowita moc strat",360,"mW","TA = 25°C; spadek mocy 2.8 mW\u002F°C powyżej 25°C",{"symbol":149,"name":150,"typicalValue":61,"maxValue":79,"unit":55,"testCondition":151},"VSD","Napięcie przewodzenia diody podłożowej","VGS = 0 V, IS = 0.22 A, TJ = 25°C",[153,158,162,167],{"title":154,"severity":155,"description":156,"mitigationStrategy":157},"Orientacja źródła i drenu w układach dwukierunkowych konwerterów poziomów I2C","critical","W klasycznych układach dwukierunkowych translatorów poziomów logicznych I2C (NXP AN10441) źródło MOSFET musi być podłączone do szyny o niższym napięciu zasilania (np. 3.3V) z bramką dołączoną do tego samego zasilania 3.3V, podczas gdy dren skierowany jest w stronę szyny o wyższym napięciu (np. 5V). Ponieważ tranzystor zawiera pasożytniczą diodę podłożową skierowaną od źródła do drenu, zamiana miejscami źródła i drenu spowoduje podłączenie anody do szyny 5V, a katody do 3.3V. Prowadzi to do trwałego spolaryzowania diody w kierunku przewodzenia przy niższym napięciu po stronie 3.3V, wywołując niekontrolowany przepływ prądu z szyny 5V do 3.3V i zwierając szynę wysokonapięciową do stanu niskiego.","Układaj tranzystor BSS138 bezwzględnie tak, aby Źródło (Source, pin 2) znajdowało się po stronie niższego napięcia (VCC_low), a Dren (Drain, pin 3) po stronie wyższego napięcia (VCC_high). Bramka (Gate, pin 1) łączy się bezpośrednio z VCC_low. Zastosuj zewnętrzne rezystory podciągające po obu stronach szyny, aby ustalić poprawny stan wysoki w spoczynku.",{"title":159,"severity":155,"description":160,"mitigationStrategy":161},"Rezystancja włączenia małosygnałowego (RDS(on) do 6.0 Ω) uniemożliwia sterowanie mocą","Tranzystor BSS138 został zaprojektowany z myślą o szybkiej translacji poziomów sygnałów cyfrowych, a nie o załączaniu obciążeń prądowych. Karta katalogowa BSS138\u002FD określa rezystancję włączenia do 3.5 Ω przy VGS = 10V oraz do 6.0 Ω przy VGS = 4.5V (dla ID = 0.22 A). Przepływ prądu 150 mA przez kanał o rezystancji 6.0 Ω powoduje spadek napięcia 0.9V na tranzystorze i wydzielanie 135 mW mocy cieplnej. W niewielkiej obudowie SOT-23 o rezystancji termicznej RthetaJA = 350°C\u002FW na minimalnym polu lutowniczym podnosi to temperaturę struktury o ponad 47°C ponad temperaturę otoczenia, wywołując przeciążenie termiczne.","Ogranicz zastosowanie BSS138 do sygnałów logicznych małej mocy, linii komunikacyjnych i obwodów podciągających (ID \u003C 50 mA). Do sterowania mocą, silnikami lub przekaźnikami o prądzie powyżej 100 mA dobierz tranzystor o niskim RDS(on), taki jak IRLZ44N, 2N7000 lub nowoczesny polowy tranzystor TrenchFET.",{"title":163,"severity":164,"description":165,"mitigationStrategy":166},"Sterowanie z układów poniżej 3.3V i brak gwarantowanego niskonapięciowego wysterowania bramki","warning","Chociaż napięcie progowe bramki VGS(th) mieści się w zakresie od 0.8V do 1.5V (przy ID = 1.0 mA), wartość ta oznacza jedynie początek przewodzenia kanału. Dokumentacja onsemi dla BSS138 podaje gwarantowane parametry RDS(on) wyłącznie dla VGS = 10V (\u003C= 3.5 Ω) oraz VGS = 4.5V (\u003C= 6.0 Ω); producent nie gwarantuje rezystancji kanału przy napięciach sterujących 1.8V, 2.5V ani 3.3V. Przy translacji poziomów między domenami 1.8V i 3.3V napięcie nadmiarowe bramki (VGS - VGS(th)) dla niekorzystnych egzemplarzy może wynosić zaledwie 0.3V, co skutkuje znacznie wyższą rezystancją kanału i wydłużeniem czasów narastania sygnałów na magistrali I2C.","W domenach logicznych 1.8V lub 2.5V uwzględniaj wyższą efektywną rezystancję kanału (~15–30 Ω) przy wyliczaniu stałej czasowej RC. Jeżeli czasy narastania przekraczają limity standardu I2C Fast-mode (400 kHz), zmniejsz wartości rezystorów podciągających lub zastosuj dedykowane translatory (np. PCA9306 lub TXS0102).",{"title":168,"severity":164,"description":169,"mitigationStrategy":170},"Pasożytnicze przewodzenie diody podłożowej przy ujemnych oscylacjach lub kolejności zasilania","Wbudowana dioda podłożowa między źródłem (anoda) a drenem (katoda) posiada napięcie przewodzenia równe 0.8V typ., 1.4V maks. Jeżeli na liniach sygnałowych wystąpią ujemne szpilki indukcyjne poniżej potencjału masy lub gdy zasilanie szyny wyższego napięcia zostanie odłączone przy aktywnej szynie niższej, prąd zacznie pasożytniczo płynąć przez diodę. W stanach wyłączenia, gdy szyna 5V zostanie zwarta do masy, podciągnięcie linii 3.3V do stanu wysokiego może spowodować prąd zwrotny do szyny 5V przez rezystor i kanał tranzystora.","Kontroluj sekwencję załączania zasilania w systemach wielonapięciowych. Zadbaj o bezpieczne rozładowywanie kondensatorów filtrujących i unikaj podawania sygnałów na piny niezasilonych układów scalonych. Przy sterowaniu liniami długimi lub obciążeniami indukcyjnymi stosuj diody zabezpieczające Schottky'ego do tłumienia oscylacji.",[172],{"title":173,"url":17,"type":174,"authority":175,"publisher":22,"documentNumber":176,"revision":177,"releaseDate":178,"language":179},"BSS138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor","datasheet","primary","BSS138\u002FD","Rev. 7","2024-04","EN",[181],{"title":182,"schematicSlug":183,"topology":184},"Dwukierunkowy konwerter poziomów logicznych I2C 3.3V na 5V na BSS138","bss138-bidirectional-i2c-level-shifter","Dwukierunkowy translator poziomów napięć na tranzystorze MOSFET z kanałem N z bramką podłączoną do 3.3V, źródłem na magistrali 3.3V i dyskretnymi rezystorami podciągającymi.",[],[],{"canonicalUrl":188,"metaTitle":189,"metaDescription":190,"primarySearchCluster":191,"structuredDataSchema":196},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Fbss138","BSS138 Tranzystor MOSFET N-CH: Pinout | CircuitBase","Wyprowadzenia onsemi BSS138 SOT-23 MOSFET N-CH (G-S-D), limity 50V VDSS i 220mA ID, zasady dwukierunkowej konwersji poziomów I2C oraz rezystancja RDS(on) w nocie.",[192,193,194,195],"bss138 wyprowadzenia","bss138 nota katalogowa","bss138 sot-23","bss138 konwerter poziomow logicznych","Product",null,[199,208,218,227],{"id":200,"slug":200,"mpn":201,"primaryCategory":20,"manufacturers":202,"shortDescription":203,"packages":204,"packageTypes":207,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[22],"MOSFET z kanałem N onsemi 2N7000 w TO-92 (CASE 135AN), wyprowadzenia S-G-D; absolutne granice VDSS 60 V i ciągłego ID 200 mA przy TC = 25°C.",[205],{"packageType":206,"pinCount":29},"TO-92",[206],{"id":209,"slug":209,"mpn":210,"primaryCategory":20,"manufacturers":211,"shortDescription":213,"packages":214,"packageTypes":217,"voltage":-1},"irlz44n","IRLZ44NPbF",[212],"Infineon Technologies","MOSFET mocy Infineon IRLZ44NPbF z kanałem N, sterowany poziomem logicznym, w TO-220AB z wyprowadzeniami G-D-S i wkładką połączoną z drenem; rezystancję włączenia określono w oddzielnych testach sterowania bramki napięciem 4 V, 5 V i 10 V.",[215],{"packageType":216,"pinCount":29},"TO-220AB",[216],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":221,"manufacturers":222,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":226,"voltage":-1},"2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"Krzemowy tranzystor bipolarny NPN małosygnałowy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 z wyprowadzeniami E-B-C oraz wartościami maksymalnymi 40V VCEO i 200mA IC.",[225],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{"id":228,"slug":228,"mpn":229,"primaryCategory":221,"manufacturers":230,"shortDescription":231,"packages":232,"packageTypes":234,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Krzemowy tranzystor bipolarny PNP małej mocy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 o wyprowadzeniach E-B-C i wartościach granicznych 40V VCEO oraz 200mA IC.",[233],{"packageType":206,"pinCount":29},[206],{},1793836422054]