[{"data":1,"prerenderedAt":257},["ShallowReactive",2],{"component:2n2222:pl":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":216,"related":217,"equivalentSlugs":256},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":19,"mpn":20,"slug":19,"primaryCategory":21,"manufacturers":22,"lifecycleStatus":24,"shortDescription":25,"deepTechnicalOverview":26,"packages":27,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":171,"datasheetUrl":17,"documentationSources":186,"applicationCircuits":199,"equivalents":204,"mountedOnBoards":205,"seo":206},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-14",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent documentary review against exact manufacturer PDFs and current product rows; source-relative package verification and LLM localization review; owner publication GO, no bench or native-human signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17,18],"https:\u002F\u002Fcentral.aeminc.com\u002Fdatasheets\u002F2N2221A.PDF","https:\u002F\u002Fcentral.aeminc.com\u002Fdocs\u002FENGINEERING\u002FPDD\u002FTO_18_PD.PDF","2n2222","2N2222A","bipolar_transistor",[23],"Central Semiconductor","active","Tranzystor przełączający NPN Central Semiconductor 2N2222A w TO-18; absolutne granice VCEO 40 V i ciągłego IC 800 mA przy TA = 25°C.","Strona dotyczy tylko Central Semiconductor 2N2222A w TO-18 według noty 2N2221A.PDF, R5 (5 grudnia 2013 roku). Parametry elektryczne dotyczą TA = 25°C, o ile nie podano inaczej, i wyłącznie pełnych warunków pomiarowych. Wartości graniczne nie są zalecanymi warunkami pracy. Na rysunku producenta E1 jest po lewej, B2 nad środkiem, C3 po prawej, a występ u dołu po lewej; opis dotyczy orientacji rysunku bez twierdzenia o oddzielnie potwierdzonym widoku z góry lub od spodu. Dokładna pozycja katalogowa ma status Active; dołączone PDN01195 dotyczy innych wymienionych typów. Nie przenoś parametrów na inne marki ani odmiany plastikowe.",[28],{"packageType":29,"pinCount":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-18",3,350,97,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"E","passive",false,"none","Emiter, wyprowadzenie 1: po lewej na rysunku producenta, najbliżej występu u dołu po lewej. Zachowaj orientację rysunku.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"B","Baza, wyprowadzenie 2: nad środkiem na rysunku producenta, pod kątem 90° do każdego z wyprowadzeń 1 i 3.",{"pinNumber":30,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"C","Kolektor, wyprowadzenie 3: po prawej na rysunku producenta. Cytowany rysunek nie potwierdza wewnętrznego połączenia elektrycznego z metalową obudową.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-65,200,[52,59,64,69,75,79,84,88,93,96,103,107,112,118,123,128,131,136,140,144,147,150,155,160,166],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"BVCBO","Napięcie przebicia kolektor-baza","—",75,"V","IC = 10 µA, TA = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":62,"unit":57,"testCondition":63},"BVCEO","Napięcie przebicia kolektor-emiter",40,"IC = 10 mA, TA = 25°C",{"symbol":65,"name":66,"typicalValue":55,"minValue":67,"unit":57,"testCondition":68},"BVEBO","Napięcie przebicia emiter-baza",6,"IE = 10 µA, TA = 25°C",{"symbol":70,"name":71,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":73,"testCondition":74},"ICBO","Prąd odcięcia kolektora",10,"nA","VCB = 60 V, TA = 25°C",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":73,"testCondition":78},"IEBO","Prąd odcięcia emitera","VEB = 3.0 V, TA = 25°C",{"symbol":80,"name":81,"typicalValue":55,"maxValue":82,"unit":57,"testCondition":83},"VCE_sat_150","Napięcie nasycenia kolektor-emiter przy 150 mA",0.3,"IC = 150 mA, IB = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":85,"name":86,"typicalValue":55,"maxValue":35,"unit":57,"testCondition":87},"VCE_sat_500","Napięcie nasycenia kolektor-emiter przy 500 mA","IC = 500 mA, IB = 50 mA, TA = 25°C",{"symbol":89,"name":90,"typicalValue":55,"minValue":91,"maxValue":92,"unit":57,"testCondition":83},"VBE_sat_150","Napięcie nasycenia baza-emiter przy 150 mA",0.6,1.2,{"symbol":94,"name":95,"typicalValue":55,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":87},"VBE_sat_500","Napięcie nasycenia baza-emiter przy 500 mA",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":55,"minValue":99,"maxValue":100,"unit":101,"testCondition":102},"hFE_150","Wzmocnienie prądowe stałoprądowe przy 150 mA",100,300,"ratio","VCE = 10 V, IC = 150 mA, TA = 25°C",{"symbol":104,"name":105,"typicalValue":55,"minValue":62,"unit":101,"testCondition":106},"hFE_500","Wzmocnienie prądowe stałoprądowe przy 500 mA","VCE = 10 V, IC = 500 mA, TA = 25°C",{"symbol":108,"name":109,"typicalValue":55,"minValue":100,"unit":110,"testCondition":111},"fT","Częstotliwość graniczna wzmocnienia prądowego","MHz","VCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":113,"name":114,"typicalValue":55,"maxValue":115,"unit":116,"testCondition":117},"Cob","Pojemność wyjściowa",8,"pF","VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C",{"symbol":119,"name":120,"typicalValue":55,"maxValue":121,"unit":116,"testCondition":122},"Cib","Pojemność wejściowa",25,"VEB = 0.5 V, IC = 0 A, f = 100 kHz, TA = 25°C",{"symbol":124,"name":125,"typicalValue":55,"maxValue":72,"unit":126,"testCondition":127},"td","Czas opóźnienia","ns","VCC = 30 V, VBE = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":121,"unit":126,"testCondition":127},"tr","Czas narastania",{"symbol":132,"name":133,"typicalValue":55,"maxValue":134,"unit":126,"testCondition":135},"ts","Czas magazynowania ładunku",225,"VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA, TA = 25°C",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":139,"unit":126,"testCondition":135},"tf","Czas opadania",60,{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":143},"VCBO_abs","Graniczne napięcie kolektor-baza","TA = 25°C",{"symbol":145,"name":146,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":57,"testCondition":143},"VCEO_abs","Graniczne napięcie kolektor-emiter",{"symbol":148,"name":149,"typicalValue":55,"maxValue":67,"unit":57,"testCondition":143},"VEBO_abs","Graniczne napięcie wsteczne emiter-baza",{"symbol":151,"name":152,"typicalValue":55,"maxValue":153,"unit":154,"testCondition":143},"IC_abs","Graniczny ciągły prąd kolektora",800,"mA",{"symbol":156,"name":157,"typicalValue":55,"maxValue":158,"unit":159,"testCondition":143},"PD_TA_abs","Graniczna moc strat przy temperaturze otoczenia",500,"mW",{"symbol":161,"name":162,"typicalValue":55,"maxValue":163,"unit":164,"testCondition":165},"PD_TC_abs","Graniczna moc strat przy temperaturze obudowy",1.8,"W","TC = 25°C",{"symbol":167,"name":168,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":169,"testCondition":170},"TJ_abs","Graniczne temperatury złącza podczas pracy","°C","Graniczne temperatury złącza, nie zakres roboczych temperatur otoczenia",[172,177,181],{"title":173,"severity":174,"description":175,"mitigationStrategy":176},"Maksymalny prąd kolektora (800 mA) a moc rozpraszana bez radiatora w TO-18","critical","IC = 800 mA to wartość graniczna, a nie termicznie bezpieczny prąd pracy. Przy IC = 500 mA i IB = 50 mA oba maksymalne napięcia dają zachowawcze ograniczenie strat przewodzenia P = IC·VCE + IB·VBE = 0,5 A·1,0 V + 0,05 A·2,0 V = 0,6 W, powyżej 500 mW przy TA = 25°C jeszcze bez strat przełączania. Nie jest to pomiar strat ani stwierdzenie jednoczesnego wystąpienia obu maksimów.","Oszacuj średnie straty i sprawdź rzeczywistą drogę cieplną z zapasem: TJ ≈ TA + Pavg·ThetaJA w swobodnym powietrzu albo TJ ≈ TC + Pavg·ThetaJC przy kontrolowanej temperaturze obudowy, uwzględniając zewnętrzną drogę cieplną. Limit 1,8 W wymaga TC = 25°C, a nie tylko zamontowania radiatora. Nie istnieje uniwersalny próg prądu wymagający radiatora.",{"title":178,"severity":174,"description":179,"mitigationStrategy":180},"Niskie napięcie przebicia wstecznego złącza emiter-baza (6,0 V) w generatorach i multiwibratorach","Graniczne VEBO = 6,0 V oraz oddzielny parametr minimalnego napięcia przebicia BVEBO ≥ 6,0 V przy IE = 10 µA to różne specyfikacje. Test przebicia nie dopuszcza powtarzalnej pracy lawinowej; nota nie podaje takiej zdolności. Pojemnościowe przebiegi przejściowe bazy muszą pozostawać w granicach napięcia wstecznego.","Sprawdź rzeczywisty przebieg napięcia emiter-baza przy rozruchu i przełączaniu. Dioda ograniczająca napięcie wsteczne NPN ma anodę przy E, katodę przy B; sprawdź prąd impulsowy, spadek napięcia, tolerancje i zmiany czasów działania. Oznaczenie zasilania nie dowodzi ochrony; szeregowa dioda bazy nie jest równoważnym ogranicznikiem.",{"title":182,"severity":183,"description":184,"mitigationStrategy":185},"Wymagania sterowania bazy i czas magazynowania ładunku","warning","VCE(SAT) określono przy IC = 150 mA, IB = 15 mA oraz IC = 500 mA, IB = 50 mA. Te punkty IC\u002FIB = 10 nie są uniwersalną regułą sterowania. Za mały prąd bazy może zwiększać VCE i straty zależnie od obciążenia. Limit ts ≤ 225 ns dotyczy wyłącznie VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA i TA = 25°C, nie dowolnych warunków PWM.","Dobierz sterowanie bazy do zamierzonego prądu, napięcia i temperatury według odpowiednich warunków pomiarowych. Sprawdź zdolność sterownika do dostarczania i pochłaniania prądu oraz gwarantowane napięcia wyjściowe; punkt pomiarowy prądu bazy 50 mA może przekraczać limit GPIO. Wyłączanie i każdy układ sterowania ładunkiem wymagają oddzielnej weryfikacji obwodu.",[187,194],{"title":188,"url":17,"type":189,"authority":190,"publisher":23,"revision":191,"releaseDate":192,"language":193},"2N2221A, 2N2222A Silicon NPN Transistors","datasheet","primary","R5","2013-12-05","EN",{"title":195,"url":18,"type":189,"authority":196,"publisher":23,"revision":197,"releaseDate":198,"language":193},"Package Details - TO-18 Mechanical Drawing and Material Specification","secondary","R0\u002FR4","2020-02-10",[200],{"title":201,"schematicSlug":202,"topology":203},"Sterownik przekaźnika z tranzystorem NPN BJT 2N2222 \u002F 2N2222A i diodą zwrotną 1N4007","2n2222-relay-driver-flyback-protection","Układ nasyconego klucza dolnego ze wspólnym emiterem na tranzystorze NPN z rezystorem bazowym, rezystorem ściągającym pull-down 10 kΩ, przeciwsobną diodą gaszącą 1N4007 i odsprzęganiem szyny DC.",[],[],{"canonicalUrl":207,"metaTitle":208,"metaDescription":209,"primarySearchCluster":210,"structuredDataSchema":215},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n2222","2N2222A Tranzystor NPN: Wyprowadzenia, Datasheet i Parametry | CircuitBase","Kompletna specyfikacja techniczna tranzystora przełączającego NPN Central Semiconductor 2N2222A, wyprowadzenia TO-18 (E-B-C), limity 40 V VCEO i 800 mA IC.",[211,212,213,214],"2n2222a wyprowadzenia","2n2222a tranzystor nota katalogowa","2n2222a to-18","2n2222a przelaczanie","Product",null,[218,228,236,247],{"id":219,"slug":219,"mpn":220,"primaryCategory":21,"manufacturers":221,"shortDescription":223,"packages":224,"packageTypes":227,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[222],"onsemi","Krzemowy tranzystor bipolarny NPN małosygnałowy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 z wyprowadzeniami E-B-C oraz wartościami maksymalnymi 40V VCEO i 200mA IC.",[225],{"packageType":226,"pinCount":30},"TO-92",[226],{"id":229,"slug":229,"mpn":230,"primaryCategory":21,"manufacturers":231,"shortDescription":232,"packages":233,"packageTypes":235,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[222],"Krzemowy tranzystor bipolarny PNP małej mocy ogólnego przeznaczenia w obudowie TO-92 o wyprowadzeniach E-B-C i wartościach granicznych 40V VCEO oraz 200mA IC.",[234],{"packageType":226,"pinCount":30},[226],{"id":237,"slug":237,"mpn":238,"primaryCategory":239,"manufacturers":240,"shortDescription":242,"packages":243,"packageTypes":246,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[241],"Vishay","Prostownik Vishay 1N4007 DO-41: maksymalne VRRM 1000 V i IF(AV) 1 A przy TA = 75°C, wyprowadzeniach o długości 9.5 mm i obciążeniu rezystancyjnym lub indukcyjnym 60 Hz.",[244],{"packageType":245,"pinCount":42},"DO-41",[245],{"id":248,"slug":248,"mpn":249,"primaryCategory":239,"manufacturers":250,"shortDescription":251,"packages":252,"packageTypes":255,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[241],"Osiowa dioda przełączająca Vishay 1N4148 w DO-35. Czarny pasek katody, granica ciągłego napięcia wstecznego 75 V i maksymalny czas odzyskiwania zdolności zaporowej 4 ns w określonych warunkach pomiaru.",[253],{"packageType":254,"pinCount":42},"DO-35",[254],{},1793836420314]