[{"data":1,"prerenderedAt":352},["ShallowReactive",2],{"component:uln2003a:es":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":287,"related":288,"equivalentSlugs":351},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":132,"recommendedOperating":141,"parametricAttributes":144,"gotchas":226,"datasheetUrl":17,"documentationSources":245,"applicationCircuits":254,"equivalents":259,"mountedOnBoards":276,"seo":277},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-11-03",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Gemini (independent documentary review against Texas Instruments SLRS027P Rev. P; verified pinout, PDIP-16 N and SOIC-16 D packages, absolute maximums, electrical parametric limits, gotchas, six-locale localization sidecars, and catalog release validation; owner publication GO, no physical bench signoff)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.ti.com\u002Flit\u002Fds\u002Fsymlink\u002Fuln2003a.pdf","uln2003a","ULN2003A","timer_driver",[22],"Texas Instruments","active","Matriz de transistores Darlington de 7 canales Texas Instruments ULN2003A en PDIP-16 y SOIC-16; tensión de ruptura de colector de 50 V, 500 mA continuos por canal y diodos de fijación integrados.","El ULN2003A es una matriz de transistores Darlington monolítica de alto voltaje y alta corriente estándar de la industria fabricada por Texas Instruments (hoja de datos SLRS027P, revisada en febrero de 2017). Consta de siete pares Darlington NPN independientes que comparten una conexión de tierra de emisor común (Pin 8), ofreciendo una capacidad de drenaje a tierra de hasta 500 mA continuos (600 mA de pico) por canal con una tensión de ruptura de colector en estado apagado de 50 V. Cada canal incorpora una resistencia de base en serie integrada de 2.7 kΩ junto con resistencias internas de polarización base-emisor, permitiendo la conexión directa a niveles lógicos de 5 V TTL, CMOS y microcontroladores sin componentes pasivos limitadores de corriente externos. El dispositivo cuenta con diodos de supresión de transitorios integrados que comparten un terminal de cátodo común (Pin 9, COM); la conexión del Pin 9 al carril de alimentación positivo protege las etapas de salida de colector abierto contra picos de retorno inductivo destructivos generados al desenergizar relés, solenoides y motores paso a paso. Las salidas se pueden conectar en paralelo para mayores corrientes. Se ofrece en encapsulados PDIP-16 (designación N) y SOIC-16 (designación D) con resistencias térmicas de 67°C\u002FW y 73°C\u002FW.",[27,107],{"packageType":28,"pinCount":29,"bodyDimensionsMm":30,"pitchMm":34,"thermalResistanceThetaJA":35,"pins":36},"PDIP-16",16,{"length":31,"width":32,"height":33},19.3,6.35,4.57,2.54,67,[37,43,47,51,55,59,63,67,74,79,84,88,92,96,100,104],{"pinNumber":38,"pinName":39,"electricalType":40,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":41,"description":42},1,"1B","input_only","pulldown","Entrada de base del par Darlington 1 (entrada lógica 5V TTL\u002FCMOS activa en alto con resistencia de base serie integrada de 2.7 kΩ)",{"pinNumber":44,"pinName":45,"electricalType":40,"isFiveVoltTolerant":14,"internalPull":41,"description":46},2,"2B","Entrada de base del par Darlington 2 (entrada lógica 5V TTL\u002FCMOS activa en alto con resistencia de base serie integrada de 2.7 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Pin 9 (COM) y el ánodo al colector del canal. Al conmutar cargas inductivas (relés, solenoides, bobinas de motores paso a paso), el colapso del campo magnético induce picos de alta tensión (V = -L * di\u002Fdt). Si el Pin 9 se deja flotante o conectado a un carril incorrecto, estos picos superan la tensión de ruptura colector-emisor de 50V, provocando la avalancha destructiva de los transistores Darlington y el fallo permanente del canal.","Conecte siempre el Pin 9 (COM) directamente al carril de alimentación positivo que alimenta las cargas inductivas (por ejemplo, +5V, +12V o +24V). Si se controlan cargas puramente resistivas como LEDs, el Pin 9 puede dejarse sin conectar, aunque conectarlo al carril positivo proporciona mayor inmunidad al ruido.",{"title":233,"severity":229,"description":234,"mitigationStrategy":235},"Limitaciones de disipación de potencia total del encapsulado y corriente del pin de tierra","Aunque cada canal individual está especificado para drenar hasta 500 mA continuos, los 7 canales conduciendo simultáneamente a 500 mA requerirían 3.5 A de corriente de retorno total a través del único terminal de tierra (Pin 8), superando el límite máximo absoluto de 2.5 A del pin. Además, a altas corrientes continuas, la caída de tensión de saturación acumulada disipa una potencia considerable que supera rápidamente la capacidad térmica del encapsulado (1.15 W a 25°C ambiente, RthetaJA = 67°C\u002FW para PDIP-16, 73°C\u002FW para SOIC-16), causando embalamiento térmico.","Calcule la disipación total del encapsulado: P_total = sum(V_CE(sat) * I_C * DutyCycle) + sum(V_I * I_I). Al operar los 7 canales de forma continua al 100% de ciclo de trabajo, limite la corriente individual a \u003C= 150 mA ... 200 mA. Para cargas mayores, use multiplexación, conecte salidas adyacentes en paralelo o actualice a controladores DMOS como el Toshiba TBD62003A.",{"title":237,"severity":238,"description":239,"mitigationStrategy":240},"Caída de tensión de saturación Darlington (0.9V a 1.6V) y penalización de voltaje en carga","warning","Debido a que un par Darlington consta de dos transistores bipolares NPN en cascada donde la etapa de salida no puede saturar por debajo de V_BE2 + V_CE(sat)1, la caída de tensión de saturación V_CE(sat) es notablemente mayor que la de un BJT saturado simple o un MOSFET de bajo RDS(on). A 100 mA, V_CE(sat) es típicamente de 0.9 V a 1.1 V; a 350 mA, aumenta a 1.3 V ... 1.6 V. Al alimentar cargas de bajo voltaje (como relés de 5V o indicadores de 3.3V), esta pérdida de más de 1V reduce la tensión efectiva en la carga (una bobina de 5V solo recibe 3.7V ... 4.1V) mientras disipa calor continuo.","Verifique que las bobinas inductivas se activen de manera fiable con la tensión reducida (V_LOAD = V_SUPPLY - V_CE(sat)). Para relés de 5V, compruebe que la tensión de activación sea \u003C= 3.75V (75% del valor nominal). En sistemas de 3.3V o alimentados por batería donde una caída de 1V es inaceptable, reemplace el ULN2003A bipolar por una matriz DMOS (como TBD62003A) con baja resistencia RDS(on).",{"title":242,"severity":238,"description":243,"mitigationStrategy":244},"Limitaciones de excitación con lógica de microcontroladores de 3.3V (corriente de base insuficiente)","La resistencia de base serie interna de 2.7 kΩ del ULN2003A está dimensionada específicamente para niveles lógicos de 5V TTL y CMOS. Cuando se controla desde un microcontrolador moderno de 3.3V (como ESP32, RP2040 o STM32), la tensión disponible sobre las dos uniones base-emisor (2 * V_BE aprox 1.4V a 1.7V) solo produce (3.3V - 1.5V) \u002F 2.7k = 0.67 mA de corriente de base. Si bien es suficiente para conmutar cargas ligeras de hasta 100 mA, no permite saturar por completo la salida a corrientes elevadas (300 mA a 500 mA), provocando mayor V_CE, alta disipación y sobrecalentamiento.","Para sistemas lógicos de 3.3V que conmuten cargas pesadas (> 150 mA por canal), use la variante de bajo voltaje ULN2003LV (diseñada para entradas de 1.8V a 5V) o el Toshiba TBD62003A (entradas DMOS de bajo umbral), o inserte un desplazador de nivel a 5V como el 74HCT245 o circuitos con BSS138.",[246],{"title":247,"url":17,"type":248,"authority":249,"publisher":22,"documentNumber":250,"revision":251,"releaseDate":252,"language":253},"ULN200xA, ULNQ200x High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays","datasheet","primary","SLRS027P","Rev. 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