[{"data":1,"prerenderedAt":196},["ShallowReactive",2],{"component:1n4148:es":3},{"component":4,"localizationFallbackIssues":154,"related":155,"equivalentSlugs":195},{"schemaVersion":5,"governance":6,"id":18,"mpn":19,"slug":18,"primaryCategory":20,"manufacturers":21,"lifecycleStatus":23,"shortDescription":24,"deepTechnicalOverview":25,"packages":26,"absoluteMaximums":42,"parametricAttributes":47,"gotchas":111,"datasheetUrl":17,"documentationSources":126,"applicationCircuits":136,"equivalents":137,"mountedOnBoards":142,"seo":143},"1.0.0",{"publication":7,"verification":10,"provenance":15},{"status":8,"publishedDate":9},"published","2026-10-13",{"status":11,"verifiedDate":9,"verifiedBy":12,"checklist":13},"verified","Codex (documentary review against Vishay 81857 Rev. 1.6; owner publication GO; LLM localization review; no bench claim)",{"schema":14,"technicalFacts":14,"relationships":14,"sources":14},true,{"sourceUrls":16},[17],"https:\u002F\u002Fwww.vishay.com\u002Fdocs\u002F81857\u002F1n4148.pdf","1n4148","1N4148","diode_rectifier",[22],"Vishay","active","Diodo de conmutación axial Vishay 1N4148 en DO-35. Banda negra del cátodo, límite de tensión inversa continua de 75 V y recuperación inversa máxima de 4 ns bajo las condiciones de ensayo especificadas.","Esta referencia cubre Vishay 1N4148, códigos de pedido 1N4148-TAP y 1N4148TR, según la hoja de datos 81857 Rev. 1.6 (07-Nov-2024). Es un diodo de conmutación epitaxial plano de silicio en encapsulado axial DO-35 (DO-204AH). La banda negra identifica el cátodo; CircuitBase numera el cátodo K como terminal 1 y el ánodo A como terminal 2 para este catálogo. Son terminales pasivos, no entradas GPIO con una especificación de tolerancia lógica a 5 V.\n\nDistinga el límite absoluto de tensión inversa continua de 75 V del límite absoluto de tensión inversa de pico repetitiva de 100 V. La tensión de ruptura se especifica por separado con un mínimo de 100 V a IR = 100 µA, tp\u002FT = 0.01 y tp = 0.3 ms. Los límites absolutos no son puntos de funcionamiento recomendados.\n\nA TA = 25°C, la caída directa máxima es 1 V con IF = 10 mA. La capacidad máxima es 4 pF con VR = 0 V, f = 1 MHz y VHF = 50 mV. La recuperación inversa es como máximo 4 ns con IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 × IR y RL = 100 Ω; el ensayo separado de 8 ns utiliza IF = IR = 10 mA e iR = 1 mA. Ninguno de estos tiempos es una garantía incondicional de conmutación.\n\nLa disipación se especifica en 500 mW con l = 4 mm y TL \u003C= 25°C, o 440 mW con l = 4 mm y TL = 45°C. RthJA = 350 °C\u002FW exige l = 4 mm y TL constante. El límite de temperatura de unión es 175°C; el almacenamiento va de -65 a +150°C. Evalúe las condiciones eléctricas y térmicas reales sin tratar un límite del encapsulado como corriente garantizada del circuito.",[27],{"packageType":28,"pinCount":29,"thermalResistanceThetaJA":30,"pins":31},"DO-35",2,350,[32,39],{"pinNumber":33,"pinName":34,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":38},1,"K","passive",false,"none","Cátodo K, identificado por la banda negra del cuerpo. El terminal 1 sigue la convención de numeración del catálogo CircuitBase; es un terminal pasivo del diodo.",{"pinNumber":29,"pinName":40,"electricalType":35,"isFiveVoltTolerant":36,"internalPull":37,"description":41},"A","Ánodo A, opuesto a la banda negra del cátodo. El terminal 2 sigue la convención de numeración del catálogo CircuitBase; la corriente convencional directa fluye de A a K.",{"powerDissipationMaxW":43,"operatingTempMaxC":44,"storageTempMinC":45,"storageTempMaxC":46},0.5,175,-65,150,[48,55,59,63,68,72,76,80,85,89,95,101,106],{"symbol":49,"name":50,"typicalValue":51,"maxValue":52,"unit":53,"testCondition":54},"V_RRM","Tensión inversa de pico repetitiva","—",100,"V","TA = 25°C",{"symbol":56,"name":57,"typicalValue":51,"maxValue":58,"unit":53,"testCondition":54},"V_R","Tensión inversa continua",75,{"symbol":60,"name":61,"typicalValue":51,"minValue":52,"unit":53,"testCondition":62},"V_BR","Tensión de ruptura","IR = 100 µA, tp\u002FT = 0.01, tp = 0.3 ms, TA = 25°C",{"symbol":64,"name":65,"typicalValue":51,"maxValue":66,"unit":67,"testCondition":54},"I_F","Corriente directa continua",300,"mA",{"symbol":69,"name":70,"typicalValue":51,"maxValue":46,"unit":67,"testCondition":71},"I_F_AV","Corriente directa media","VR = 0, TA = 25°C",{"symbol":73,"name":74,"typicalValue":51,"maxValue":75,"unit":67,"testCondition":54},"I_FRM","Corriente directa de pico repetitiva",500,{"symbol":77,"name":78,"typicalValue":51,"maxValue":29,"unit":40,"testCondition":79},"I_FSM_1us","Corriente directa de pico no repetitiva (1 µs)","tp = 1 µs, TA = 25°C",{"symbol":81,"name":82,"typicalValue":51,"maxValue":75,"unit":83,"testCondition":84},"P_tot","Disipación de potencia máxima","mW","l = 4 mm, TL \u003C= 25°C",{"symbol":86,"name":87,"typicalValue":51,"maxValue":33,"unit":53,"testCondition":88},"V_F","Caída de tensión directa","IF = 10 mA, TA = 25°C",{"symbol":90,"name":91,"typicalValue":51,"maxValue":92,"unit":93,"testCondition":94},"I_R","Corriente inversa de fuga",0.025,"µA","VR = 20 V, TA = 25°C",{"symbol":96,"name":97,"typicalValue":51,"maxValue":98,"unit":99,"testCondition":100},"t_rr_4ns","Tiempo de recuperación inversa (prueba de 4 ns)",4,"ns","IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Ω, TA = 25°C",{"symbol":102,"name":103,"typicalValue":51,"maxValue":104,"unit":99,"testCondition":105},"t_rr_8ns","Tiempo de recuperación inversa (prueba de 8 ns)",8,"IF = IR = 10 mA, iR = 1 mA, TA = 25°C",{"symbol":107,"name":108,"typicalValue":51,"maxValue":98,"unit":109,"testCondition":110},"C_D","Capacidad del diodo","pF","VR = 0 V, f = 1 MHz, VHF = 50 mV, TA = 25°C",[112,117,122],{"title":113,"severity":114,"description":115,"mitigationStrategy":116},"Los límites de corriente y potencia exigen sus condiciones especificadas","critical","A TA = 25°C, los límites absolutos son IF = 300 mA continuos, IF(AV) = 150 mA con VR = 0 e IFRM = 500 mA de pico repetitivo. Describen condiciones diferentes. Ptot = 500 mW exige l = 4 mm y TL \u003C= 25°C; Ptot = 440 mW se especifica a TL = 45°C con la misma longitud de terminales. RthJA = 350 °C\u002FW supone l = 4 mm y TL constante.","Compruebe la forma de onda real, la disipación, la temperatura de los terminales y el diseño térmico frente a los límites aplicables. Mantenga la temperatura de unión dentro del límite absoluto de 175°C; no deduzca una corriente garantizada del circuito a partir de un único límite de corriente o potencia.",{"title":118,"severity":119,"description":120,"mitigationStrategy":121},"La tensión inversa continua no es el límite de pico repetitivo","warning","La hoja de datos especifica VR = 75 V y VRRM = 100 V como límites absolutos distintos. La tensión mínima de ruptura de 100 V, ensayada por separado, no convierte 100 V en una recomendación de tensión continua de funcionamiento. La banda negra del cuerpo marca K; los números de terminal del catálogo son una convención de presentación.","Identifique la banda del cátodo y compruebe la forma de onda inversa real frente a los límites continuo y de pico repetitivo correspondientes. Estos terminales pasivos no tienen una especificación de tolerancia a 5 V de tipo GPIO.",{"title":123,"severity":119,"description":124,"mitigationStrategy":125},"El límite de corriente de impulso de 2 A corresponde a un pulso de 1 µs","Vishay 81857 Rev. 1.6 especifica IFSM = 2 A con tp = 1 µs y TA = 25°C. No especifica un límite de corriente de impulso de 1 A durante 1 s. Este límite absoluto de pulso corto no permite corriente continua ni repetitiva.","Evalúe el pulso previsto y las condiciones térmicas con los datos aplicables del fabricante. No extrapole el límite de 1 µs a un pulso más largo permitido, una frecuencia de repetición o una capacidad de absorción de energía en limitación.",[127],{"title":128,"url":17,"type":129,"authority":130,"publisher":131,"documentNumber":132,"revision":133,"releaseDate":134,"language":135},"1N4148 Small Signal Fast Switching Diodes Datasheet","datasheet","primary","Vishay Semiconductors","81857","1.6","2024-11-07","EN",[],[138],{"equivalentMpn":139,"manufacturer":22,"compatibilityType":140,"parameterDifferences":141},"1N914","pin_to_pin_drop_in","Vishay 81857 nombra explícitamente 1N914 como diodo eléctricamente equivalente. Compruebe la pieza y encapsulado del fabricante seleccionados para la aplicación prevista; la afirmación no establece geometría de silicio idéntica ni todas las condiciones de ensayo.",[],{"canonicalUrl":144,"metaTitle":145,"metaDescription":146,"primarySearchCluster":147,"structuredDataSchema":153},"https:\u002F\u002Fcircuitbase.tech\u002Fcomponent\u002F1n4148","Vishay 1N4148: patillaje DO-35, hoja de datos y condiciones de ensayo","Identificación del cátodo por banda en Vishay 1N4148 DO-35, límites inversos continuo de 75 V y de pico repetitivo de 100 V, y especificaciones de corriente, recuperación y térmicas con sus condiciones.",[148,149,150,151,152],"patillaje 1n4148","hoja de datos 1n4148","1n4148 especificaciones","1n4148 banda de catodo","1n4148 tiempo de recuperacion inversa","Product",null,[156,165,177,187],{"id":157,"slug":157,"mpn":158,"primaryCategory":20,"manufacturers":159,"shortDescription":160,"packages":161,"packageTypes":164,"voltage":-1},"1n4007","1N4007",[22],"Rectificador Vishay 1N4007 DO-41 con VRRM máximo de 1000 V e IF(AV) de 1 A a TA = 75°C, terminales de 9.5 mm y carga resistiva o inductiva de 60 Hz.",[162],{"packageType":163,"pinCount":29},"DO-41",[163],{"id":166,"slug":166,"mpn":167,"primaryCategory":168,"manufacturers":169,"shortDescription":171,"packages":172,"packageTypes":176,"voltage":-1},"2n2222","2N2222A","bipolar_transistor",[170],"Central Semiconductor","Transistor NPN de conmutación Central Semiconductor 2N2222A en TO-18; límites absolutos: VCEO de 40 V e IC continua de 800 mA a TA = 25°C.",[173],{"packageType":174,"pinCount":175},"TO-18",3,[174],{"id":178,"slug":178,"mpn":179,"primaryCategory":168,"manufacturers":180,"shortDescription":182,"packages":183,"packageTypes":186,"voltage":-1},"2n3904","2N3904",[181],"onsemi","Transistor de unión bipolar NPN de silicio de pequeña señal para uso general en encapsulado TO-92 con patillaje E-B-C y valores máximos absolutos de 40V VCEO y 200mA IC.",[184],{"packageType":185,"pinCount":175},"TO-92",[185],{"id":188,"slug":188,"mpn":189,"primaryCategory":168,"manufacturers":190,"shortDescription":191,"packages":192,"packageTypes":194,"voltage":-1},"2n3906","2N3906",[181],"Transistor de unión bipolar PNP de silicio de pequeña señal para uso general en encapsulado TO-92 con patillaje E-B-C y valores máximos absolutos de 40V VCEO y 200mA IC.",[193],{"packageType":185,"pinCount":175},[185],{},1793836419878]