[{"data":1,"prerenderedAt":221},["ShallowReactive",2],{"component:2n3904:es":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":182,"related":183,"equivalentSlugs":220},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":48,"parametricAttributes":52,"gotchas":141,"datasheetUrl":17,"documentationSources":156,"applicationCircuits":165,"equivalents":170,"mountedOnBoards":171,"seo":172},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary engineering review against cited manufacturer datasheets; LLM localization review; owner publication GO; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.onsemi.com\u002Fpdf\u002Fdatasheet\u002F2n3903-d.pdf","2n3904","2N3904","bipolar_transistor",[22],"onsemi","obsolete","Transistor de unión bipolar NPN de silicio de pequeña señal para uso general en encapsulado TO-92 con patillaje E-B-C y valores máximos absolutos de 40V VCEO y 200mA IC.","El onsemi 2N3904 es un transistor bipolar NPN de silicio de pequeña señal en encapsulado de montaje pasante TO-92 (Case 29, Style 1), con los pines 1–2–3 asignados a emisor–base–colector. La hoja de datos (2N3903\u002FD, agosto de 2021, rev. 9) enumera los máximos absolutos VCEO = 40 V, IC continuo = 200 mA y PD = 625 mW a TA = 25°C, con reducción de 5.0 mW\u002F°C por encima de 25°C. Estos límites de esfuerzo no son capacidades de trabajo incondicionales y deben respetarse junto con la temperatura de unión y las condiciones térmicas reales. TJ = −55 a +150°C es un intervalo de temperatura de unión, no de funcionamiento ambiental. Las resistencias térmicas indicadas, 200°C\u002FW unión–ambiente y 83.3°C\u002FW unión–encapsulado, son valores máximos. Por separado, la tensión de ruptura medida V(BR)CEO tiene un mínimo de 40 V a IC = 1.0 mA e IB = 0. A TA = 25°C, hFE se especifica entre 100–300 a IC = 10 mA y VCE = 1.0 V, y VCE(sat) es como máximo 0.2 V a IC = 10 mA e IB = 1.0 mA; estas filas de ruptura, ganancia y saturación llevan las condiciones aplicables de ensayo pulsado: anchura de pulso ≤300 µs y ciclo de trabajo ≤2%. El producto ganancia de corriente–ancho de banda fT es al menos 300 MHz a IC = 10 mA, VCE = 20 V y frecuencia de medida f = 100 MHz (TA = 25°C). Consulte las condiciones de cada fila en lugar de considerar los límites de ganancia o saturación independientes de corriente, temperatura o excitación de base.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"thermalResistanceThetaJC":31,"pins":32},"TO-92",3,200,83.3,[33,40,45],{"pinNumber":34,"pinName":35,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":39},1,"E","passive",false,"none","Terminal de emisor (pin 1, terminal izquierdo con la cara plana hacia adelante y terminales hacia abajo)",{"pinNumber":41,"pinName":42,"electricalType":43,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":44},2,"B","input_only","Terminal de control de base (pin 2, terminal central; requiere una resistencia externa de limitación de corriente de base)",{"pinNumber":29,"pinName":46,"electricalType":36,"isFiveVoltTolerant":37,"internalPull":38,"description":47},"C","Terminal de colector (pin 3, terminal derecho con la cara plana hacia adelante y terminales hacia abajo)",{"powerDissipationMaxW":49,"storageTempMinC":50,"storageTempMaxC":51},0.625,-55,150,[53,60,65,70,75,82,87,91,96,101,106,111,117,122,128,132,136],{"symbol":54,"name":55,"typicalValue":56,"minValue":57,"unit":58,"testCondition":59},"V(BR)CEO","Tensión de ruptura colector-emisor","—",40,"V","IC = 1.0 mA, IB = 0, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":61,"name":62,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":58,"testCondition":64},"V(BR)CBO","Tensión de ruptura colector-base",60,"IC = 10 µA, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":66,"name":67,"typicalValue":56,"minValue":68,"unit":58,"testCondition":69},"V(BR)EBO","Tensión de ruptura emisor-base",6,"IE = 10 µA, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":71,"name":72,"typicalValue":56,"maxValue":30,"unit":73,"testCondition":74},"IC","Corriente continua de colector","mA","Corriente continua de colector máxima absoluta (valores máximos, p. 1); respete simultáneamente los límites de disipación y temperatura de unión.",{"symbol":76,"name":77,"typicalValue":56,"minValue":78,"maxValue":79,"unit":80,"testCondition":81},"hFE_10mA","Ganancia de corriente continua hFE a 10mA",100,300,"ratio","IC = 10 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":83,"name":84,"typicalValue":56,"minValue":85,"unit":80,"testCondition":86},"hFE_1mA","Ganancia de corriente continua hFE a 1mA",70,"IC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":88,"name":89,"typicalValue":56,"minValue":63,"unit":80,"testCondition":90},"hFE_50mA","Ganancia de corriente continua hFE a 50mA","IC = 50 mA, VCE = 1.0 V, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":92,"name":93,"typicalValue":56,"maxValue":94,"unit":58,"testCondition":95},"VCE_sat_10mA","Tensión de saturación colector-emisor a 10mA",0.2,"IC = 10 mA, IB = 1.0 mA, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":97,"name":98,"typicalValue":56,"maxValue":99,"unit":58,"testCondition":100},"VCE_sat_50mA","Tensión de saturación colector-emisor a 50mA",0.3,"IC = 50 mA, IB = 5.0 mA, TA = 25°C (ensayo de impulsos: tp \u003C= 300 µs, ciclo de trabajo \u003C= 2.0%)",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":56,"minValue":104,"maxValue":105,"unit":58,"testCondition":95},"VBE_sat","Tensión de saturación base-emisor",0.65,0.85,{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":56,"minValue":79,"unit":109,"testCondition":110},"fT","Producto ganancia-ancho de banda","MHz","IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz, TA = 25°C",{"symbol":112,"name":113,"typicalValue":56,"maxValue":114,"unit":115,"testCondition":116},"Cobo","Capacidad de salida del colector",4,"pF","VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz, IE = 0, TA = 25°C",{"symbol":118,"name":119,"typicalValue":56,"maxValue":120,"unit":115,"testCondition":121},"Cibo","Capacidad de entrada del emisor",8,"VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz, IC = 0, TA = 25°C",{"symbol":123,"name":124,"typicalValue":56,"maxValue":125,"unit":126,"testCondition":127},"NF","Factor de ruido",5,"dB","IC = 100 µA, VCE = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 1.0 kHz, TA = 25°C",{"symbol":129,"name":130,"typicalValue":56,"maxValue":57,"unit":58,"testCondition":131},"VCEO","Tensión colector–emisor máxima absoluta","Valores máximos, p. 1; límite de esfuerzo distinto del mínimo V(BR)CEO medido bajo sus condiciones de ensayo.",{"symbol":133,"name":134,"typicalValue":56,"maxValue":68,"unit":58,"testCondition":135},"VEBO","Tensión emisor–base máxima absoluta","Valores máximos, p. 1; límite de esfuerzo inverso emisor–base distinto del mínimo V(BR)EBO medido bajo sus condiciones de ensayo.",{"symbol":137,"name":138,"typicalValue":56,"minValue":50,"maxValue":51,"unit":139,"testCondition":140},"TJ","Intervalo de temperatura de unión","°C","Temperatura de unión en funcionamiento, valores máximos, p. 1; no es un intervalo de temperatura ambiente de funcionamiento.",[142,147,151],{"title":143,"severity":144,"description":145,"mitigationStrategy":146},"Verifique el patillaje exacto emisor–base–colector del TO-92","critical","Con la cara plana del encapsulado onsemi TO-92 hacia el observador y los terminales hacia abajo, los pines 1–2–3 corresponden a emisor–base–colector (E-B-C). Otros números de pieza o fabricantes pueden utilizar disposiciones diferentes. Intercambiar emisor y colector puede causar un funcionamiento incorrecto; según la polarización, puede producirse funcionamiento activo inverso con diferentes límites de ganancia y tensión. Verifique el componente exacto y el dibujo del encapsulado en lugar de suponer que otro transistor comparte este patillaje.","Compruebe siempre la disposición física de los terminales con la hoja de datos del fabricante y la serigrafía de la placa antes de soldar. Asegúrese de que emisor, base y colector coincidan con el esquema.",{"title":148,"severity":144,"description":149,"mitigationStrategy":150},"Esfuerzo inverso emisor–base en multivibradores astables con acoplamiento cruzado","La hoja de datos enumera VEBO = 6.0 V como tensión inversa emisor–base máxima absoluta (p. 1). Por separado, V(BR)EBO se especifica como al menos 6.0 V a IE = 10 µA, IC = 0 y TA = 25°C (p. 2); el ensayo de ruptura no es una condición recomendada de funcionamiento. En un astable con acoplamiento cruzado y emisores a masa, la caída de tensión de un colector puede llevar capacitivamente la base opuesta a tensión negativa. Para una transición instantánea idealizada con tensión del condensador constante, VB(after) = VB(before) + VC(after) − VC(before). Por tanto, la tensión de base posterior incluye la tensión de base previa a la conmutación; el escalón del colector por sí solo no es la VBE inversa final. Los niveles reales del colector dependen de las caídas de tensión de la carga, la excitación del transistor y el estado del circuito. Evalúe la peor VBE inversa del circuito concreto frente al límite absoluto VEBO; de esta hoja de datos no se deriva un umbral universal de alimentación de 5–6 V. Un esfuerzo inverso excesivo puede provocar ruptura, degradar la ganancia o alterar la temporización.","Evalúe un diodo limitador base–emisor en antiparalelo (cátodo a base, ánodo a emisor\u002Fmasa) o una topología alternativa cuando el análisis real del circuito identifique esfuerzo inverso excesivo. Compruebe la corriente de limitación, las trayectorias de temporización, el arranque y los límites de tensión de los componentes en el circuito resultante. Un diodo limitador o una disposición con diodo en serie con la base es un cambio de diseño que requiere verificación, no una solución de sustitución directa validada automáticamente.",{"title":152,"severity":153,"description":154,"mitigationStrategy":155},"Requisito de corriente de base para saturación frente a ganancia activa","warning","La hFE de región activa no garantiza los límites tabulados de VCE(sat). Los ensayos de saturación de onsemi utilizan beta forzada IC \u002F IB = 10: IC = 10 mA con IB = 1.0 mA da VCE(sat) ≤0.2 V, e IC = 50 mA con IB = 5.0 mA da VCE(sat) ≤0.3 V, a TA = 25°C con anchura de pulso ≤300 µs y ciclo de trabajo ≤2%. Estos límites se aplican a las condiciones de ensayo indicadas. Elegir la corriente de base únicamente a partir de hFE de región activa puede proporcionar excitación insuficiente para la carga prevista y dejar una tensión colector–emisor y una disipación mayores; la región real depende de la recta de carga y la excitación del circuito.","Dimensione la excitación de base para la carga real del colector y verifique las condiciones de saturación, tensión, temperatura e impulsos pertinentes. Los ensayos tabulados utilizan IC \u002F IB = 10; no establecen un intervalo universal garantizado de beta forzada de 10–20. Compruebe que el excitador pueda suministrar la corriente de base necesaria y extraer la carga de base durante el apagado dentro de sus propios límites de tensión y corriente. Si no dispone de una excitación adecuada, evalúe un MOSFET o búfer según los requisitos reales del circuito en lugar de confiar únicamente en una etiqueta de nivel lógico.",[157],{"title":158,"url":17,"type":159,"authority":160,"publisher":22,"documentNumber":161,"revision":162,"releaseDate":163,"language":164},"2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon","datasheet","primary","2N3903\u002FD","Rev. 9","2021-08","EN",[166],{"title":167,"schematicSlug":168,"topology":169},"Circuito de reinicio automático y arranque del ESP32 (DTR\u002FRTS)","esp32-auto-reset-flashing-circuit","Q1 y Q2: conmutadores NPN acoplados en cruz que llevan EN e IO0 a nivel bajo",[],[],{"canonicalUrl":173,"metaTitle":174,"metaDescription":175,"primarySearchCluster":176,"structuredDataSchema":181},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F2n3904","2N3904 Transistor NPN: patillaje, características y datasheet | CircuitBase","Especificaciones técnicas completas del transistor NPN onsemi 2N3904, patillaje TO-92 (E-B-C), límites absolutos de 40V VCEO y 200mA IC, ganancia hFE y curvas de saturación.",[177,178,179,180],"2n3904 patillaje","2n3904 hoja de datos del transistor","2n3904 especificaciones npn","2n3904 to-92","Product",null,[184,192,202,211],{"id":185,"slug":185,"mpn":186,"primaryCategory":20,"manufacturers":187,"shortDescription":188,"packages":189,"packageTypes":191,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[22],"Transistor de unión bipolar PNP de silicio de pequeña señal para uso general en encapsulado TO-92 con patillaje E-B-C y valores máximos absolutos de 40V VCEO y 200mA IC.",[190],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":193,"slug":193,"mpn":194,"primaryCategory":20,"manufacturers":195,"shortDescription":197,"packages":198,"packageTypes":201,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A",[196],"Central Semiconductor","Transistor NPN de conmutación Central Semiconductor 2N2222A en TO-18; límites absolutos: VCEO de 40 V e IC continua de 800 mA a TA = 25°C.",[199],{"packageType":200,"pinCount":29},"TO-18",[200],{"id":203,"slug":203,"mpn":204,"primaryCategory":205,"manufacturers":206,"shortDescription":207,"packages":208,"packageTypes":210,"voltage":-1},"2n7000","2N7000","power_mosfet",[22],"MOSFET de canal N onsemi 2N7000 en TO-92 (CASE 135AN), patillaje S-G-D; límites absolutos: VDSS de 60 V e ID continuo de 200 mA a TC = 25°C.",[209],{"packageType":28,"pinCount":29},[28],{"id":212,"slug":212,"mpn":213,"primaryCategory":205,"manufacturers":214,"shortDescription":215,"packages":216,"packageTypes":219,"voltage":-1},"bss138","BSS138",[22],"onsemi BSS138: MOSFET de canal N de nivel lógico en SOT-23 (CASE 318-08), pinout G-S-D; límite absoluto VDSS de 50 V y corriente continua ID de 220 mA a TA = 25°C.",[217],{"packageType":218,"pinCount":29},"SOT-23",[218],{},1793836420377]