[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3904:pl":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":52,"gotchas":141,"datasheetUrl":17,"documentationSources":156,"applicationCircuits":165,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3903-d.pdf","2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Krzemowy tranzystor bipolarny NPN małosygnałowy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 z wyprowadzeniami E-B-C oraz wartościami maksymalnymi 40V VCEO i 200mA IC.","onsemi 2N3904 jest małosygnałowym krzemowym tranzystorem bipolarnym NPN w obudowie przewlekanej TO-92 (Case 29, Style 1), z wyprowadzeniami 1–2–3 odpowiadającymi emiterowi–bazie–kolektorowi. Nota katalogowa (2N3903\u002FD, sierpień 2021, rew. 9) podaje bezwzględne wartości maksymalne VCEO = 40 V, ciągły IC = 200 mA oraz PD = 625 mW przy TA = 25°C, z obniżaniem o 5.0 mW\u002F°C powyżej 25°C. Te graniczne wartości nie oznaczają bezwarunkowych możliwości pracy i muszą być przestrzegane wraz z temperaturą złącza i rzeczywistymi warunkami cieplnymi. TJ = −55 do +150°C jest zakresem temperatury złącza, nie otoczenia. Podane rezystancje termiczne, 200°C\u002FW złącze–otoczenie i 83.3°C\u002FW złącze–obudowa, są wartościami maksymalnymi. Osobno mierzone napięcie przebicia V(BR)CEO ma minimum 40 V przy IC = 1.0 mA i IB = 0. Przy TA = 25°C hFE określono jako 100–300 przy IC = 10 mA i VCE = 1.0 V, a VCE(sat) jako nie więcej niż 0.2 V przy IC = 10 mA i IB = 1.0 mA; te pozycje dotyczące przebicia, wzmocnienia i nasycenia podlegają właściwym warunkom testu impulsowego: szerokość impulsu ≤300 µs i współczynnik wypełnienia ≤2%. Iloczyn wzmocnienia prądowego i pasma fT wynosi co najmniej 300 MHz przy IC = 10 mA, VCE = 20 V i częstotliwości pomiarowej f = 100 MHz (TA = 25°C). Należy sprawdzać warunki w tabeli parametrów zamiast traktować granice wzmocnienia i nasycenia jako niezależne od prądu, temperatury lub sterowania bazą.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Wyprowadzenie emitera (pin 1, lewe wyprowadzenie przy płaskiej ściance z przodu i wyprowadzeniach skierowanych w dół)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Wyprowadzenie sterujące bazy (pin 2, środkowe wyprowadzenie; wymaga zewnętrznego rezystora ograniczającego prąd bazy)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Wyprowadzenie kolektora (pin 3, prawe wyprowadzenie przy płaskiej ściance z przodu i wyprowadzeniach skierowanych w dół)",{"powerDissipationMaxW":49,"storageTempMinC":50,"storageTempMaxC":51},0.625,-55,150,[53,60,65,70,75,82,87,91,96,101,106,111,117,122,128,132,136],{"symbol":54,"name":55,"typicalValue":56,"minValue":57,"unit":58,"testCondition":59},"V(BR)CEO","Napięcie przebicia kolektor-emiter","—",40,"V","IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2.0%)",{"symbol":61,"name":62,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":58,"testCondition":64},"V(BR)CBO","Napięcie przebicia kolektor-baza",60,"IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":56,"minValue":68,"unit":58,"testCondition":69},"V(BR)EBO","Napięcie przebicia emiter-baza",6,"IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":56,"maxValue":30,"unit":73,"testCondition":74},"IC","Ciągły prąd kolektora","mA","Bezwzględny maksymalny ciągły prąd kolektora (wartości graniczne, s. 1); jednocześnie przestrzegaj ograniczeń mocy strat i temperatury złącza.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":56,"minValue":78,"maxValue":79,"unit":80,"testCondition":81},"hFE_10mA","Wzmocnienie prądowe hFE przy 10mA",100,300,"ratio","IC = 10 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2.0%)",{"symbol":83,"name":84,"typicalValue":56,"minValue":85,"unit":80,"testCondition":86},"hFE_1mA","Wzmocnienie prądowe hFE przy 1mA",70,"IC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2.0%)",{"symbol":88,"name":89,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":80,"testCondition":90},"hFE_50mA","Wzmocnienie prądowe hFE przy 50mA","IC = 50 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2.0%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":56,"maxValue":94,"unit":58,"testCondition":95},"VCE_sat_10mA","Napięcie nasycenia kolektor-emiter przy 10mA",0.2,"IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2.0%)",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":56,"maxValue":99,"unit":58,"testCondition":100},"VCE_sat_50mA","Napięcie nasycenia kolektor-emiter przy 50mA",0.3,"IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (test impulsowy: tp \u003C= 300 µs, współczynnik wypełnienia \u003C= 2.0%)",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":56,"minValue":104,"maxValue":105,"unit":58,"testCondition":95},"VBE_sat","Napięcie nasycenia baza-emiter",0.65,0.85,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":56,"minValue":79,"unit":109,"testCondition":110},"fT","Częstotliwość graniczna iloczynu wzmocnienia","MHz","IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":56,"maxValue":114,"unit":115,"testCondition":116},"Cobo","Pojemność wyjściowa kolektora",4,"pF","VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":118,"name":119,"typicalValue":56,"maxValue":120,"unit":115,"testCondition":121},"Cibo","Pojemność wejściowa emitera",8,"VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":56,"maxValue":125,"unit":126,"testCondition":127},"NF","Współczynnik szumów",5,"dB","IC = 100 µA, VCE = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":56,"maxValue":57,"unit":58,"testCondition":131},"VCEO","Bezwzględne maksymalne napięcie kolektor–emiter","Wartości graniczne, s. 1; granica obciążenia różna od minimum V(BR)CEO mierzonego w podanych warunkach testu.",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":56,"maxValue":68,"unit":58,"testCondition":135},"VEBO","Bezwzględne maksymalne napięcie emiter–baza","Wartości graniczne, s. 1; granica wstecznego obciążenia emiter–baza różna od minimum V(BR)EBO mierzonego w podanych warunkach testu.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":56,"minValue":50,"maxValue":51,"unit":139,"testCondition":140},"TJ","Zakres temperatury złącza","°C","Temperatura złącza podczas pracy, wartości graniczne, s. 1; nie jest to dopuszczalny zakres temperatury otoczenia.",[142,147,151],{"title":143,"severity":144,"description":145,"mitigationStrategy":146},"Sprawdź dokładny układ wyprowadzeń emiter–baza–kolektor obudowy TO-92","critical","Przy płaskiej ściance obudowy onsemi TO-92 skierowanej do obserwatora i wyprowadzeniach w dół, wyprowadzenia 1–2–3 odpowiadają emiterowi–bazie–kolektorowi (E-B-C). Inne modele lub producenci mogą stosować inne układy wyprowadzeń. Zamiana emitera i kolektora może powodować nieprawidłową pracę układu; zależnie od polaryzacji może wystąpić praca aktywna inwersyjna o innych granicach wzmocnienia i napięcia. Sprawdzaj konkretny element i rysunek obudowy zamiast zakładać, że inny tranzystor ma identyczne wyprowadzenia.","Zawsze weryfikuj fizyczny układ wyprowadzeń z kartą katalogową producenta i opisem na płytce PCB przed montażem. Upewnij się, że emiter, baza i kolektor odpowiadają wyprowadzeniom symbolu na schemacie.",{"title":148,"severity":144,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Wsteczne obciążenie napięciowe emiter–baza w multiwibratorach astabilnych ze sprzężeniem skrośnym","Nota katalogowa podaje VEBO = 6.0 V jako bezwzględne maksymalne wsteczne napięcie emiter–baza (s. 1). Osobno V(BR)EBO wynosi co najmniej 6.0 V przy IE = 10 µA, IC = 0 i TA = 25°C (s. 2); test przebicia nie jest zalecanym warunkiem pracy. W multiwibratorze astabilnym ze sprzężeniem skrośnym i emiterami połączonymi z masą opadające napięcie kolektora może poprzez kondensator obniżyć napięcie przeciwległej bazy poniżej zera. Dla wyidealizowanego natychmiastowego przejścia przy niezmienionym napięciu kondensatora VB(after) = VB(before) + VC(after) − VC(before). Zatem napięcie bazy po skoku uwzględnia napięcie bazy przed przełączeniem; sam skok kolektora nie jest końcowym wstecznym VBE. Rzeczywiste poziomy kolektora zależą od spadków napięcia obciążenia, sterowania tranzystorem i stanu układu. Oceń najgorsze wsteczne VBE w konkretnym układzie względem bezwzględnej granicy VEBO; z tej noty nie wynika uniwersalny próg napięcia zasilania 5–6 V. Nadmierne obciążenie wsteczne może spowodować przebicie, pogorszenie wzmocnienia lub zmianę parametrów czasowych.","Rozważ przeciwrównoległą diodę ograniczającą napięcie baza–emiter (katoda do bazy, anoda do emitera\u002Fmasy) lub inną topologię, gdy analiza rzeczywistego układu wykazuje nadmierne obciążenie wsteczne. Sprawdź prąd ograniczania, ścieżki obwodu czasowego, rozruch i graniczne napięcia elementów w zmienionym układzie. Dioda ograniczająca lub dioda szeregowa w obwodzie bazy stanowi zmianę projektu wymagającą weryfikacji, a nie automatycznie zatwierdzony środek zaradczy.",{"title":152,"severity":153,"description":154,"mitigationStrategy":155},"Wymagania prądu bazy BJT do nasycenia a wzmocnienie w stanie aktywnym","warning","hFE obszaru aktywnego nie gwarantuje granic VCE(sat) z tabeli. Testy nasycenia onsemi wykorzystują wymuszone wzmocnienie IC \u002F IB = 10: IC = 10 mA z IB = 1.0 mA daje VCE(sat) ≤0.2 V, a IC = 50 mA z IB = 5.0 mA daje VCE(sat) ≤0.3 V, przy TA = 25°C, szerokości impulsu ≤300 µs i współczynniku wypełnienia ≤2%. Granice te dotyczą podanych warunków testu. Dobór prądu bazy wyłącznie na podstawie hFE obszaru aktywnego może zapewnić niewystarczające sterowanie dla zamierzonego obciążenia i pozostawić wyższe napięcie kolektor–emiter oraz większą moc strat; rzeczywisty obszar pracy zależy od prostej obciążenia i sterowania układu.","Dobierz sterowanie bazą do rzeczywistego obciążenia kolektora i sprawdź odpowiednie warunki nasycenia, napięcia, temperatury i impulsów. Testy z tabeli wykorzystują IC \u002F IB = 10; nie ustanawiają uniwersalnego gwarantowanego zakresu wymuszonego wzmocnienia 10–20. Sprawdź, czy sterownik może dostarczyć wymagany prąd bazy i usunąć ładunek bazy podczas wyłączania, z zachowaniem własnych ograniczeń napięciowych i prądowych. Jeśli odpowiednie sterowanie bazą jest niedostępne, oceń MOSFET lub bufor według rzeczywistych wymagań układu, nie tylko oznaczenia zgodności z poziomami logicznymi.",[157],{"title":158,"url":17,"type":159,"authority":160,"publisher":22,"documentNumber":161,"revision":162,"releaseDate":163,"language":164},"2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon","datasheet","primary","2N3903\u002FD","Rev. 9","2021-08","EN",[166],{"title":167,"schematicSlug":168,"topology":169},"Układ automatycznego resetu i rozruchu ESP32 (DTR\u002FRTS)","esp32-auto-reset-flashing-circuit","Q1 i Q2: połączone krzyżowo klucze NPN ściągające EN i IO0 w stan niski",[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3904","2N3904 tranzystor NPN: wyprowadzenia, parametry i nota katalogowa | CircuitBase","Kompletne dane techniczne tranzystora onsemi 2N3904 NPN, wyprowadzenia TO-92 (E-B-C), wartości maksymalne 40V VCEO i 200mA IC, wzmocnienie hFE oraz charakterystyki nasycenia.",[177,178,179,180],"2n3904 wyprowadzenia","2n3904 nota katalogowa tranzystora","2n3904 parametry npn","2n3904 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Krzemowy tranzystor bipolarny PNP małej mocy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 o wyprowadzeniach E-B-C i wartościach granicznych 40V VCEO oraz 200mA IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Tranzystor przełączający NPN Central Semiconductor 2N2222A w TO-18; absolutne granice VCEO 40 V i ciągłego IC 800 mA przy TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"MOSFET z kanałem N onsemi 2N7000 w TO-92 (CASE 135AN), wyprowadzenia S-G-D; absolutne granice VDSS 60 V i ciągłego ID 200 mA przy TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: tranzystor MOSFET z kanałem N w obudowie SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; graniczne napięcie VDSS 50 V i ciągły prąd ID 220 mA przy TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420542]