[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3906:es":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":51,"gotchas":145,"datasheetUrl":17,"documentationSources":160,"applicationCircuits":169,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (independent manufacturer documentary\u002Ftechnical\u002Fpackage and full-five-locale LLM semantic review; owner publication GO; no bench or native-human claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3906-d.pdf","2n3906","2N3906","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Transistor de unión bipolar PNP de silicio de pequeña señal para uso general en encapsulado TO-92 con patillaje E-B-C y valores máximos absolutos de 40V VCEO y 200mA IC.","El **2N3906** es un transistor bipolar de unión (BJT) PNP de silicio para pequeña señal fabricado por onsemi (número de publicación `2N3906\u002FD`, rev. 4, febrero de 2010). Alojado en el encapsulado de inserción TO-92 (Case 29-11, Issue AM, Style 1) con distribución de terminales **E-B-C**, es el complemento directo del transistor NPN 2N3904.\n\n### Física de funcionamiento y convenciones\nEn funcionamiento activo directo PNP estándar, las tensiones de base y colector son negativas respecto al emisor ($V_{BE} \u003C 0$, $V_{CE} \u003C 0$). Las tablas de la hoja de datos enumeran magnitudes de tensión positivas ($|V_{CE}|$, $|V_{BE}|$, $|V_{(BR)}|$).\n\n### Valores máximos absolutos ($T_A = 25°C$)\n- **Tensión colector-emisor ($V_{CEO}$):** 40 V\n- **Tensión colector-base ($V_{CBO}$):** 40 V\n- **Tensión emisor-base ($V_{EBO}$):** 5,0 V\n- **Corriente continua de colector ($I_C$):** 200 mA\n- **Disipación total del dispositivo ($P_D$):** 625 mW a $T_A = 25°C$ (reducción de 5,0 mW\u002F°C por encima de 25°C); valor explícito de 250 mW a $T_A = 60°C$; 1,5 W a $T_C = 25°C$ (reducción de 12 mW\u002F°C)\n- **Temperatura de unión de funcionamiento ($T_J$):** -55°C a +150°C\n- **Resistencia térmica:** $θ_{JA} = 200°C\u002FW$ unión-ambiente y $θ_{JC} = 83,3°C\u002FW$ unión-cápsula (máximos según catálogo)\n\n### Características eléctricas y dinámicas ($T_A = 25°C$)\n- **Tensiones de ruptura:** $V_{(BR)CEO} ≥ 40$ V ($I_C = 1,0$ mA), $V_{(BR)CBO} ≥ 40$ V ($I_C = 10$ µA), $V_{(BR)EBO} ≥ 5,0$ V ($I_E = 10$ µA)\n- **Ganancia de corriente continua ($h_{FE}$):** 100 a 300 con $I_C = 10$ mA y $|V_{CE}| = 1,0$ V\n- **Tensión de saturación colector-emisor ($|V_{CE(sat)}|$):** $≤ 0,25$ V con $I_C = 10$ mA e $I_B = 1,0$ mA\n- **Frecuencia de transición ($f_T$):** $≥ 250$ MHz con $I_C = 10$ mA, $|V_{CE}| = 20$ V y $f = 100$ MHz\n\n> **Nota de la hoja de datos:** Las condiciones de prueba por pulsos ($t_p ≤ 300$ µs, ciclo de trabajo $≤ 2,0%$) se aplican específicamente donde se indica la Nota 2: $V_{(BR)CEO}$ y características de conducción ($h_{FE}$ y saturación), no universalmente a $V_{(BR)CBO}$, $V_{(BR)EBO}$ o $f_T$.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Terminal de emisor (pin 1, terminal izquierdo con la cara plana hacia adelante y terminales hacia abajo)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Terminal de control de base (pin 2, terminal central; requiere una resistencia externa de limitación de corriente de base)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Terminal de colector (pin 3, terminal derecho con la cara plana hacia adelante y terminales hacia abajo)",{"storageTempMinC":49,"storageTempMaxC":50},-55,150,[52,59,63,68,73,80,85,90,95,100,105,109,115,121,126,132,136,140],{"symbol":53,"name":54,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":58},"V(BR)CEO","Tensión de ruptura colector-emisor V(BR)CEO","—",40,"V","IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":55,"minValue":56,"unit":57,"testCondition":62},"V(BR)CBO","Tensión de ruptura colector-base V(BR)CBO","IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":55,"minValue":66,"unit":57,"testCondition":67},"V(BR)EBO","Tensión de ruptura emisor-base V(BR)EBO",5,"IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":55,"maxValue":30,"unit":71,"testCondition":72},"IC_max","Corriente continua de colector","mA","Régimen continuo máximo (se aplican límites simultáneos de PD y TJ)",{"symbol":74,"name":75,"typicalValue":55,"minValue":76,"maxValue":77,"unit":78,"testCondition":79},"hFE_10mA","Ganancia de corriente continua hFE a 10mA",100,300,"ratio","IC = 10 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":55,"minValue":83,"unit":78,"testCondition":84},"hFE_1mA","Ganancia de corriente continua hFE a 1mA",80,"IC = 1.0 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":55,"minValue":88,"unit":78,"testCondition":89},"hFE_50mA","Ganancia de corriente continua hFE a 50mA",60,"IC = 50 mA, |VCE| = 1.0 V, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":91,"name":92,"typicalValue":55,"maxValue":93,"unit":57,"testCondition":94},"VCE_sat_10mA","Tensión de saturación colector-emisor |VCE(sat)| a 10mA",0.25,"IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":55,"maxValue":98,"unit":57,"testCondition":99},"VCE_sat_50mA","Tensión de saturación colector-emisor |VCE(sat)| a 50mA",0.4,"IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":101,"name":102,"typicalValue":55,"minValue":103,"maxValue":104,"unit":57,"testCondition":94},"VBE_sat_10mA","Tensión de saturación base-emisor |VBE(sat)| a 10mA",0.65,0.85,{"symbol":106,"name":107,"typicalValue":55,"maxValue":108,"unit":57,"testCondition":99},"VBE_sat_50mA","Tensión de saturación base-emisor |VBE(sat)| a 50mA",0.95,{"symbol":110,"name":111,"typicalValue":55,"minValue":112,"unit":113,"testCondition":114},"fT","Producto ganancia-ancho de banda",250,"MHz","IC = 10 mA, |VCE| = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":116,"name":117,"typicalValue":55,"maxValue":118,"unit":119,"testCondition":120},"Cobo","Capacidad de salida de colector",4.5,"pF","VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":122,"name":123,"typicalValue":55,"maxValue":124,"unit":119,"testCondition":125},"Cibo","Capacidad de entrada de emisor",10,"VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":127,"name":128,"typicalValue":55,"maxValue":129,"unit":130,"testCondition":131},"NF","Figura de ruido",4,"dB","IC = 100 µA, |VCE| = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":55,"maxValue":56,"unit":57,"testCondition":135},"VCEO","Tensión colector–emisor máxima absoluta (magnitud)","Valores máximos, p. 1; magnitud de esfuerzo distinta del mínimo V(BR)CEO bajo sus condiciones de medida.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":55,"maxValue":66,"unit":57,"testCondition":139},"VEBO","Tensión inversa emisor–base máxima absoluta (magnitud)","Valores máximos, p. 1; magnitud de esfuerzo inverso emisor–base distinta del mínimo V(BR)EBO bajo sus condiciones de medida.",{"symbol":141,"name":142,"typicalValue":55,"minValue":49,"maxValue":50,"unit":143,"testCondition":144},"TJ","Intervalo de temperatura de unión","°C","Temperatura de unión en funcionamiento, valores máximos, p. 1; no es un intervalo de temperatura ambiente de funcionamiento.",[146,151,155],{"title":147,"severity":148,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Esfuerzo inverso emisor–base (límite absoluto VEBO = 5.0V)","critical","La unión base–emisor tiene una tensión inversa máxima absoluta VEBO = 5.0V. Por separado, la tensión de ruptura medida V(BR)EBO es al menos 5.0V a IE = 10 µA, IC = 0 y TA = 25°C; este ensayo de ruptura no es una condición recomendada de funcionamiento. En multivibradores astables de acoplamiento cruzado o circuitos de conmutación capacitiva, los transitorios pueden polarizar inversamente la unión base–emisor (haciendo la base positiva respecto al emisor, VBE = VB - VE > 0). Superar el límite de esfuerzo inverso puede dañar el dispositivo o afectar a su fiabilidad.","Evalúe el pico real de tensión inversa VBE durante el funcionamiento. Si los transitorios inversos pueden aproximarse o superar 5.0V, incorpore un diodo de fijación antiparalelo en la unión base-emisor (como un 1N4148 con ánodo a la base y cátodo al emisor para PNP) o un diodo de bloqueo en serie con la base, verificando que no altere la temporización, el arranque o el disparo directo.",{"title":152,"severity":148,"description":153,"mitigationStrategy":154},"Verificación de la disposición de terminales TO-92 (patillaje E-B-C)","Mirando hacia la cara plana del encapsulado TO-92 con los terminales hacia abajo, la disposición del onsemi 2N3906 es Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector (E-B-C, Case 29-11, Style 1). Otros transistores de pequeña señal en encapsulado TO-92 emplean distribuciones distintas (como C-B-E o E-C-B). Montar el componente con los terminales transpuestos provoca un funcionamiento incorrecto y un posible comportamiento activo inverso con ganancia de corriente severamente reducida, tensión de saturación alterada y menor capacidad de tensión de ruptura.","Compruebe siempre la distribución física exacta de los terminales en la hoja de datos del fabricante (onsemi 2N3906\u002FD Style 1) y en la serigrafía de la placa antes de soldar. Nunca asuma que los transistores en TO-92 comparten patillajes intercambiables entre diferentes referencias o fabricantes.",{"title":156,"severity":157,"description":158,"mitigationStrategy":159},"Control de corriente de base PNP y requisitos de desplazamiento de nivel","warning","Para el funcionamiento activo directo y en saturación de un PNP, la base debe estar a un potencial inferior al emisor (VBE = VB - VE \u003C 0). La hoja de datos de onsemi caracteriza las magnitudes de tensión de saturación colector–emisor (|VCE(sat)| \u003C= 0.25V a IC = 10mA, IB = 1.0mA; y \u003C= 0.4V a IC = 50mA, IB = 5.0mA) con beta forzada IC \u002F IB = 10 en ensayos pulsados (tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%, TA = 25°C). La hFE de región activa por sí sola no garantiza estos límites de saturación. Una excitación de base insuficiente puede dejar una tensión colector–emisor y una disipación mayores; la región real depende de la carga y la excitación. Además, al conmutar en el lado alto desde una alimentación superior a la lógica de control, conectar la base directamente a una salida lógica puede polarizar directamente la estructura de protección superior de esa salida hacia su alimentación lógica inferior.","Dimensione la excitación de base según la carga, la velocidad de conmutación y la tensión de saturación requerida, utilizando los límites condicionados pertinentes de la hoja de datos; las curvas típicas no establecen límites universales garantizados. Verifique que el excitador pueda absorber la corriente de base necesaria al encender y extraer la carga almacenada de la base al apagar, dentro de sus propios límites de tensión y corriente. Al conmutar una alimentación positiva superior al nivel lógico (por ejemplo 12V con lógica de 3.3V o 5V), compruebe los límites de tensión del excitador en corte y utilice un adaptador de nivel con las especificaciones adecuadas (como un NPN o etapa de drenador abierto con resistencia de polarización base–emisor referenciada a la alimentación positiva) para lograr el corte completo.",[161],{"title":162,"url":17,"type":163,"authority":164,"publisher":22,"documentNumber":165,"revision":166,"releaseDate":167,"language":168},"2N3906 General Purpose Transistors PNP Silicon","datasheet","primary","2N3906\u002FD","Rev. 4","2010-02","EN",[],[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3906","2N3906 PNP BJT: patillaje, especificaciones y datasheet | CircuitBase","Especificaciones técnicas completas del transistor PNP onsemi 2N3906, patillaje TO-92 (E-B-C), límites absolutos de 40V VCEO y 200mA IC, ganancia hFE y saturación.",[177,178,179,180],"2n3906 patillaje","2n3906 datasheet transistor","2n3906 especificaciones pnp","2n3906 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[22],"Transistor de unión bipolar NPN de silicio de pequeña señal para uso general en encapsulado TO-92 con patillaje E-B-C y valores máximos absolutos de 40V VCEO y 200mA IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Transistor NPN de conmutación Central Semiconductor 2N2222A en TO-18; límites absolutos: VCEO de 40 V e IC continua de 800 mA a TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"MOSFET de canal N onsemi 2N7000 en TO-92 (CASE 135AN), patillaje S-G-D; límites absolutos: VDSS de 60 V e ID continuo de 200 mA a TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nivel lógico en SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; límite absoluto VDSS de 50 V y corriente continua ID de 220 mA a TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420664]