[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:irlz44n:es":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":179,"related":180,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":139,"datasheetUrl":17,"documentationSources":154,"applicationCircuits":162,"equivalents":167,"mountedOnBoards":168,"seo":169},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.infineon.com\u002Fassets\u002Frow\u002Fpublic\u002Fdocuments\u002F24\u002F49\u002Finfineon-irlz44npbf-datasheet-en.pdf","irlz44n","IRLZ44NPbF","power_mosfet",[22],"Infineon Technologies","active","MOSFET de potencia de canal N y nivel lógico Infineon IRLZ44NPbF en TO-220AB, con patillaje G-D-S y lengüeta conectada al drenador; la resistencia en conducción se especifica bajo condiciones de excitación de puerta separadas de 4 V, 5 V y 10 V.","El Infineon IRLZ44NPbF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N y nivel lógico documentado en la hoja de datos rev. 2.1, 2026-08-12. Su encapsulado de montaje pasante TO-220AB (PG-TO220-3-U05) tiene puerta, drenador y fuente en los pines 1, 2 y 3, y la lengüeta de montaje conectada al drenador. La tensión de ruptura drenador–fuente V(BR)DSS se especifica como al menos 55 V a VGS = 0 V, ID = 250 µA y TJ = 25°C. Los límites absolutos de corriente continua de drenador son 47 A a TC = 25°C y 33 A a TC = 100°C, ambos a VGS = 10 V; el máximo absoluto de disipación de 110 W también requiere TC = 25°C. Estos límites de esfuerzo a temperatura de encapsulado no garantizan temperatura ambiente, corriente de placa ni cargas controladas desde GPIO. El intervalo absoluto TJ = −55 a +175°C corresponde a la unión, no al ambiente; las resistencias térmicas indicadas de 1.4°C\u002FW unión–encapsulado y 62°C\u002FW unión–ambiente son máximas. El umbral VGS(th) = 1.0–2.0 V se ensaya a ID = 250 µA y VDS = VGS (TJ = 25°C); no establece conducción de corriente de carga útil ni un umbral de entrada digital. Por separado, RDS(on) máximo es 22 mΩ a VGS = 10 V e ID = 25 A, 25 mΩ a VGS = 5 V e ID = 25 A, y 35 mΩ a VGS = 4 V e ID = 21 A, todos a TJ = 25°C con anchura de pulso ≤300 µs y ciclo de trabajo ≤2%. Utilice las tablas con sus condiciones y el diseño térmico y de excitación real al evaluar una aplicación de conmutación.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"pitchMm":30,"thermalResistanceThetaJA":31,"thermalResistanceThetaJC":32,"pins":33},"TO-220AB",3,2.54,62,1.4,[34,41,45],{"pinNumber":35,"pinName":36,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":40},1,"G","passive",false,"none","Terminal de puerta; las tensiones se refieren a la fuente. VGS(th) = 1.0–2.0 V a ID = 250 µA, VDS = VGS y TJ = 25°C es un ensayo de umbral, no una garantía de excitación de carga útil ni un umbral lógico digital. Límite absoluto VGS: ±16 V.",{"pinNumber":42,"pinName":43,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":44},2,"D","Terminal de drenador (conectado internamente a la lengüeta metálica del encapsulado TO-220)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":37,"isFiveVoltTolerant":38,"internalPull":39,"description":47},"S","Terminal de fuente y referencia de VGS; conectado a masa solo en una topología apropiada de conmutación de lado bajo, no es intrínsecamente un pin de masa.",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,175,[52,59,65,70,75,81,86,91,95,100,106,110,114,120,124,128,134],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)DSS","Tensión de ruptura drenador-fuente","—",55,"V","VGS = 0 V, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"maxValue":62,"unit":63,"testCondition":64},"ID_25C","Corriente continua de drenador a 25°C",47,"A","Corriente continua de drenador máxima absoluta, VGS = 10 V, TC = 25°C (p. 1); temperatura del encapsulado, no ambiente ni capacidad de corriente de la placa.",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":55,"maxValue":68,"unit":63,"testCondition":69},"ID_100C","Corriente continua de drenador a 100°C",33,"Corriente continua de drenador máxima absoluta, VGS = 10 V, TC = 100°C (p. 1); temperatura del encapsulado, no ambiente ni capacidad de corriente de la placa.",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":55,"maxValue":73,"unit":63,"testCondition":74},"IDM","Corriente pulsada de drenador",160,"Corriente pulsada repetitiva de drenador máxima absoluta; anchura de pulso limitada por la temperatura máxima de unión (nota 1, p. 2; véase Fig. 11). No autoriza esa corriente en continuo.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":55,"maxValue":78,"unit":79,"testCondition":80},"RDS_ON_10V","Resistencia en conducción RDS(on) a 10V",0.022,"Ω","VGS = 10 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2%)",{"symbol":82,"name":83,"typicalValue":55,"maxValue":84,"unit":79,"testCondition":85},"RDS_ON_5V","Resistencia en conducción RDS(on) a 5V",0.025,"VGS = 5.0 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2%)",{"symbol":87,"name":88,"typicalValue":55,"maxValue":89,"unit":79,"testCondition":90},"RDS_ON_4V","Resistencia en conducción RDS(on) a 4V",0.035,"VGS = 4.0 V, ID = 21 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":55,"minValue":35,"maxValue":42,"unit":57,"testCondition":94},"VGS_TH","Tensión umbral de puerta","VDS = VGS, ID = 250 µA, TJ = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"minValue":98,"unit":46,"testCondition":99},"gfs","Transconductancia directa",21,"VDS = 25 V, ID = 25 A, TJ = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"maxValue":103,"unit":104,"testCondition":105},"Qg","Carga total de puerta",48,"nC","ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5.0 V, TJ = 25°C; anchura de pulso ≤300 µs, ciclo de trabajo ≤2% (nota 4, p. 2; Figuras 6 y 13).",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":55,"maxValue":109,"unit":104,"testCondition":105},"Qgs","Carga puerta-fuente",8.6,{"symbol":111,"name":112,"typicalValue":55,"maxValue":113,"unit":104,"testCondition":105},"Qgd","Carga puerta-drenador (Miller)",25,{"symbol":115,"name":116,"typicalValue":117,"unit":118,"testCondition":119},"Ciss","Capacidad de entrada",1700,"pF","VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz, TJ = 25°C",{"symbol":121,"name":122,"typicalValue":123,"unit":118,"testCondition":119},"Coss","Capacidad de salida",400,{"symbol":125,"name":126,"typicalValue":127,"unit":118,"testCondition":119},"Crss","Capacidad de transferencia inversa",150,{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":55,"maxValue":131,"unit":132,"testCondition":133},"PD","Disipación de potencia máxima absoluta",110,"W","TC = 25°C, máximo absoluto (p. 1); temperatura del encapsulado, no ambiente. Factor de reducción lineal: 0.71 W\u002F°C.",{"symbol":135,"name":136,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":137,"testCondition":138},"TJ","Intervalo de temperatura de unión","°C","Temperatura de unión en funcionamiento, máximos absolutos (p. 1); no es un intervalo de temperatura ambiente de funcionamiento.",[140,145,149],{"title":141,"severity":142,"description":143,"mitigationStrategy":144},"Límite absoluto de tensión puerta–fuente: ±16 V","critical","El máximo absoluto de tensión puerta–fuente del IRLZ44NPbF es VGS = ±16 V (p. 1). Es un límite de esfuerzo, no un umbral físico de ruptura de puerta garantizado. Los transitorios de conmutación, el acoplamiento mediante la capacidad puerta–drenador y las oscilaciones pueden cambiar VGS respecto al nodo de fuente; evalúe las excursiones positivas y negativas en el circuito real. Superar el máximo absoluto puede dañar el dispositivo.","Evalúe la tensión de excitación y la protección frente a transitorios respecto a la fuente, incluyendo ambas polaridades y la tolerancia del limitador, para mantener VGS real dentro del máximo absoluto. Si se utiliza un limitador puerta–fuente, compruebe su tensión, capacidad de impulso y efecto sobre la excitación normal; coloque la protección y el retorno de puerta cerca del dispositivo. No suponga que una línea de alimentación ruidosa es una salida adecuada de excitador de puerta.",{"title":146,"severity":142,"description":147,"mitigationStrategy":148},"Carga de puerta y pérdidas dinámicas bajo excitación directa de microcontrolador","Los máximos RDS(on) son 22 mΩ a VGS = 10 V \u002F ID = 25 A, 25 mΩ a VGS = 5 V \u002F ID = 25 A y 35 mΩ a VGS = 4 V \u002F ID = 21 A, todos a TJ = 25°C con anchura de pulso ≤300 µs y ciclo de trabajo ≤2% (p. 2, nota 4). Son ensayos condicionados, no una promesa de conducción plena para cualquier carga o estado térmico. La hoja de datos no especifica un límite RDS(on) con excitación de puerta de 3.3 V. La carga total de puerta Qg es como máximo 48 nC a ID = 25 A, VDS = 44 V, VGS = 5 V y TJ = 25°C, con las mismas condiciones pulsadas de la nota 4. Ciss = 1700 pF es un valor típico a VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz y TJ = 25°C, no una capacidad de entrada fija ni máxima. La capacidad real del excitador de suministrar y absorber corriente y su impedancia de salida afectan los tiempos de transición de puerta y las pérdidas; esta hoja de datos del MOSFET no establece una capacidad universal de corriente GPIO.","Evalúe la tensión real de salida del excitador respecto a la fuente, su capacidad de carga y descarga, la frecuencia de conmutación y las condiciones térmicas frente a los ensayos aplicables de resistencia y carga. Alcanzar 4 V o 5 V no garantiza por sí solo una corriente de carga concreta ni pérdidas aceptables. Cuando sea necesario, evalúe un excitador de puerta o búfer capaz de suministrar y absorber los picos de corriente requeridos, y verifique los tiempos de transición y la disipación de conmutación en el circuito resultante.",{"title":150,"severity":151,"description":152,"mitigationStrategy":153},"Lengüeta metálica conectada internamente al drenador","warning","En el encapsulado TO-220AB, la lengüeta metálica está unida internamente al pin 2 (drenador). En una configuración de lado bajo, el drenador bascula entre masa y la tensión de alimentación de la carga. Atornillar la lengüeta a un chasis conectado a masa sin aislamiento eléctrico puentea el MOSFET, conectando la carga continuamente a masa y provocando su activación no deseada.","Al montar el transistor en un chasis metálico o disipador común, utilice siempre una lámina termoconductora y eléctricamente aislante junto con una arandela aislante con cuello (manguito aislante) para aislar el tornillo respecto a la lengüeta.",[155],{"title":156,"url":17,"type":157,"authority":158,"publisher":22,"revision":159,"releaseDate":160,"language":161},"IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET Datasheet","datasheet","primary","Rev. 2.1","2026-08-12","EN",[163],{"title":164,"schematicSlug":165,"topology":166},"Conmutador de CC de lado bajo con MOSFET de nivel lógico IRLZ44N","irlz44n-logic-level-low-side-switch","Interruptor de potencia de nivel lógico de canal N de lado bajo con amortiguación de puerta, resistencia pull-down de 10 kΩ, diodo flyback para cargas inductivas y desacoplo de alimentación de 12V\u002F24V para control por microcontrolador.",[],[],{"canonicalUrl":170,"metaTitle":171,"metaDescription":172,"primarySearchCluster":173,"structuredDataSchema":178},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002Firlz44n","IRLZ44N MOSFET de Potencia de Nivel Lógico: Patillaje y Datos | CircuitBase","Hoja de datos Infineon IRLZ44NPbF y patillaje G-D-S TO-220AB: resistencia en conducción condicionada, carga de puerta, límite de esfuerzo puerta–fuente ±16 V y límites térmicos de encapsulado\u002Funión.",[174,175,176,177],"irlz44n patillaje","irlz44n hoja de datos","irlz44n mosfet nivel logico","irlz44n to-220","Product",null,[181,191,200,211],{"id":182,"slug":182,"mpn":183,"primaryCategory":20,"manufacturers":184,"shortDescription":186,"packages":187,"packageTypes":190,"voltage":-1},"2n7000","2N7000",[185],"onsemi","MOSFET de canal N onsemi 2N7000 en TO-92 (CASE 135AN), patillaje S-G-D; límites absolutos: VDSS de 60 V e ID continuo de 200 mA a TC = 25°C.",[188],{"packageType":189,"pinCount":29},"TO-92",[189],{"id":192,"slug":192,"mpn":193,"primaryCategory":20,"manufacturers":194,"shortDescription":195,"packages":196,"packageTypes":199,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[185],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nivel lógico en SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; límite absoluto VDSS de 50 V y corriente continua ID de 220 mA a TA = 25°C.",[197],{"packageType":198,"pinCount":29},"SOT-23",[198],{"id":201,"slug":201,"mpn":202,"primaryCategory":203,"manufacturers":204,"shortDescription":206,"packages":207,"packageTypes":210,"voltage":-1},"1n4007","1N4007","diode_rectifier",[205],"Vishay","Rectificador Vishay 1N4007 DO-41 con VRRM máximo de 1000 V e IF(AV) de 1 A a TA = 75°C, terminales de 9.5 mm y carga resistiva o inductiva de 60 Hz.",[208],{"packageType":209,"pinCount":42},"DO-41",[209],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":203,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"1n4148","1N4148",[205],"Diodo de conmutación axial Vishay 1N4148 en DO-35. Banda negra del cátodo, límite de tensión inversa continua de 75 V y recuperación inversa máxima de 4 ns bajo las condiciones de ensayo especificadas.",[217],{"packageType":218,"pinCount":42},"DO-35",[218],{},1793836422347]